一种垂直结构的LED器件及其制造方法技术

提供一种垂直结构的LED器件，包括半导体发光层以及分别设置在发光层内侧和外侧的第一电极和第二电极，所述第一电极上设有由软磁性金属构成的软磁层。上述LED器件用于制造微LED显示器时，能够更快速、高效地巨量转移到驱动电路基层上而形成LED阵列装置。除此之外，本发明专利技术还提供了一种上述LED器件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构的LED器件及其制造方法
本专利技术涉及一种LED器件，尤其是一种垂直结构的LED器件，本专利技术还涉及上述LED器件的制造方法。
技术介绍
诸如micro-LED或mini-LED的微LED显示器一般为将巨量微小的LED(发光二极管)转移并键合到驱动电路基层上所构成的显示器。在现有技术中，将巨量微小的LED器件转移并键合到驱动电路基层上以构成作为微LED显示器主体的LED阵列装置，一般是采用转移头对逐个(或多批)LED器件进行转移的方法来实现的，其转移速度慢、效率低，很难实现微LED显示器的量产化。由此，在微LED显示器的制造中，如何更高效地将巨量微小的LED器件转移并键合到驱动电路的基层上以形成LED阵列装置，是微LED显示器制造技术在目前所面临的一个重要问题。
技术实现思路
本专利技术的目的为提供一种垂直结构的LED器件，其用于制造微LED显示器时，能够更快速、高效地巨量转移到驱动电路基层上而形成LED阵列装置，本专利技术还涉及一种上述LED器件的制造方法，所采用的技术方案如下：一种垂直结构的LED器件，其特征为：包括半导体发光层以及分别设置在发光层内侧和外侧的第一电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直结构的LED器件，其特征为：包括半导体发光层以及分别设置在发光层内侧和外侧的第一电极和第二电极，所述第一电极上设有由软磁性金属构成的软磁层。

【技术特征摘要】
2018.05.12 CN 20181045196651.一种垂直结构的LED器件，其特征为：包括半导体发光层以及分别设置在发光层内侧和外侧的第一电极和第二电极，所述第一电极上设有由软磁性金属构成的软磁层。2.如权利要求1所述的LED器件，其特征为：所述软磁层为由铁、镍、锰等磁性金属及其合金构成的软磁性金属层。3.如权利要求1所述的LED器件，其特征为：所述LED器件还包括键合层，所述键合层设置在软磁层表面，其为低熔点或软质的金属层。4.如权利要求3所述的LED器件，其特征为：所述键合层为铟、锡的金属层或以铟或锡为主要成分的合金层。5.如权利要求3所述的LED器件，其特征为：所述键合层为金、银的软质金属层。6.如权利要求3所述的LED器件，其特征为：所述键合层的厚度不超过软磁层的1/2。7.如权利要求1所述的LED器件，其特征为：所述软磁层处于LED器件偏内侧的位置。8.如权利要求7所述的LED器件，其特征为：所述软磁层的厚度不超过LED器件整体厚度的1/2。9.如权利要求7所述的LED器件，其特征为：所述软磁层与第一电极之间还垫设有无磁金属层。10.一种垂直结构的LED器件的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈奕，吕岳敏，
申请(专利权)人：汕头超声显示器技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44