一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，包括：发光外延层；设置于发光外延层的发光面一侧、且位于P型区的P型电极，及设置于发光外延层的发光面一侧、且位于N型区的N型电极；覆盖P型电极的侧面的第一粘附层，及覆盖N型电极的侧面的第二粘附层；覆盖发光外延层的发光面一侧裸露面、第一粘附层的侧面和第二粘附层的侧面的钝化层。本实用新型专利技术提供的技术方案，减小P型电极和N型电极与外界环境接触的面积，改善发光二极管芯片的电极的电迁移现象，提高发光二极管芯片的使用寿命；通过第一粘附层和第二粘附层分别将电极和钝化层之间粘附固定，提高了电极与钝化层之间的粘附能力，减小钝化层自电极侧面脱落的几率。

【技术实现步骤摘要】
一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片
本技术涉及发光二极管
，更为具体的说，涉及一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管(英文为LightEmittingDiode，简称LED)是半导体二极管的一种，它能将电能转化为光能，发出黄、绿、蓝等各种颜色的可见光及红外和紫外不可见光。与小白炽灯泡及氖灯相比，它具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且可方便调节发光亮度等优点。现有显屏模组所使用的小尺寸蓝绿LED芯片，其主要包括衬底、N型半导体、有源区、P型半导体，透明导电层、钝化层、P型电极和N型电极。由于显屏模组在使用时，模组内的LED芯片会长期处于逆偏压(通常为-5V)条件下。组成P型电极和N型电极的金属层容易在逆偏压下被空气中的水汽水解析出，使得LED芯片的电极发生电迁移现象，进而使得使电极脱落，导致死灯情况出现。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，通过第一粘附层、第二粘附层和钝化层对应将P型电极和N型电极的侧面覆盖进行保护，减小P型电极和N型电极与外界环境接触的面积，进而改善发光二极管芯片的电极的电迁移现象，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，包括：发光外延层，所述发光外延层的发光面包括P型区和N型区；设置于所述发光外延层的发光面一侧、且位于所述P型区的P型电极，及设置于所述发光外延层的发光面一侧、且位于所述N型区的N型电极；覆盖所述P型电极的侧面的第一粘附层，及覆盖所述N型电极的侧面的第二粘附层；以及，覆盖所述发光外延层的发光面一侧裸露面、所述第一粘附层的侧面和所述第二粘附层的侧面的钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，包括：发光外延层，所述发光外延层的发光面包括P型区和N型区；设置于所述发光外延层的发光面一侧、且位于所述P型区的P型电极，及设置于所述发光外延层的发光面一侧、且位于所述N型区的N型电极；覆盖所述P型电极的侧面的第一粘附层，及覆盖所述N型电极的侧面的第二粘附层；以及，覆盖所述发光外延层的发光面一侧裸露面、所述第一粘附层的侧面和所述第二粘附层的侧面的钝化层。2.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一粘附层和/或所述第二粘附层为金属粘附层或TiN层。3.根据权利要求2所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属粘附层为Ti层或Al层。4.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一粘附层和所述第二粘附层的厚度范围均为5埃-500埃，包括端点值。5.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一粘附层和所述第二粘附层的侧面均为粗化面。6.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述钝化层为Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兆，吕奇孟，周弘毅，杨国武，霍子曦，曹衍灿，唐浩，胡慧琴，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36