成膜装置制造方法及图纸

提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜装置
本专利技术涉及成膜装置。
技术介绍
在从基板的上方供给Si原料气体、C原料气体而外延生长出SiC膜的成膜装置中，若在向反应室内导入前使Si原料气体与C原料气体混合，则会有如下问题：在导入部、壁面发生反应而附着沉积物，而成为颗粒源。因此，为了在反应室内混合，而提出了将Si原料气体、C原料气体分别从分离的多个配管向反应室供给的成膜装置。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015－5658号公报专利技术要解决的课题但是，在上述的构造中从分离的配管供给的气体可能会再次蔓延到配管，而在配管的导入口附着沉积物。因此，本专利技术人们发现了，将原料气体的供给管设为由内侧导管和外侧导管构成的双层管构造，从内侧导管供给Si原料气体、C原料气体，并从内侧导管与外侧导管之间供给净化气体，由此能够抑制气体的蔓延。由于设置配管的气体供给部在SiC等的高温过程中也会变得高温，因此配管需要使用用SiC等进行了涂层的碳等的耐热性高的材料。但是，在采用这种双层管构造时，为了抑制由热膨胀导致的变形，必须设为具有某程度的游隙的分离的构造。因此，难以维持内侧导管与外侧导管的位置精度。并且，在由于位置偏离从而形成了内侧导管与外侧导管互相接近的部位时，可能从该部位未充分供给净化气体，而发生沉积物的附着。并且，各导管的沉积物作为颗粒而落到基板上，从而存在使膜质恶化的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。用于解决课题的手段本专利技术的一个方式的成膜装置，具备：反应室，在基板上进行反应；以及供给部，配置在反应室的上方，至少将第1气体以及第2气体供给到基板上，供给部具备：第1隔壁；第2隔壁，以规定间隔设置在第1隔壁的下部；第3隔壁，以规定间隔设置在第2隔壁的下部；第1流路，设置在被导入第1气体的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路，设置在被导入第2气体的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面或第2配管的内周面，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。在上述的成膜装置中，可以是，凸部设置于第1配管的外周面，并朝向第2配管的内周面突出。在上述的成膜装置中，可以是，凸部设置在比第1配管以及第2配管的下端靠上方。在上述的成膜装置中，可以是，凸部具有在第1配管的中心轴方向上延伸的形状。在上述的成膜装置中，可以是，凸部的下端具有锥形。在上述的成膜装置中，可以是，凸部的径向的尺寸为，在由热导致的第1配管以及第2配管的变形后，凸部与第2配管的内周面不接触的尺寸。在上述的成膜装置中，可以是，第1配管的下端位于与第2配管的下端相同的高度。在上述的成膜装置中，可以是，凸部在第1配管的外周面在圆周方向上等相位地设置有3个以上。在上述的成膜装置中，可以是，第1配管具有随着趋向下方而内径渐增的锥形形状的下端部，第2配管具有直线形状。在上述的成膜装置中，可以是，第1配管以及第2配管具有随着趋向下方而内径渐增的锥形形状的下端部。专利技术的效果根据本专利技术，能够抑制气体的蔓延，能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生，能够防止形成的膜发生结晶缺陷。附图说明图1是表示第1实施方式的成膜装置的概略剖视图。图2A是第1实施方式的第1内侧导管的剖视图，图2B是图2A的第1内侧导管的仰视图。图3是第1实施方式的第2内侧导管的剖视图。图4是第2实施方式的双层管构造的导管的剖视图。图5是第3实施方式的双层管构造的导管的剖视图。图6是表示第4实施方式的成膜装置的概略剖视图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术涉及的实施方式进行说明。实施方式并不对本专利技术进行限定。(第1实施方式)图1是第1实施方式的成膜装置1的概略剖视图。图1的成膜装置1能够用于在作为基板的一例的SiC基板2上进行作为成膜处理的一例的SiC膜的外延生长。如图1所示，成膜装置1具备作为成膜室的一例的腔室3及供给部4。另外，成膜装置1具备旋转部51及气体排出部6。腔室3通过SUS等的金属形成为中空。腔室3例如具有大致圆筒形状。在保持为常压或减压的腔室3内，对SiC基板2上进行外延生长。供给部4配置在腔室3的上部。供给部4从腔室3的外部向腔室3的内部导入原料气体，并将所导入的原料气体向位于供给部4的D11方向(以下，记为下方)的SiC基板2上供给。供给部4的具体的构成后述。旋转部51配置在供给部4的下部的反应室33内。旋转部51载置基座(susceptor)51a并旋转。在基座51a上载置SiC基板2。在旋转部51的内部配置加热机构52。