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本发明涉及芯片领域，提供了一种隐藏式导电栅线结构芯片及其制备方法。该隐藏式导电栅线结构芯片包括衬底、外延层、Gap过渡层、Gap高掺杂层、导电层以及电极，外延层、Gap过渡层和Gap高掺杂层依次从下至上生长于衬底，导电层是经生长于Gap高掺...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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