一种氮化硅制备装置及制备系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种氮化硅制备装置及制备系统，属于机械设计及制备领域。本实用新型专利技术通过上述设计得到的氮化硅制备装置；通过将反应釜设置在中间腔，通过加热装置，加热反应釜，有利于反应充分利用加热装置的功能，且通过反应箱源，能保证热量不散失，利于形成较好的温度气氛，提高氮化硅制备装置的制备效率；利用了氮化硅制备装置的制备系统，也能较好的制备高纯度的氮化硅粉末。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅制备装置及制备系统
本技术涉及机械设计及制备领域，具体而言，涉及一种氮化硅制备装置及制备系统。
技术介绍
氮化硅陶瓷，是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。氮化硅的强度很高，尤其是热压氮化硅，是世界上最坚硬的物质之一。具有高强度、低密度、耐高温等性质。目前，气相法生产氮化硅粉末的方法，由于加热不均匀，还是会影响氮化硅粉末的纯度。
技术实现思路
本技术的目的在于提供了一种氮化硅制备装置，通过设置的加热装置，能更好加热，维持热量的均衡，保证氮化硅制备反应稳定高效的进行。本技术的另一目的在于提供一种氮化硅制备系统，该制备系统可以大量高效的准备氮化硅粉末。本技术是这样实现的：一种氮化硅制备装置，包括：反应箱，反应箱由箱侧壁、底板和箱顶板构成，箱侧壁、底板和箱顶板围成中间腔；反应釜，反应釜设置于中间腔，反应釜与底板固定连接；加热装置，加热装置加热反应釜中的反应原料；气体管，气体管设置于箱顶板，气体管与中间腔连通。进一步地，在本技术较佳的实施例中，箱侧壁、底板和箱顶板均包括镜面层、隔热层和外壁层，镜面层为靠近中间腔的内层。进一步地，在本技术较佳的实施例中，反应釜为坩埚反应器。进一步地，在本技术较佳的实施例中，底板设置有底砧，坩埚反应器通过底砧与底板连接。进一步地，在本技术较佳的实施例中，底砧包括隔热板和垫板，底砧与隔热板连接，垫板设置有连接耳，垫板通过连接耳与底板固定连接。进一步地，在本技术较佳的实施例中，加热装置包括激光器，激光器设置于箱顶板。进一步地，在本技术较佳的实施例中，加热装置还包括电加热器，电加热器与坩埚反应器连接。进一步地，在本技术较佳的实施例中，坩埚反应器的外壁设置有环形突出部，电加热器设置于相邻两个环形突出部之间。进一步地，在本技术较佳的实施例中，气体管设置有流量调节阀。一种氮化硅制备系统，氮化硅制备系统包括上述的氮化硅制备装置。本技术的有益效果是：本技术通过上述设计得到的氮化硅制备装置；通过将反应釜设置在中间腔，通过加热装置，加热反应釜，有利于反应充分利用加热装置的功能，且通过反应箱源，能保证热量不散失，利于形成较好的温度气氛，提高氮化硅制备装置的制备效率；利用了氮化硅制备装置的制备系统，也能较好的制备高纯度的氮化硅粉末。附图说明为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1是本技术实施1提供的氮化硅制备装置的示意图；图2是图1中II的放大示意图；图3是本技术实施2提供的氮化硅制备装置的示意图；图4是图3中IV的放大示意图。图标：100-氮化硅制备装置；200-氮化硅制备装置；110-反应箱；111-箱侧壁；112-底板；113-箱顶板；114-中间腔；115-镜面层；116-隔热层；117-外壁层；118-底砧；118a-隔热板；118b-垫板；120-反应釜；121-环形突出部；130-加热装置；131-激光器；132-电加热器；140-气体管；141-流量调节阀；210-反应箱；218-底砧；218a-隔热板；218b-垫板；218c-连接耳。具体实施方式为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。实施例1，参照图1至图2所示参照图1，本技术实施例提供一种氮化硅制备装置100，氮化硅制备装置100包括反应箱110、反应釜120、加热装置130和气体管140。反应箱110由四个箱侧壁111以及底板112和箱顶板113组成。四个箱侧壁111以及底板112和箱顶板113围成反应箱110的中间腔114。参考图2，箱侧壁111以及底板112和箱顶板113有多层结构复合而成，包括镜面层115、隔热层116和外壁层117；通过将镜面层115、隔热层116和外壁层117压合形成箱侧壁111以及底板112和箱顶板113的板体，有利于反应箱110的功能的发挥。镜面层115为靠近中间腔114的内层，当中间腔114的反应发生时，会有一定的热量辐射，而镜面层115能反射部分热量，有利于热量的汇聚；然后隔热层116的设置，能较好的保证中间腔114内的热量不会散失掉，有利于中间腔114的热量的保持和温度的稳定，能较好的保证反应的高效有序进行。外壁层117为反应箱110提供强度的保证，形成反应箱110的骨架，能较好的保证反应箱110的结构的稳定。反应釜120选用石墨坩埚反应器，石墨坩埚反应器能耐较高的高温，而氮化硅在制备的过程中，反应温度较好，所以选择石墨坩埚反应器作为反应釜120。氮化硅粉末的气相法制备中，通过SiCl4与NH3气体直接在高温下反应生成Si3N4，以及副产物NH4Cl，而在高温下很快升华分解。其化学反应式为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硅制备装置，其特征在于，包括：反应箱，所述反应箱由箱侧壁、底板和箱顶板构成，所述箱侧壁、所述底板和所述箱顶板围成中间腔；反应釜，所述反应釜设置于所述中间腔，所述反应釜与所述底板固定连接；加热装置，所述加热装置加热所述反应釜中的反应原料；气体管，所述气体管设置于所述底板，所述气体管与所述中间腔连通。

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅制备装置，其特征在于，包括：反应箱，所述反应箱由箱侧壁、底板和箱顶板构成，所述箱侧壁、所述底板和所述箱顶板围成中间腔；反应釜，所述反应釜设置于所述中间腔，所述反应釜与所述底板固定连接；加热装置，所述加热装置加热所述反应釜中的反应原料；气体管，所述气体管设置于所述底板，所述气体管与所述中间腔连通。2.根据权利要求1所述的氮化硅制备装置，其特征在于，所述箱侧壁、所述底板和所述箱顶板均包括镜面层、隔热层和外壁层，所述镜面层为靠近所述中间腔的内层。3.根据权利要求1所述的氮化硅制备装置，其特征在于，所述反应釜为坩埚反应器。4.根据权利要求3所述的氮化硅制备装置，其特征在于，所述底板设置有底砧，所述坩埚反应器通过所述底砧与所述底板连接。5.根据权利要求4所述的氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜井意，杜建周，黄燕梅，杨子润，
申请(专利权)人：江苏东浦精细陶瓷科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32