晶圆切割方法技术

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆切割方法。所述晶圆切割方法包括：在待切割的晶圆未制作器件的一面贴划片膜；使用装配于划片机的第一轴上的金刚石划片刀在所述晶圆制作有器件的一面进行划片切割，形成位于所述器件之间的切割槽；使用装配于所述划片机的第二轴上的金刚石划片刀在所述晶圆形成所述切割槽的位置进行划片切割；其中，装配于所述第一轴上的金刚石划片刀在所述晶圆制作有器件的一面的第一切割厚度与装配于所述第二轴上的金刚石划片刀在所述晶圆形成所述切割槽的位置的第二切割厚度之和大于或者等于所述晶圆的总厚度。从而降低晶圆切割成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆切割方法
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种晶圆切割方法。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路(IntegratedCircuit，IC)器件。晶圆上往往集成有多个器件，在需要分离出单个器件时，需要对晶圆进行切割。而根据所沉积的金属不同，所形成的晶圆种类较多，其中某些晶圆，如沉积碳化硅SIC所形成的晶圆硬度较高，切割成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，本公开的目的在于提供一种晶圆切割方法。第一方面，本公开提供一种晶圆切割方法，包括：在待切割的晶圆未制作器件的一面贴划片膜；使用装配于划片机的第一轴上的金刚石划片刀在所述晶圆制作有器件的一面进行划片切割，形成位于所述器件之间的切割槽；使用装配于所述划片机的第二轴上的金刚石划片刀在所述晶圆形成所述切割槽的位置进行划片切割；其中，装配于所述第一轴上的金刚石划片刀在所述晶圆制作有器件的一面的第一切割厚度与装配于所述第二轴上的金刚石划片刀在所述晶圆形成所述切割槽的位置的第二切割厚度之和大于或者等于所述晶圆的总厚度。可选地，所述划片机为对8英寸以上晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括：在待切割的晶圆未制作器件的一面贴划片膜；使用装配于划片机的第一轴上的金刚石划片刀在所述晶圆制作有器件的一面进行划片切割，形成位于所述器件之间的切割槽；使用装配于所述划片机的第二轴上的金刚石划片刀在所述晶圆形成所述切割槽的位置进行划片切割；其中，装配于所述第一轴上的金刚石划片刀在所述晶圆制作有器件的一面的第一切割厚度与装配于所述第二轴上的金刚石划片刀在所述晶圆形成所述切割槽的位置的第二切割厚度之和大于或者等于所述晶圆的总厚度。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括：在待切割的晶圆未制作器件的一面贴划片膜；使用装配于划片机的第一轴上的金刚石划片刀在所述晶圆制作有器件的一面进行划片切割，形成位于所述器件之间的切割槽；使用装配于所述划片机的第二轴上的金刚石划片刀在所述晶圆形成所述切割槽的位置进行划片切割；其中，装配于所述第一轴上的金刚石划片刀在所述晶圆制作有器件的一面的第一切割厚度与装配于所述第二轴上的金刚石划片刀在所述晶圆形成所述切割槽的位置的第二切割厚度之和大于或者等于所述晶圆的总厚度。2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述划片机为对8英寸以上晶圆进行划片切割的全自动划片机。3.根据权利要求2所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第一轴和第二轴的转速为25000～30000rpm/min，所述金刚石划片刀的切割速度为2～3mm/s，所述第二轴装配的金刚石划片刀在所述晶圆形成所述切割槽的位置的第二切割厚度为30um～40um，所述第一轴装配的金刚石划片刀在所述晶圆制作有器件的一面的第一切割厚度大于或者等于所述晶圆的总厚度与所述第二切割厚度之差。4.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述晶圆置于所述划片机的工作台，对所述晶圆进行切割时，所述工作台的移动方...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜林，王洪云，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33