在气相反应器中合成硅-碳复合材料制造技术

技术编号:19906926 阅读:51 留言:0更新日期:2018-12-26 04:00
本发明专利技术提供了制造硅‑SiC复合材料粉末的方法,其中将气体料流I和同轴气体料流II送入到热壁反应器中,气体料流I含有SiH4、Si2H6和/或Si3H8和至少一种选自乙烯和/或乙炔的烃,同轴气体料流II含有氢气,其中气体料流II相对于气体料流I形成夹套料流,并使至少气体料流I在900℃至1100℃的温度下反应,并随后在热壁反应器的出口处将反应混合物冷却或使其冷却,并将粉状反应产物与气态物质分离。

【技术实现步骤摘要】
在气相反应器中合成硅-碳复合材料
本专利技术涉及用于制造硅-碳复合材料的方法,其可用作锂离子电池组中的复合材料或阳极材料。
技术介绍
硅复合材料作为锂离子电池组中的阳极材料具有很大的潜力。由于在重复充电/放电过程中硅的体积变化大,这些硅复合材料不能用作阳极材料。因此已经进行了大量努力,通过使用硅-石墨、石墨烯-纳米硅、硅-碳纳米管、硅-碳纳米线、用硅包封的碳和用碳包封的硅的复合材料来改进循环稳定性。制造这些复合材料的方法例如是热解、研磨或CVD法(Zhang等,Nanoscale,5(2013)5384和Kasavajjula等,JournalPowerSources163(2007)1003)。Magasinki等,Nat.Mater.9(2010)353描述了在两阶段CVD法中由单硅烷和丙烯起始制造硅-碳复合材料。在第一步中,通过在700℃下在真空下将SiH4/He混合物引入管式反应器中,将硅施加在载体上。随后,通过在上述条件下将丙烯引入管式反应器中,将碳施加在该硅上。WO2011/006698公开了制造纳米结构化的硅-碳复合材料的方法,其中将亚微硅粉添加到通过羟基芳族化合物与醛本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.制造硅‑SiC复合材料粉末的方法,其特征在于:a)将气体料流I和同轴气体料流II送入到热壁反应器中,气体料流I含有至少一种选自SiH4、Si2H6和/或Si3H8的硅烷和含有至少一种选自乙烯和/或乙炔的烃,同轴气体料流II含有氢气,其中气体料流II相对于气体料流I形成夹套料流,并且b)使至少气体料流I在900℃至1100℃的温度下反应,并随后在热壁反应器的出口处将反应混合物冷却或使其冷却,并将粉状反应产物与气态物质分离。

【技术特征摘要】
2017.06.14 EP 17176040.81.制造硅-SiC复合材料粉末的方法,其特征在于:a)将气体料流I和同轴气体料流II送入到热壁反应器中,气体料流I含有至少一种选自SiH4、Si2H6和/或Si3H8的硅烷和含有至少一种选自乙烯和/或乙炔的烃,同轴气体料流II含有氢气,其中气体料流II相对于气体料流I形成夹套料流,并且b)使至少气体料流I在900℃至1100℃的温度下反应,并随后...

【专利技术属性】
技术研发人员:JE朗H维格斯C舒尔斯H奥尔特纳J科瓦塞维奇
申请(专利权)人:赢创德固赛有限公司
类型:发明
国别省市:德国,DE

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