芯片制造技术

一种芯片，电子系统的备用区域，其特征在于，所述备用区域包括所述第一类型器件和第二类型器件，所述备用区域有备用电源，在所述备用电源供电时，所述备用电源向所述第一类型器件和第二类型器件提供不同的电压。所述第一类型器件和第二类型器件在不同的电压下工作，可以有效减小漏电，降低功耗。

【技术实现步骤摘要】
芯片
本专利技术涉及IC领域，尤其涉及一种备用区域以及电子系统。
技术介绍
随着IC芯片的规模越来越大，数字电路也相应的越来越多，随之而来的就是功耗会越来越大。对于便携式设备以及使用电池的设备而言，降低IC芯片功耗的需求越来越强烈。随着绿色能源的普及，同样对于IC芯片的低功耗，超低功耗提出了苛刻的挑战。芯片中，常常会配置随机读写存储器(RAM)，此外还通常都会有一块备用随机读写存储器(BackupRAM)。芯片可以利用RAM进行数据的读写，保存操作。但是，随机读写存储器(RAM)的特点是，当整个芯片都掉电的时候，RAM中保存的数据也会随之丢失。备用随机读写存储器(BackupRAM)也有着相同的特点。无法在芯片掉电的时候保持住其中的数据。另一方面，现在的IC芯片对功耗提出了更多的要求，需要功耗能得到有效的减少。本专利技术提出一种备用区域，备用随机读写存储器放置在备用区域，可以在芯片掉电的时候，仍能保持数据，并能避免功耗过大的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，克服现有技术中存在的问题，提供一种备用区域，备用随机读写存储器放置在备用区域，可以在芯片掉电的时候，保持在备用电源下保持数据，并能避免功耗过大的问题。为了解决上述问题，本专利技术的技术方案是这样的：一种电子系统的备用区域，所述备用区域包括所述第一类型器件和第二类型器件，所述备用区域有备用电源，在所述备用电源供电时，所述备用电源向所述第一类型器件和第二类型器件提供不同的电压。所述备用电源向所述第一类型器件提供的电压高于所述备用电源向所述第二类型器件提供的电压。所述备用电源向所述第一类型器件提供的电压一般为3v～5v；所述备用电源向所述第二类型器件提供的电压一般为1.1V～1.2V。所述备用电源通过一降压模块向所述第二类型器件供电。所述降压模块包括带隙基准、低通滤波器以及第一低压差线性稳压器，所述低通滤波器连接所述备用电源和一低电压，所述带隙基准连接所述低通滤波器和所述低电压，所述第一低压差线性稳压器连接所述备用电源、带隙基准、所述低电压和第二类型器件的一端，所述第二类型器件的另一端接低电压；或，所述降压模块包括带隙基准、低通滤波器以及第一低压差线性稳压器，所述带隙基准连接所述备用电源和一低电压，所述低通滤波器连接所述带隙基准和所述低电压，所述第一低压差线性稳压器连接所述带隙基准、所述低电压和第二类型器件的一端，所述第二类型器件的另一端接低电压。所述第二类型器件的一端与一主电源VCC连接，当所述主电源停止供电时，所述第二类型器件和所述第一类型器件通过所述备用电源供电。所述第一类型器件位于一第一领域，所述第二类型器件位于一第二领域。所述第一类型器件包括时钟唤醒模块，所述时钟唤醒模块连接所述备用电源。所述时钟唤醒模块包括并联的一器件实时控制器和一次级晶振。所述第二类型器件包括备用随机存储器。本专利技术并提出一种电子系统，其特征在于，包括如上所述的备用区域。所述电子系统可以是MCU等电子系统。本专利技术提供一种备用区域，所述备用区域包括所述第一类型器件和第二类型器件，所述备用区域有备用电源，在芯片掉电时，所述第一类型器件和第二类型器件通过所述备用电源供电，保证所述第一类型器件和第二类型器件不会由于系统掉电而不能工作；所述备用电源向所述第一类型器件和第二类型器件提供不同的电压，保证所述第一类型器件和第二类型器件在不同的电压下工作。可以有效减小漏电，降低功耗。进一步的，所述第一类型器件包括时钟唤醒模块，所述第二类型器件包括备用随机存储器，在所述备用电源供电时，所述时钟唤醒模块的工作电压大于所述备用随机存储器，所述备用随机存储器不会由于系统掉电而不能工作，能够让所述备用随机存储器处于待机状态而保存的数据不会丢失；在所述备用电源供电时，所述备用随机存储器的电压低，可以有效降低所述备用随机存储器的漏电流，降低备用区域的功耗。附图说明下面结合附图和具体实施方式来详细说明本专利技术：图1是表示根据本专利技术一个实施例的备用区域的电路示意图。图2是表示根据本专利技术一个实施例的备用区域的实现方法流程示意图。具体实施方式一种备用区域全部为核心(core)领域。core领域的core器件的漏电流(leak电流)相较输入输出器件(IO器件)来得大，因此在core器件的漏电流较大的某些工艺下，待机功耗会相当大。