层叠透明导电膜、层叠布线膜及层叠布线膜的制造方法技术

技术编号:19562532 阅读:25 留言:0更新日期:2018-11-25 00:42
本发明专利技术的层叠透明导电膜具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜及配置于所述Ag膜的双面的透明导电氧化物膜,所述透明导电氧化物膜由包含Zn、Ga及Ti的氧化物形成。

Manufacturing method of laminated transparent conductive film, laminated wiring film and laminated wiring film

The laminated transparent conductive film of the invention has an Ag film composed of Ag or Ag alloy and a transparent conductive oxide film arranged on both sides of the Ag film, which is formed by oxides containing Zn, Ga and Ti.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠透明导电膜、层叠布线膜及层叠布线膜的制造方法
本专利技术涉及一种能够用作例如显示器或者触摸面板等透明电极膜的层叠透明导电膜、由该层叠透明导电膜构成的层叠布线膜及层叠布线膜的制造方法。本申请主张基于2016年3月23日于日本申请的专利申请2016-058937号及2017年2月13日于日本申请的专利申请2017-024386号的优先权,并将其内容援用于此。
技术介绍
在液晶显示器、有机EL(电致发光)显示器及触摸面板等中,作为透明电极膜,例如提供一种如专利文献1~4中所示的透明导电膜。在该透明导电膜中,要求可见光区域的光的透射率高,并且电阻低。在此,在专利文献1中,作为透明导电膜,使用由作为透明导电氧化物的一种的ITO(In2O3+Sn)构成的ITO膜,但是在该ITO膜中,为了降低电阻,需要将膜厚形成为较厚,因此导致可见光区域的透射率下降。由此,不易兼顾高透射率和低电阻。并且,在专利文献2中,使用了Cu等的金属网格材料,但是在该金属网格材料中,为了降低电阻,需要扩大金属部分的宽度,仍然存在导致透射率下降的问题。并且,有可能通过光的反射而视觉辨认金属网格材料,因此需要在金属网格材料的表面形成黑化膜等。在专利文献3、4中,提出了层叠有Ag膜和透明导电氧化物膜的层叠透明导电膜。在该层叠透明导电膜中,由于通过Ag膜确保导电性,因此无需为了降低电阻而将透明导电氧化物膜形成为较厚,能够获得比较高的透射率。专利文献1:日本特开2008-310550号公报专利文献2:日本特开2006-344163号公报专利文献3:日本特开昭63-110507号公报专利文献4:日本特开平09-232278号公报然而,近来,在显示器或者触摸面板等中,进一步推进布线及透明电极的微细化,而且因大屏幕化而布线及透明电极的长度变长,作为透明电极,与以往相比进一步要求电阻较低、并且可见光区域的透射率优异的透明导电膜。在此,在专利文献3、4中所记载的层叠透明导电膜中,为了实现电阻的进一步下降及透射率的进一步提高,需要将Ag膜的膜厚设为较薄。然而,在仅将Ag膜设为较薄的情况下,Ag变得容易凝聚,因该Ag的凝聚而发生表面等离子体激元吸收,存在导致透射率大幅下降的问题。并且,因Ag的凝聚而Ag膜成为不连续膜,因此电阻也增加而存在导致导电性下降的问题。并且,若透明导电氧化物膜对水分的阻隔性低,则在高湿度的环境下水分会到达至Ag膜,在Ag膜中促进Ag的凝聚,有可能导致透射率及导电性下降。而且,为了使用上述层叠透明导电膜来作为布线膜,需要对于层叠透明导电膜形成布线图案。在该情况下,在层叠透明导电膜上形成抗蚀剂膜,通过蚀刻形成布线图案之后,去除该抗蚀剂膜。通过蚀刻形成布线图案时,优选使用蚀刻剂对层叠透明导电膜整体一并进行蚀刻,但是在Ag合金膜和ITO膜的层叠膜中,通过蚀刻形成电极图案时,与ITO膜相比,Ag合金膜的蚀刻速度较快,因此若使用相同的蚀刻液一并进行蚀刻,则有可能Ag合金膜的过蚀刻变大、或者产生ITO膜残渣。并且,去除抗蚀剂膜时,使用碱性抗蚀剂去除液,但是在以往的层叠透明导电膜中,存在耐碱性不充分,且在去除抗蚀剂膜时,导致层叠透明导电膜的特性劣化的问题。
技术实现思路
该专利技术是鉴于前述情况而完成的,且其目的在于提供一种透射率足够高,并且电阻足够低,耐环境性及耐碱性优异,通过蚀刻法形成布线图案时不易发生过蚀刻的层叠透明导电膜、由该层叠透明导电膜构成的层叠布线膜及层叠布线膜的制造方法。为了解决上述问题,本专利技术的层叠透明导电膜的特征在于,具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜、及配置于所述Ag膜的双面的透明导电氧化物膜,所述透明导电氧化物膜由包含Zn、Ga及Ti的氧化物形成。根据本专利技术的层叠透明导电膜,在Ag膜的双面形成有由包含Zn、Ga及Ti的氧化物构成的透明导电氧化物膜,因此通过下表面的透明导电氧化物膜,Ag膜的润湿性有所提高,即使在将Ag膜形成为较薄的情况下,也能够抑制Ag膜中的Ag的凝聚。并且,由于上述透明导电氧化物膜的耐环境性(高温高湿环境下的耐久性)优异,因此即使在高湿度的环境下使用时,通过形成于Ag膜的上表面的透明导电氧化物膜,也能够抑制水分侵入Ag膜,能够抑制Ag的凝聚。由此,能够提供一种透射率足够高并且电阻足够低的层叠透明导电膜。而且,在使用包含磷酸和乙酸的酸性混合液来作为蚀刻剂的情况下,Ag膜与透明导电氧化物膜的蚀刻速度之差较小,即使一并蚀刻该层叠透明导电膜,也能够以高精度形成布线图案。并且,由于该透明导电氧化物膜的耐碱性高,因此即使在形成布线图案时,使用碱性抗蚀剂去除液来去除抗蚀剂膜,也能够抑制层叠透明导电膜的特性的劣化。