一种发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管，包括半导体层序列，其具有在第一导电类型的层和第二导电类型的层之间的、设计用于产生第一峰值波长的第一光的有源层，第一导电类型的层位于半导体层序列的正方向一侧，第二导电类型的层部分裸露，设置在半导体层序列的正方向及侧壁上的波长转换层，波长转换层吸收从半导体层序列发射的第一光并发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光；第二电极与波长转换层位于发光二极管的同侧，第二电极到半导体层序列的侧壁的距离不小于50μm，解决半导体序侧壁漏出第一光的问题，提高了发光二极管的出光均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管
本专利技术属于发光半导体器件领域，具体涉及通过波长转换制备的发光二极管。
技术介绍
参看图1，常规发光二极管的芯粒设计方案中，第二电连接层与半导体层序列的侧壁的间距会保持在10~20μm，以保留尽量多的发光区面积而提升产品亮度。但是在这种设计下，当芯粒封装打线后，在进行贴荧光胶膜作业时，荧光胶膜容易被第二电连接层阻挡，导致荧光胶膜与半导体层序列贴合得不够紧密，从而产生侧面漏蓝光的问题。
技术实现思路
本专利技术就是针对
技术介绍
的问题提出一种可行的解决方案，通过此方案可以解决在贴合荧光胶膜过程中，侧面漏蓝光的问题。本专利技术提供了一种发光二极管，包括半导体层序列，其具有在第一导电类型的层和第二导电类型的层之间的、设计用于产生第一峰值波长的第一光的有源层，第一导电类型的层位于半导体层序列的正方向一侧，第二导电类型的层部分裸露；与第二导电类型的层的裸露部分设置有第二电极；设置在半导体层序列的正方向及侧壁上的波长转换层，波长转换层吸收从半导体层序列发射的第一光并至少发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光；第二电极与波长转换层位于发光二极管的同侧；第二电极到半导体层序列的侧壁的距离不小于50μm。根据本专利技术，优选的，波长转换层为荧光粉、荧光胶或者荧光陶瓷。根据本专利技术，优选的，第一导电类型的层的边缘具有倒角。根据本专利技术，优选的，第二电极周边具有挡墙结构。本专利技术还提供了另一种发光二极管，包括半导体层序列，其具有在第一导电类型的层和第二导电类型的层之间的、设计用于产生第一峰值波长的第一光的有源层，第一导电类型的层位于半导体层序列的正方向一侧；与第一导电类型的层连接的第一电连接层；与第二导电类型的层连接的第二电连接层，第二电连接层部分裸露，第二电连接层的裸露部分具有第二电极；半导体层序列包含至少一个凹处，凹处从半导体层序列的与正方向一侧对置的背方向一侧穿过有源层延伸到第一导电类型的层；借助第一电连接层穿过凹处来电连接第一导电类型的层，其中第一电连接层至少局部地覆盖半导体层序列的背侧，覆盖半导体序列的背侧的第一电连接层构成第一电极；第一电连接层与第二电连接层借助凹处的绝缘层，彼此电绝缘；设置在半导体层序列的正方向及侧壁上的波长转换层，波长转换层吸收从半导体层序列发射的第一光并至少发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光；第二电极与波长转换层位于发光二极管的同侧；第二电极到半导体层序列的侧壁的距离不小于50μm。根据该实施例，优选的，第二电连接层包括第二导电金属氧化层、第二金属层或第二半导体层。根据该实施例，优选的，波长转换层为荧光粉、荧光胶或者荧光陶瓷。根据该实施例，优选的，波长转换层的厚度范围为30~100μm或者100~300μm。根据该实施例，优选的，有源层受激发出的第一光波长范围为350~445nm或者445~480nm。根据该实施例，优选的，第一导电类型的层的边缘具有倒角。根据该实施例，优选的，第二电极到半导体层序列的侧壁的距离不大于200μm。根据该实施例，优选的，第一电连接层完全覆盖半导体层序列的背侧，第一电连接层为不透光材料。在一些实施例中，优选的，第二电极周边具有挡墙结构。在该些实施例中，优选的，挡墙结构的高度范围为挡墙结构的高度范围为从比半导体序列高度小1μm到比半导体序列高度大1μm。在该些实施例中，优选的，挡墙结构的材料包括半导体、金属、绝缘体。在该些实施例中，优选的，第二电极在挡墙内呈U型分布。在该些实施例中，优选的，第二电极至少部分设置在挡墙上。在该些实施例中，优选的，挡墙与第二电连接层的接触面积为第二电极与第二电接层的接触面积的0.5至1倍或者1至4倍。在该些实施例中，优选的，第一电连接层包括脆性导电基板。在该些实施例中，优选的，脆性导电基板的伸长率不大于5%。在该些实施例中，优选的，第一电连接层的材料包括硅、锗或者砷化镓。本专利技术的有益效果，至少包括：（1）加大第二电极到半导体层序列的侧壁的距离，避免波长转换层受到第二电极阻挡，解决侧面漏出第一峰值波长的第一光的问题；（2）该结构与具有绝缘层通道的半导体序列结合，封装过程中，无需对第一电极进行打线工艺，在半导体层序列的正方向一侧粘附波长转换层时，减少第一电极对波长转换层的粘附造成阻碍，也提高了发光二极管的功率，同时该结构由于第一电连接层包括不透光的导电基板，大幅减小了出光侧壁的面积，更有利于采用覆盖波长转换层；（3）本专利技术适合采用类似荧光陶瓷等脆性强的波长转换层材料，为荧光陶瓷预留较大的转折空间，并且荧光陶瓷在高功率产品中体现良好的耐高温特性；（4）倒角结构有利于减小波长转换层在半导体序列的边缘处受到的应力，保证波长转换层的厚度均匀性，从而提高经转换后第二峰值波长的第二光的均匀性；（5）第二电极周边具有挡墙结构，如果在第二电极附近，存在波长转换层轻微贴合不紧密的问题，可以起到反射或吸收第一峰值波长的第一光的作用；（6）利用半导体序列的半导体材料制作挡墙，缩短发光二极管器件的制作周期，提高生产效率；（7）第二电极在挡墙内呈U型分布，可减少贵金属的用量，从而降低生产成本；（8）第二电极部分设置在挡墙上，利用挡墙作为缓冲结构，减小封装打线时，对脆性基板的冲击。