另一种备用区域中，由于LDO还需要给器件Sub-OSC和RTC供电，当用户需要将备用随机读写存储器关闭时，无法将LDO也关闭达到降低功耗的目的。由于工艺的原因，核心(core)器件的漏电流很大。如果按照一种备用区域全部为核心(core)领域来设计，器件实时控制器(RTC)和次级晶振(Sub-OSC)的工作电流和漏电流的总和将会非常可观，其中漏电流占据很大比例。为了降低功耗，考虑到IO(输入输出)器件的漏电流相比core器件要小得多，本专利技术提出备用随机读写存储器与IO领域功能的混合搭载。为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本专利技术。本专利技术提出一种电子系统的备用区域，所述备用区域包括所述第一类型器件和第二类型器件，所述备用区域由一备用电源进行备用供电(即当正常的主电源断开时，所述备用电源对所述备用区域供电)，在所述备用电源供电时，所述备用电源向所述第一类型器件和第二类型器件提供不同的电压。所述备用电源向所述第一类型器件提供的电压高于所述备用电源向所述第二类型器件提供的电压。所述备用电源向所述第一类型器件提供的电压一般为3v～5v；所述备用电源向所述第二类型器件提供的电压一般为1.1V～1.2V。所述第一类型器件包括时钟唤醒模块，所述时钟唤醒模块连接所述备用电源。所述时钟唤醒模块包括并联的一器件实时控制器和一次级晶振。所述第二类型器件包括备用随机存储器。本专利技术提供一种备用区域，所述备用区域包括所述第一类型器件和第二类型器件，所述备用区域有备用电源，在芯片掉电时，所述第一类型器件和第二类型器件通过所述备用电源供电，保证所述第一类型器件和第二类型器件不会由于系统掉电而不能工作；所述备用电源向所述第一类型器件和第二类型器件提供不同的电压，保证所述第一类型器件和第二类型器件在不同的电压下工作，可以有效减小漏电，降低功耗。图1是表示根据本专利技术一个实施例的备用随机读写存储器的电路示意图。参见图1，所述备用区域10包括所述第一类型器件和第二类型器件，所述备用区域10由一备用电源(VBAT)进行备用供电，在所述备用电源(VBAT)供电时，所述备用电源(VBAT)向所述第一类型器件和第二类型器件提供不同的电压。在本实施例中，所述第一类型器件位于一第一领域(在本实施例中为IO领域12，即该领域的工作电压一般为3v～5v)，所述第二类型器件位于一第二领域(在本实施例中为core领域11，即该领域的工作电压一般为1.1V～1.2V)。所述第一类型器件包括时钟唤醒模块，所述时钟唤醒模块连接所述备用电源(VBAT)。具体的，所述时钟唤醒模块包括并联的一器件实时控制器(RTC)122和一次级晶振(Sub-OSC)121，所述时钟唤醒模块用于向电子系统提供时钟。所述第一类型器件还可以包括其它模块，只要与所述时钟唤醒模块的工作电压相等，均在本专利技术的思想范围之内。所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子系统的备用区域，其特征在于，所述备用区域包括所述第一类型器件和第二类型器件，所述备用区域由一备用电源进行备用供电，在所述备用电源供电时，所述备用电源向所述第一类型器件和第二类型器件提供不同的电压。

【技术特征摘要】
1.一种电子系统的备用区域，其特征在于，所述备用区域包括所述第一类型器件和第二类型器件，所述备用区域由一备用电源进行备用供电，在所述备用电源供电时，所述备用电源向所述第一类型器件和第二类型器件提供不同的电压。2.如权利要求1所述的备用区域，其特征在于，所述备用电源向所述第一类型器件提供的电压高于所述备用电源向所述第二类型器件提供的电压。3.如权利要求2所述的备用区域，其特征在于，所述备用电源通过一降压模块向所述第二类型器件供电。4.如权利要求3所述的备用区域，其特征在于，所述降压模块包括带隙基准、低通滤波器以及第一低压差线性稳压器，所述低通滤波器连接所述备用电源和一低电压，所述带隙基准连接所述低通滤波器和所述低电压，所述第一低压差线性稳压器连接所述备用电源、带隙基准、所述低电压和第二类型器件的一端，所述第二类型器件的另一端接低电压；或，所述降压模块包括带隙基准、低通滤波器以及第一低压差线性稳压器，所述低通滤波器连接所述备...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛春，张伟，尤伟其，
申请(专利权)人：华大半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31