The invention relates to the chip field, and provides a hidden conductive gate structure chip and a preparation method thereof. The hidden conductive gate structure chip consists of substrate, epitaxy layer, Gap transition layer, Gap high doping layer, conductive layer and electrode. Epitaxy layer, Gap transition layer and Gap high doping layer grow on the substrate from bottom to top in turn. The conductive layer is the AuBe layer growing on Gap high doping layer, which melts and expands from top to bottom on the surface of Gap high doping layer. The Gap transition layer is formed and the conductive layer contacts the electrode. The high temperature fusion of Au and Be on the surface of high doped Gap layer makes Au and Be diffuse to the lower GaP transition layer, which makes the surface rough and free of metal occlusion, and is conducive to improving the light yield and surface conductivity. The preparation method is simple and easy to realize. The equipment can be realized according to the conventional requirements. The light output efficiency of the hidden conductive gate structure chip is high.
【技术实现步骤摘要】
隐藏式导电栅线结构芯片及其制备方法
本专利技术涉及芯片领域,具体而言,涉及一种隐藏式导电栅线结构芯片及其制备方法。
技术介绍
目前四元系芯片大多在外延表面沉积GaP后,制作表面电极。现有技术若在普通较大尺寸的芯片上必然得使用金属栅线进行导电,然而金属栅线越多导致金属遮光面积越大,导致亮度越低。
技术实现思路
本专利技术的目的,例如包括提供一种隐藏式导电栅线结构芯片,其表面没有金属遮光而且欧姆熔合还使得表面有粗化效果提高亮度。本专利技术的目的还包括提供一种隐藏式导电栅线结构芯片的制备方法,该制备方法简单,容易实现,获得的隐藏式导电栅线结构芯片的出光效率高。为了实现上述至少一种目的,本专利技术的实施例采用如下技术方案:一种隐藏式导电栅线结构芯片,其包括衬底、外延层、Gap过渡层、Gap高掺杂层、导电层以及电极,外延层、Gap过渡层和Gap高掺杂层依次从下至上生长于衬底,导电层是经生长于Gap高掺杂层上的AuBe层从Gap高掺杂层的表面从上至下熔合扩散至Gap过渡层形成,导电层与电极接触。可选地,在本专利技术的其他实施例中,上述Gap过渡层为掺Mg的Gap过渡层,Gap过渡层中Mg的掺杂浓度为5E18-6E19个原子/cm3。可选地,在本专利技术的其他实施例中,上述Gap高掺杂层为掺Mg的Gap高掺杂层,Gap高掺杂层中Mg的掺杂浓度大于6E19个原子/cm3。可选地,在本专利技术的其他实施例中,上述Gap过渡层的厚度为1-4um。可选地,在本专利技术的其他实施例中,上述Gap高掺杂层的厚度为0.1-0.4um。一种隐藏式导电栅线结构芯片的制备方法,其包括:在衬底上 ...
【技术保护点】
1.一种隐藏式导电栅线结构芯片,其特征在于,其包括衬底、外延层、Gap过渡层、Gap高掺杂层、导电层以及电极,所述外延层、所述Gap过渡层和所述Gap高掺杂层依次从下至上生长于所述衬底,所述导电层是经生长于所述Gap高掺杂层上的AuBe层从所述Gap高掺杂层的表面从上至下熔合扩散至所述Gap过渡层形成,所述导电层生长于所述Gap高掺杂层且与所述电极接触。
【技术特征摘要】
1.一种隐藏式导电栅线结构芯片,其特征在于,其包括衬底、外延层、Gap过渡层、Gap高掺杂层、导电层以及电极,所述外延层、所述Gap过渡层和所述Gap高掺杂层依次从下至上生长于所述衬底,所述导电层是经生长于所述Gap高掺杂层上的AuBe层从所述Gap高掺杂层的表面从上至下熔合扩散至所述Gap过渡层形成,所述导电层生长于所述Gap高掺杂层且与所述电极接触。2.根据权利要求1所述的隐藏式导电栅线结构芯片,其特征在于,所述Gap过渡层为掺Mg的Gap过渡层,所述Gap过渡层中Mg的掺杂浓度为5E18-6E19个原子/cm3。3.根据权利要求1所述的隐藏式导电栅线结构芯片,其特征在于,所述Gap高掺杂层为掺Mg的Gap高掺杂层,所述Gap高掺杂层中Mg的掺杂浓度大于6E19个原子/cm3。4.根据权利要求1所述的隐藏式导电栅线结构芯片,其特征在于,所述Gap过渡层的厚度为1-4um。5.根据权利要求1所述的隐藏式导电栅线结构芯片,其特征在于,所述Gap高掺杂层的厚度为0.1-0.4um。6.一种隐藏式导电栅线结构芯片的制备方法,其特征在于,其包括:在衬底上生长外延层;在所述外延层表面生长Gap过渡层;在所述Gap过渡层的表面生长Gap高掺杂层;在所述Gap高掺杂层的表面进行光刻并蒸镀形成AuBe层;对所述AuBe层进行熔...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹广亮,贾钊,赵炆兼,郭冠军,马祥柱,
申请(专利权)人:扬州乾照光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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