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本实用新型公开了一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，包括：发光外延层；设置于发光外延层的发光面一侧、且位于P型区的P型电极，及设置于发光外延层的发光面一侧、且位于N型区的N型电极；覆盖P型电极的侧面的第一粘附层，及覆盖N型电极的侧面...
该专利属于江西乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西乾照光电有限公司授权不得商用。

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