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。图1为现有技术的发光二极管的示意图；图2为实施例1中发光二极管示意图；图3、4为实施例1中发光二极管的一些变形实施例的示意图；图5为实施例2的发光二极管示意图；图6为实施例3的发光二极管示意图；图7为实施例4的发光二极管示意图；图8为实施例5的发光二极管示意图；图9为实施例5中发光二极管的一些变形实施例的示意图；图中标示：100、半导体层序列，101、凹处，102、侧壁，103、绝缘层，110、第一导电类型的层，111、倒角，120、第二导电类型的层，130、有源层，210、第一电极，220、第二电极，221、挡墙，230、金球，300、波长转换层，410、第一电连接层，411、基板，412、填充金属，420、第二电连接层。具体实施方式以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。应当理解，本专利技术所使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，而不是旨在限制本专利技术。进一步理解，当在本专利技术中使用术语“包含”、"包括"时，用于表明陈述的特征、整体、步骤、和/或的存在，而不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、和/或它们的组合的存在或增加。参看图2，在第一个实施例中，提供了一种发光二极管，包括在基板411上设置的半导体层序列100，其具有在第一导电类型的层110和第二导电类型的层120之间的、设计用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，包括半导体层序列，其具有在第一导电类型的层和第二导电类型的层之间的、设计用于产生第一峰值波长的第一光的有源层，第一导电类型的层位于半导体层序列的正方向一侧，第二导电类型的层部分裸露；与第二导电类型的层的裸露部分设置有第二电极；设置在半导体层序列的正方向及侧壁上的波长转换层，波长转换层吸收从半导体层序列发射的第一光并至少发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光；第二电极与波长转换层位于发光二极管的同侧；其特征在于：第二电极到半导体层序列的侧壁的距离不小于50μm。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括半导体层序列，其具有在第一导电类型的层和第二导电类型的层之间的、设计用于产生第一峰值波长的第一光的有源层，第一导电类型的层位于半导体层序列的正方向一侧，第二导电类型的层部分裸露；与第二导电类型的层的裸露部分设置有第二电极；设置在半导体层序列的正方向及侧壁上的波长转换层，波长转换层吸收从半导体层序列发射的第一光并至少发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光；第二电极与波长转换层位于发光二极管的同侧；其特征在于：第二电极到半导体层序列的侧壁的距离不小于50μm。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：波长转换层包括荧光粉、荧光胶或者荧光陶瓷。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：第一导电类型的层的边缘具有倒角。4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：第二电极周边具有挡墙结构。5.一种发光二极管，包括半导体层序列，其具有在第一导电类型的层和第二导电类型的层之间的、设计用于产生第一峰值波长的第一光的有源层，第一导电类型的层位于半导体层序列的正方向一侧；与第一导电类型的层连接的第一电连接层；与第二导电类型的层连接的第二电连接层，第二电连接层部分裸露，第二电连接层的裸露部分具有第二电极；半导体层序列包含至少一个凹处，凹处从半导体层序列的与正方向一侧对置的背方向一侧穿过有源层延伸到第一导电类型的层；借助第一电连接层穿过凹处来电连接第一导电类型的层，其中第一电连接层至少局部地覆盖半导体层序列的背侧，覆盖半导体序列的背侧的第一电连接层构成第一电极；第一电连接层与第二电连接层借助凹处的绝缘层，彼此电绝缘；设置在半导体层序列的正方向及侧壁上的波长转换层，波长转换层吸收从半导体层序列发射的第一光并至少发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光；第二电极与波长转换层位于发光二极管的同侧；其特征在于：第二电极到半导体层序列的侧壁的距离不小于50μm。6.根据权利要求5所述的一种发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨力勋，蔡琳榕，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35