半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置包括衬底。衬底被III‑V族化合物半导体层上覆。衬底包括电路区及密封环区。密封环区环绕电路区。密封环结构设置在密封环区中。密封环结构包括环绕电路区的第一通孔结构。第一通孔结构延伸穿过衬底的一部分及III‑V族化合物半导体层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
技术介绍
III/V族化合物半导体(一般称为III-V族化合物半导体)近年来因其在电子及光电子装置中的良好应用前景而受到大量研究。此类III-V族化合物半导体的大的能带隙及高的电子饱和速度使得其成为用于高温、高速率、及/或高功率电子/光电子应用中的优异候选者。采用此类III-V族化合物半导体的电子装置的各种实例包括高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor，HEMT)及其他异质结双极型晶体管(heterojunctionbipolartransistor)。采用此类III-V族化合物半导体的光电子装置的各种实例包括蓝色发光二极管(lightemittingdiode，LED)、激光二极管、及紫外(UV)光检测器。一般来说，此类装置形成在一个或多个外延生长的III-V族化合物半导体(例如，氮化钾(GaN))膜上，所述膜因硅与其他生长衬底相比具有较低成本且具有加工兼容性而生长于晶片级IV族半导体衬底(例如，硅晶片)上。在通常包括数百万个晶粒的晶片上的各晶粒中形成所述装置之后，执行例如至少一种晶粒准备工艺(例如，锯切工艺、激光切割工艺等)，以使所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，被III‑V族化合物半导体层上覆，所述衬底包括电路区及密封环区，所述密封环区环绕所述电路区；以及密封环结构，设置在所述密封环区中，其中所述密封环结构包括环绕所述电路区的第一通孔结构，所述第一通孔结构延伸穿过所述衬底的一部分及所述III‑V族化合物半导体层。

【技术特征摘要】
2017.05.18 US 15/598,6441.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，被III-V族化合物半导体层上覆，所述衬底包括电路区及密封...

【专利技术属性】
技术研发人员：张铭宏，褚伯韬，王升平，郭建利，陈仲诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71