旋转部51与向下方延伸的管状的支承轴51b连接，支承轴51b与未图示的旋转机构连结。通过旋转机构，经由旋转部51来旋转基座51a。加热机构52通过例如电阻加热加热器等构成。加热机构52与在支承轴51b的内部通过的未图示的布线连接。加热机构52通过从布线被馈电而经由基座51a将SiC基板2从其背面加热。旋转部51在通过加热机构52对载置于基座51a上的SiC基板2加热的同时旋转。被供给到被加热后的SiC基板2上的原料气体，在SiC基板2的表面或其附近进行热分解反应以及氢还原反应。由此，在SiC基板2上外延生长出SiC膜。另外，SiC基板2旋转，从而能够使SiC膜的生长速度在SiC基板2的面内均匀化。由此，能够提高SiC基板2的面内的SiC膜的膜厚的均匀性(以下，也称为面内均匀性)。气体排出部6被设置于比基座51a靠下方例如腔室3的侧壁31。气体排出部6将反应副生成物、通过SiC基板2后的未反应气体等排出。另外，能够通过未图示的泵从气体排出部6进行真空吸引，能够适当调整腔室3内的气氛压力。(供给部4)接下来，对供给部4的具体的构成例进行说明。如图1所示，供给部4具有作为隔壁的一例的腔室3的上壁32以及第1～第4气体隔板401～404、作为第1配管的一例的第1、第2内侧导管411、412、作为第2配管的一例的第1、第2外侧导管421、422。为了能够耐受高温的反应过程，它们通过例如被进行了SiC涂层的碳来形成。(气体隔板401～404)第1～第4气体隔板401～404从腔室3的上壁32起向下方依次以规定的间隔配置。并且，在第1～第4气体隔板401～404与腔室3的上壁32各自之间设置独立的气体的流路。具体而言，在作为第1隔壁的一例的腔室3的上壁32与作为第2隔壁的一例的第1气体隔板401之间，设置有作为第1流路的一例的第1导入通路431。第1导入通路431导入含有Si的Si类原料气体。在第1导入通路431的上游端的腔室3的侧壁31，设置有与第1导入通路431连通的第1导入口441。在第1导入口441，连接有未图示的Si类原料气体的气体源。另外，通过未图示的流量调整机构，调整从气体源对第1导入口441供给的Si类原料气体的流量。作为Si类原料气体，除了能够使用例如硅烷(SiH4)作为硅烷类气体以外，也能够使用SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4等的含氯的气体。另外，作为Si类原料气体，可以使用对硅烷添加了HCl的气体。另外，在第1气体隔板401本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，具备：反应室，在基板上进行反应；以及供给部，配置在上述反应室的上方，至少将第1气体以及第2气体供给到上述基板上，上述供给部具有：第1隔壁；第2隔壁，以规定间隔设置在上述第1隔壁的下部；第3隔壁，以规定间隔设置在上述第2隔壁的下部；第1流路，设置在供上述第1气体导入的上述第1隔壁与上述第2隔壁之间；第2流路，设置在供上述第2气体导入的上述第2隔壁与上述第3隔壁之间；第1配管，从上述第2隔壁一直到上述第3隔壁的下方，与上述第1流路连通；第2配管，设置为包围上述第1配管，从上述第3隔壁一直到上述第3隔壁的下方，与上述第2流路连通；以及凸部，设置在上述第1配管的外周面或上述第2配管的内周面，从上述第1配管的外周面以及上述第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.01 JP 2016-0392701.一种成膜装置，具备：反应室，在基板上进行反应；以及供给部，配置在上述反应室的上方，至少将第1气体以及第2气体供给到上述基板上，上述供给部具有：第1隔壁；第2隔壁，以规定间隔设置在上述第1隔壁的下部；第3隔壁，以规定间隔设置在上述第2隔壁的下部；第1流路，设置在供上述第1气体导入的上述第1隔壁与上述第2隔壁之间；第2流路，设置在供上述第2气体导入的上述第2隔壁与上述第3隔壁之间；第1配管，从上述第2隔壁一直到上述第3隔壁的下方，与上述第1流路连通；第2配管，设置为包围上述第1配管，从上述第3隔壁一直到上述第3隔壁的下方，与上述第2流路连通；以及凸部，设置在上述第1配管的外周面或上述第2配管的内周面，从上述第1配管的外周面以及上述第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。2.如权利要求1所述的成膜装置，其中，上述凸部设置在上述第1配管的外周面，朝向上述第2配管的内周面突出。3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木邦彦，池谷尚久，深田启介，伊藤雅彦，镰田功穗，土田秀一，藤林裕明，上东秀幸，内藤正美，原一都，青木宏文，小泽隆弘，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，昭和电工株式会社，一般财团法人电力中央研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP