一种导电叠层膜制造技术

本实用新型专利技术涉及一种导电叠层膜，根据本实用新型专利技术，由于所述导电叠层膜包括具有透光性和导电性的透明导电层；位于所述透明导电层的下侧，包括具有导电性结构体的导电结构体层；及位于所述导电结构体层的下侧，支撑所述导电结构体层的基底基板；可以抑制透射光的漫反射，具有高透光率和低表面电阻，揭示了可用于包括柔性有机太阳能电池、智能窗用聚合物分散液晶膜、电致变色膜、热反射膜、有机带元件等电子设备中的技术。根据本实用新型专利技术的导电叠层膜，通过导电结构体层上的银纳米线或银网状物和外敷，使其具有抑制透射光的漫反射的优点，并且具有抑制薄膜在高温下向ITO导电层上侧破裂即抑制薄膜溶出现象的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种导电叠层膜
本技术涉及一种导电叠层膜,更具体来说，是一种可以抑制透射光的漫反射现象和薄膜溶出现象的导电叠层膜。
技术介绍
液晶显示器(LCD)、利用等离子的显示器装置、EL(electroluminescent)显示器等平板显示器产业，甚至有机太阳能电池、有机半导体等产业，为了确保比之前更强的竞争力，需要更薄更柔软的、附加了各种复合功能的功能性素材及更加简单的工艺技术。尤其，在基板电极素材、有机导体等领域，功能性薄膜技术被广泛应用，最近，应用于有机半导体甚至实现柔性显示的膜技术成为被关注的对象。通常，透明电极材料是平板显示及太阳能电池等的元件中被用于透明电极的物质的统称，透明电极需在380nm至780nm的可见光范围内的透射率超过80％，表面电阻为100欧姆每平方(ohmpersquare)以下,导电性能优秀。为此，目前正在对利用导电性好的纳米线和ITO的透明电极元件进行研究。但，存在当光透射纳米线层后发生光的漫反射现象，以及发热时，纳米线从ITO层穿透出来的薄膜溶出现象。因此，需要一种技术来抑制光的漫反射现象及薄膜溶出现象。【现有技术文献】(专利文献0001)韩国注册专利10-1515498【技术的详细说明】【技术课题】本技术的目的是为了解决之前所述的问题，提供一种可以抑制光的漫反射现象和薄膜溶出现象的导电叠层膜。
技术实现思路
为了达到所述目的，本技术的实施例中的导电叠层膜包括具有透光性和导电性的透明导电层；位于所述透明导电层的下侧，包括具有导电性结构体的导电结构体层；及位于所述导电结构体层的下侧，支撑所述导电结构体层的基底基板。所述导电叠层膜的一个特征为，所述基底基板是以具有透光性的高分子物质或玻璃中的任何一种形成的。进而，所述导电叠层膜的一个特征为，所述高分子物质是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、环烯聚合物和聚碳酸酯中的任何一个。这里，所述导电叠层膜的又一个特征为，所述透明导电层可以是另一种ITO(IndiumTinOxide)导电层。进而，所述导电叠层膜的又一个特征为，所述ITO导电层可以由多个ITO子层(sub-layer)形成，所述多个ITO子层中各个层的氧化铟(IndiumOxide)和氧化锡(TinOxide)的组成比不同。这里，所述导电叠层膜的又一个特征为，它还包括设置在所述导电结构体层和所述基底基板之间，具有透光性和导电性的透明导电中间层。进而，所述导电叠层膜的又一个特征为，所述透明导电中间层可以是ITO(IndiumTinOxide)导电中间层。另外，所述导电叠层膜的又一个特征为，所述ITO导电中间层可以由多个ITO子层(sub-layer)形成，所述多个ITO子层中各个层的氧化铟(IndiumOxide)和氧化锡(TinOxide)的组成比不同。这里，所述导电叠层膜的又一个特征为，包含在所述导电结构体层中的所述结构体可以是具有导电性的网状物(mesh)。这里，所述导电叠层膜的又一个特征为，所述导电结构体层的结构体可以是具有导电性的多个纳米线(nano-wire)。进而，所述导电叠层膜的又一个特征为，所述纳米线的纵横比可以在1:20和1：1000之间。这里，所述导电叠层膜的又一个特征为，所述导电结构体层可以在所述结构体的周围或上侧用外敷层材料外敷，以抑制透射到导电结构体层的光的漫反射。为了达到所述目的，根据本技术的实施例，导电叠层膜的制备方法包括：在基底基板的上侧形成包括导电结构体的导电结构体层的导电结构体层形成步骤；并且在所述导电结构体层形成步骤中形成的导电结构体层的上侧，形成具有透光性和导电性的透明导电层的透明导电层形成步骤；所述导电结构体层形成步骤中形成的所述导电结构体层的所述结构体可以包括多个纳米线或网状物。其中，所述导电叠层膜的制备方法的又一个特征为，所述基底基板是以具有透光性的高分子物质或玻璃中的任何一种形成的。进而，所述导电叠层膜的制备方法的一个特征为，所述高分子物质是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、环烯聚合物和聚碳酸酯中的任何一个。