半导体装置封装及其制造方法制造方法及图纸

本揭露涉及半导体装置封装及其制造方法。一种半导体装置封装包含衬底、半导体芯片、第一环结构及第二环结构。所述衬底包含表面。所述半导体芯片位于所述衬底的所述表面上方。所述第一环结构位于所述衬底的所述表面上方。所述第二环结构位于所述衬底的所述表面上方，其中所述第一环结构位于所述半导体芯片与所述第二环结构之间。

Packaging and Manufacturing of Semiconductor Devices

This disclosure relates to semiconductor device packaging and manufacturing methods. A semiconductor device package comprises a substrate, a semiconductor chip, a first ring structure and a second ring structure. The substrate comprises a surface. The semiconductor chip is located above the surface of the substrate. The first ring structure is located above the surface of the substrate. The second ring structure is located above the surface of the substrate, and the first ring structure is located between the semiconductor chip and the second ring structure.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装及其制造方法
本揭露涉及半导体装置封装及其制造方法。
技术介绍
在集成电路的封装中，半导体裸片可通过接合来堆叠，且可被接合到例如内插件及封装衬底等其它封装组件。所得封装被称为三维集成电路(3DIC)。然而，翘曲、共面性及底胶爆裂问题对于3DIC来说是挑战。
技术实现思路
在一个方面中，本揭露涉及一种半导体装置封装，所述半导体装置封装包括衬底，其包含表面；半导体芯片，其位于所述衬底的所述表面上方；第一环结构，其位于所述衬底的所述表面上方；及第二环结构，其位于所述衬底的所述表面上方，其中所述第一环结构位于所述半导体芯片与所述第二环结构之间。附图说明当结合附图阅读时，依据以下详细描述最佳地理解本揭露的实施例的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种构件未按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，可任意地增大或减小各种构件的尺寸。图1是图解说明制造根据本揭露的一或多个实施例的各个方面的半导体装置封装的方法的流程图。图2A、图2B、图2C、图2D、图2E及图2F是在制造根据本揭露的一或多个实施例的半导体装置封装的各种操作中的一个处的示意图。图3A及图3B是根据本揭露的一或多个实施例的半导体装置封装的示意图。图4A及图4B是根据本揭露的一或多个实施例的半导体装置封装的示意图。图5是根据本揭露的一或多个实施例的半导体装置封装的示意性横截面图。图6A、图6B、图6C及图6D是在制造根据本揭露的一或多个实施例的半导体装置封装的各种操作中的一个处的示意图。图7A及图7B是根据本揭露的一或多个实施例的半导体装置封装的示意图。具体实施方式以下揭露内容提供许多不同实施例或实例以用于实施所提供标的物的不同特征。下文描述元件及布置的具体实例以简化本揭露。当然，这些只是实例并不打算具限制性。举例来说，在以下描述中，第一构件形成于或第二构件上方或第二构件上可包含其中第一构件与第二构件形成为直接接触的实施例，且还可包含其中额外特征可形成于第一构件与第二构件之间使得第一构件与第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此重复是出于简化及清晰目的且实质上并不决定各种实施例及/或所论述配置之间的关系。此外，本文中可为易于描述起见而使用空间相对术语(例如，“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”、“上”等)来描述一个元件或构件与另一元件或构件的关系，如各图中所图解说明。除了图中所描绘的定向之外，空间相对术语还打算囊括装置及/或元件在使用中的不同定向。可以其它方式定向设备(旋转90度或处于其它定向)且因此可以其它方式解释本文中所使用的空间相对描述符。