阵列基板中双层金属层的制造方法以及阵列基板技术

本公开涉及一种阵列基板中双层金属层的制造方法及阵列基板，该方法包括：在阵列基板上形成第一金属层图案；在所述第一金属层图案上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成过孔；在所述阵列基板上形成双层金属层，所述双层金属层包括下层金属层和上层金属层，所述下层金属层通过所述过孔与所述第一金属层图案接触；在所述阵列基板上形成光刻胶，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案，并通过灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物；通过使所述氧化物与光刻胶剥离液反应，去除所述氧化物以及所述光刻胶，以暴露出所述过孔中的下层金属层。采用本申请的方案，可以克服由于金属氧化导致的搭接不良进而影响TFT工艺良率的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板中双层金属层的制造方法以及阵列基板
本公开涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板中双层金属层的制造方法以及阵列基板。
技术介绍
常规应用于液晶显示(LCD)面板阵列基板中的金属导线为铝导线，而阵列基板的性能特征和运行特性部分很大程度上取决于形成阵列基板各元件的材料。随着TV等显示终端大尺寸化、高PPI(每英寸像素)以及驱动频率高速化的趋势及要求，面板开发商不得不面对阵列系统中电阻以及电阻/电容时间延迟及电迁移率低等问题。铝导线较高的电阻率(～4μΩ·cm)使得TFT(薄膜晶体管)像素在高频率下不能充分充电，而这种问题随高频寻址(≥120Hz)的广泛应用会更加明显。铜导线相对于铝具有较低的电阻率(～2μΩ·cm)及良好的抗电迁移能力，吸引了诸多材料及制程工程师兴趣并进行了较为深入的开发。但在刻蚀制程中，经过等离子体刻蚀，铜金属层会生成氟化铜(CuFx)和氯化铜(CuClx)，在200℃以下为固体，不会气化，因此铜金属无法以干法刻蚀的方式制作出导线图案。因此，发展用于铜金属湿刻蚀的刻蚀液变地尤为重要。此外，铜在200℃以下通过互扩散易于与硅反应生成具有CuSi3的化合物，产生很高的接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板中双层金属层的制造方法，包括：在阵列基板上形成第一金属层图案；在所述第一金属层图案上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成过孔；在所述阵列基板上形成双层金属层，所述双层金属层包括下层金属层和上层金属层，所述下层金属层通过所述过孔与所述第一金属层图案接触；在所述阵列基板上形成光刻胶，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案，并通过灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物；通过使所述氧化物与光刻胶剥离液反应，去除所述氧化物以及所述光刻胶，以暴露出所述过孔中的下层金属层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板中双层金属层的制造方法，包括：在阵列基板上形成第一金属层图案；在所述第一金属层图案上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成过孔；在所述阵列基板上形成双层金属层，所述双层金属层包括下层金属层和上层金属层，所述下层金属层通过所述过孔与所述第一金属层图案接触；在所述阵列基板上形成光刻胶，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案，并通过灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物；通过使所述氧化物与光刻胶剥离液反应，去除所述氧化物以及所述光刻胶，以暴露出所述过孔中的下层金属层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述阵列基板上形成光刻胶，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案，并通过灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物，包括：利用半色调掩模板，形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域以及光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域对应于所述过孔，所述光刻胶完全保留区域对应于需要完全保留所述下层金属层和上层金属层的区域，所述光刻胶完全去除区域对应于需要完全去除所述下层金属层和上层金属层的区域；去除未被光刻胶覆盖的区域的上层金属层和下层金属层，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案；通过灰化工艺，去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶，减薄所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，并将通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物。3.根据权利要求2所述的方法，其中，通过灰化工艺，去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶，减薄所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，并将通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物，包括：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，徐德智，王一军，段献学，张志海，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11