这里，所述导电叠层膜的制备方法的又一个特征为，所述透明导电层形成步骤中形成所述透明导电层是ITO(IndiumTinOxide)导电层，所述ITO导电层可以由多个ITO子层(sub-layer)形成，所述多个ITO子层中各个层的氧化铟(IndiumOxide)和氧化锡(TinOxide)的组成比不同。这里，所述导电叠层膜的制备方法的又一个特征为，它还包括在所述导电结构体层形成步骤前形成的，在所述基底基板的上侧形成具有透光性和导电性的透明导电中间层的透明导电中间层形成步骤，所述导电结构体层形成步骤中，所述导电结构体层在所述基底基板上侧形成的所述透明导电中间层的上侧形成。进而，所述导电叠层膜的制备方法的又一个特征为，所述透明导电中间层是ITO(IndiumTinOxide)导电中间层，所述ITO导电中间层由多个ITO子层(sub-layer)形成，所述多个ITO子层中各个层的氧化铟(IndiumOxide)和氧化锡(TinOxide)的组成比不同。这里，所述导电叠层膜的制备方法的又一个特征为，所述导电结构体层形成步骤中，所述导电结构体层设置具有导电性的多个纳米线或网状物(mesh)，所述多个纳米线或网状物的上侧用外敷层材料外敷。【技术的效果】根据本技术的导电叠层膜，通过导电结构体层上的银纳米线或银网状物和外敷，使其具有抑制透射光的漫反射的优点，并且具有抑制薄膜在高温下向ITO导电层上侧破裂即抑制薄膜溶出现象的效果。【附图说明】图1图示出根据本技术的实施例，导电叠层膜的截面示意图。图2图示出根据本技术的另一实施例，导电叠层膜的截面示意图。图3和图4图示出根据本技术的实施例，导电叠层膜的制备方法的流程示意图。图中示出：100:基底基板200:透明导电中间层300:导电结构体层400:透明导电层【具体实施方式】为了能够能具体地理解本技术，下面对参照附后示意图的优选实施例进行说明。图1图示出根据本技术的实施例的导电叠层膜的截面示意图，图2图示出根据本技术的另一实施例的导电叠层膜的截面示意图，图3图示出根据本技术的实施例的导电叠层膜的制备方法的流程示意图。首先参照图1，根据本技术的实施例，导电叠层膜包括透明导电层、导电结构体层及基底基板，更优选地，还可以包括透明导电中间层。因此，如图1中的概略性的图示，根据本技术的实施例的导电叠层膜具有基底基板(100)、透明导电中间层(200)、导电结构体层(300)、透明导电层(400)的叠层形态。基底基板(100)通常位于导电结构体层(300)的下侧，起到支撑导电结构体层(300)的作用。如图1中的概略性图示，若还包括透明导电中间层(200)，在基底基板(100)的上表面设置透明导电中间层(200)，透明导电中间层(200)的上表面设置导电结构体层(300)。基底基板(100)优选为以包括具有透光性的高分子物质或玻璃中的任何一种物质形成。这里的高分子物质，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、环烯聚合物和聚碳酸酯中的任何一个，具有厚度较薄的薄膜形态较好。同时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电叠层膜,其特征在于，包括：包括具有透光性和导电性的透明导电层；位于所述透明导电层的下侧，包括具有导电性结构体的导电结构体层；及位于所述导电结构体层的下侧，支撑所述导电结构体层的基底基板。

【技术特征摘要】
2017.05.31 KR 10-2017-00679111.一种导电叠层膜,其特征在于，包括：包括具有透光性和导电性的透明导电层；位于所述透明导电层的下侧，包括具有导电性结构体的导电结构体层；及位于所述导电结构体层的下侧，支撑所述导电结构体层的基底基板。2.根据权利要求1所述的导电叠层膜，其特征在于：所述基底基板,包括具有透光性的高分子物质或玻璃中的任何一种物质形成。3.根据权利要求2所述的导电叠层膜，其特征在于：所述高分子物质,是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、环烯聚合物和聚碳酸酯中的任何一个。4.根据权利要求1所述的导电叠层膜，其特征在于：所述透明导电层，包括一种ITO导电层。5.根据权利要求4所述的导电叠层膜，其特征在于：所述ITO导电层，由多个ITO子层形成，所述多个ITO子层中各个层的氧化铟和氧化锡的组成比不同。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：白雨成，全义九，李相文，张昌泳，丁钟国，边娜恩，
申请(专利权)人：株式会社SELCOS，胜显上海商贸有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR