温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置包括衬底。衬底被III‑V族化合物半导体层上覆。衬底包括电路区及密封环区。密封环区环绕电路区。密封环结构设置在密封环区中。密封环结构包括环绕电路区的第一通孔结构。第一通孔结构延伸穿过衬底的一部分及III‑V族化合物半导体层。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。