在此,在本专利技术的层叠透明导电膜中,优选将所述透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素的原子比例设为:Ga为0.5原子%以上且30.0原子%以下、Ti为0.1原子%以上且10.0原子%以下、剩余部分为Zn。在该情况下,将透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素中的Ga的含量设在0.5原子%以上且30原子%以下的范围内,因此能够抑制Ag膜的凝聚,并抑制电阻的增加。并且,将Ti的含量设在0.1原子%以上且10.0原子%以下的范围内,因此能够抑制电阻的增加,并且能够提高耐碱性及耐环境性。而且,在本专利技术的层叠透明导电膜中,更优选将所述透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素的原子比例设为:Ga为0.5原子%以上且18.0原子%以下、Ti为0.1原子%以上且10.0原子%以下、剩余部分为Zn。在该情况下,将透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素中的Ga的含量设在0.5原子%以上且18.0原子%以下的范围内,因此能够进一步Ag膜的凝聚,能够更加进一步抑制电阻的增加。并且,将Ti的含量设在0.1原子%以上且10.0原子%以下的范围内,因此能够抑制电阻的增加,并且能够提高耐碱性及耐环境性。而且,在本专利技术的层叠透明导电膜中,进一步优选将所述透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素的原子比例设为:Ga为0.5原子%以上且14.0原子%以下、Ti为0.1原子%以上且10.0原子%以下、剩余部分为Zn。在该情况下,将透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素中的Ga的含量设在0.5原子%以上且14.0原子%以下的范围内,因此能够进一步抑制Ag膜的凝聚,能够更加进一步抑制电阻的增加。并且,将Ti的含量设在0.1原子%以上且10.0原子%以下的范围内,因此能够抑制电阻的增加,并且能够提高耐碱性及耐环境性。并且,在本专利技术的层叠透明导电膜中,形成所述透明导电氧化物膜的氧化物还可以包含Y。在该情况下,形成透明导电氧化物膜的氧化物包含Y,因此能够抑制电阻的增加,并且能够进一步提高耐碱性及耐环境性。在上述形成所述透明导电氧化物膜的氧化物包含Y的情况下,优选将所述透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素的原子比例设为:Ga为0.5原子%以上且30.0原子%以下、Ti为0.1原子%以上且10.0原子%以下、Y为0.1原子%以上且10.0原子%以下、剩余部分为Zn。在该情况下,将透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素中的Ga的含量设在0.5原子%以上且30原子%以下的范围内,因此能够抑制Ag膜的凝聚,能够抑制电阻的增加。并且,将Ti的含量设在0.1原子%以上且10.0原子%以下本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种层叠透明导电膜,其特征在于,具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜及配置于所述Ag膜的双面的透明导电氧化物膜,所述透明导电氧化物膜由包含Zn、Ga及Ti的氧化物形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.23 JP 2016-058937;2017.02.13 JP 2017-024381.一种层叠透明导电膜,其特征在于,具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜及配置于所述Ag膜的双面的透明导电氧化物膜,所述透明导电氧化物膜由包含Zn、Ga及Ti的氧化物形成。2.根据权利要求1所述的层叠透明导电膜,其特征在于,将所述透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素的原子比例设为:Ga为0.5原子%以上且30.0原子%以下、Ti为0.1原子%以上且10.0原子%以下、剩余部分为Zn。3.根据权利要求2所述的层叠透明导电膜,其特征在于,将所述透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素的原子比例设为:Ga为0.5原子%以上且18.0原子%以下、Ti为0.1原子%以上且10.0原子%以下、剩余部分为Zn。4.根据权利要求3所述的层叠透明导电膜,其特征在于,将所述透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素的原子比例设为:Ga为0.5原子%以上且14.0原子%以下、Ti为0.1原子%以上且10.0原子%以下、剩余部分为Zn。5.根据权利要求1所述的层叠透明导电膜,其特征在于,形成所述透明导电氧化物膜的氧化物还包含Y。6.根据权利要求5所述的层叠透明导电膜,其特征在于,将所述透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素的原子比例设为:Ga为0.5原子%以上且30.0原子%以下、Ti为0.1原子%以上且10.0原子%以下、Y为0.1原子%以上且10.0原子%以下、剩余部分为Zn。7.根据权利要求1至6中任一项所述的层叠透明导...

【专利技术属性】
技术研发人员:中泽弘实石井博岁森悠人斋藤淳林雄二郎
申请(专利权)人:三菱综合材料株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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