如本文中所使用，例如“第一”、“第二”及“第三”等术语描述各种元件、组件、区、层及/或区段，这些元件、组件、区、层及/或区段不应受这些术语限制。这些术语可仅用于区分一个元件、组件、区、层或区段与另一元件、组件、区、层或区段。例如“第一”、“第二”及“第三”等术语当在本文中使用时并不暗示顺序或次序，除非上下文明确指示。如本文中所使用，术语“大约”、“实质上”、“实质”及“约”是用于描述及解释小变化。当结合事件或情况使用时，术语可指代其中事件或情况精确地发生的例子以及其中事件或情况十分近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％(例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％)，那么所述两个数值可被视为“实质上”相同或相等。举例来说，“实质上”平行可指代相对于0°而小于或等于±10°的角度变化范围，例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°或小于或等于±0.05°。举例来说，“实质上”垂直可指代相对于90°而小于或等于±10°的角度变化范围，例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°或小于或等于±0.05°。也可包含其它构件及制程。举例来说，可包含测试结构以辅助3D封装或3DIC装置的检验测试。测试结构可包含(举例来说)形成于重布层中或衬底上允许测试3D封装或3DIC、使用探针及/或探针卡等的测试垫。可对中间结构以及最终结构执行检验测试。另外，可结合并入对已知良好裸片的中间检验的测试方法使用本文中所揭示的结构及方法以提高合格率且减少成本。在本揭露的一些实施例中，半导体装置封装包含形成于衬底上方且邻近于半导体芯片的环结构。环结构可经配置以约束底胶层、补偿衬底上由其它组件引发的应力及/或补偿衬底与其它组件之间的CTE不匹配。如本文中所使用，术语“环结构”指代实质上限定空间的结构。在一些实施例中，环结构可以是具有连续周界的连续环结构。在一些实施例中，环结构可包含数个分段式片段。在一些实施例中，环结构可以是绝缘的。在一些实施例中，环结构可以是导电的，且可被接地或被供以电位。图1是图解说明制造根据本揭露的一或多个实施例的各个方面的半导体装置封装的方法的流程图。方法100开始于其中接收衬底的操作110。方法进行到其中在衬底的表面上方放置半导体芯片的操作120。在一些实施例中，利用例如导电凸块等电连接器将半导体芯片电连接到衬底。在一些实施例中，在半导体芯片与衬底之间形成底胶层。方法进行到其中在衬底的表面上方形成第一环结构的操作130。在一些实施例中，第一环结构是聚合物环结构。在一些实施例中，通过在衬底的表面上方选择性地施配光可固化材料且同时辐射光可固化材料来形成第一环结构。方法进行到其中在衬底的表面上方形成第二环结构的操作140，其中第一环结构位于半导体芯片与第二环结构之间。在一些实施例中，通过利用粘合剂层将导电环结构附接到衬底的表面来形成第二环结构。方法100仅是实例，且并不打算将本揭露限制在权利要求书中明确引用的内容之外。可在方法100之前、期间及之后提供额外操作，且可针对方法的额外实施例而替换、清除或移动一些所描述操作。图2A、图2B、图2C、图2D、图2E及图2F是在制造根据本揭露的一或多个实施例的半导体装置封装的各种操作中的一个处的示意图，其中图2A、图2B、图2C、图2D及图2E是示意性横截面图，且图2F是示意性俯视图。如图2A中所描绘，接收衬底10。在一些实施例中，衬底10可包含半导体衬底、封装衬底、印刷电路板(PCB)等。衬底10包含表面10A及与表面10A相对的另一表面10B。在一些实施例中，衬底10包含经配置以电互连放置于相对的表面10A与10B上的不同电子装置的电路层，例如贯穿通路、导电柱、导电杆、重布层等或上述各项的组合。在衬底10的表面10A上方放置一或多个半导体芯片20。在一些实施例中，半导体芯片20电连接到衬底10。在一些实施例中，半导体芯片20通过第一电导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包括：衬底，其包含表面；半导体芯片，其位于所述衬底的所述表面上方；第一环结构，其位于所述衬底的所述表面上方；及第二环结构，其位于所述衬底的所述表面上方，其中所述第一环结构位于所述半导体芯片与所述第二环结构之间。

【技术特征摘要】
2017.05.25 US 15/605,4501.一种半导体装置封装，其包括：衬底，其包含表面；半导体芯片，其位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，郑礼辉，蔡柏豪，张捷茵，郭立中，邹贤儒，周颐，施应庆，卢思维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71