The invention discloses an X-ray broadband energy selector, which comprises a nano-column array, a thin metal layer and a supporting film; the nano-column array is fabricated on the upper surface of the thin metal layer, and the supporting film is pasted on the lower surface of the thin metal layer. The energy selector has the advantages of small element size and high energy selection accuracy. It can be applied to imaging diagnostic equipment with spatial resolution of several microns to realize band spectrum imaging diagnosis. The invention also discloses a method for fabricating an X-ray broadband energy selector. The method uses X-ray lithography technology to punch holes in polycarbonate materials, and then uses electrochemical deposition method to grow nano-columns in the holes, which can form nano-columns with high vertical degree and good side wall roughness, and can also be fabricated according to the characteristics of the potential section to be selected. By flexibly designing the column height, the material and thickness of thin metal layer, and the grazing incidence angle of X-ray, the band-pass energy in any range of soft X-ray can be achieved for square nano-column arrays with arbitrary aspect ratio.
【技术实现步骤摘要】
一种X光宽带选能器件及其制作方法
本专利技术属于X光光学领域、X光谱诊断领域和微纳制造领域,具体涉及一种X光宽带选能器件及其制作方法。
技术介绍
在激光间接驱动惯性约束聚变实验中,由于激光与等离子体的相互作用,大部分激光能量转化为X射线。通过对X射线的诊断,可得到相互作用过程中的众多物理参数。在设计间接驱动ICF实验时,为了获得高的吸收效率和高的X光转换效率,黑腔腔壁材料一般采用高Z元素金。激光加热金壁产生的高温金等离子体X光辐射具有显著的非平衡特性,即X光谱具有一定带谱结构,通常由M、N、O带谱和连续谱组成。黑腔腔壁材料金(Au)的原子结构特性对黑腔辐射谱及其能流有较大影响,同时Au的M带辐射对靶丸壳层的预热效应也将严重影响内爆压缩对称性,故需要精确测量Au辐射谱中的O、N和M带谱的份额、强度以及带谱辐射时空演化过程等。因此,近年来,ICF研究更关注Au的O、N、M带谱X射线测量,以及带谱辐射演化过程的可视化研究,因此带谱成像诊断成为亟需发展的诊断设备。目前的带通诊断设备主要有M带XRD,用于定量测量Au的M带X射线辐射流。在一定厚度的薄Sc滤片上溅射一薄层B,再叠加按一定占空比排列的孔洞结构的厚Sc滤片,利用厚薄滤片透过率的平均效应调制阴极的入射光强度,结合阴极谱响应曲线实现带通平顶。其选能的主要依据是滤片材料的吸收边,对于吸收边以外的高能X射线,并不具备截止效果。同时,由于厚滤片的圆孔直径为5um左右,周期为10um左右,其尺寸为微米量级,该器件无法实现十微米以内带通成像。最新的基于微通道板(MCP)的透射式带通选能研究表明,对于入射角度不同、能量不 ...
【技术保护点】
1.一种X光宽带选能器件,其特征在于:所述的选能器件包括纳米柱阵列(1)、薄金属层(2)和支撑膜(3);所述的纳米柱阵列(1)为阵列的正方形金柱体;薄金属层(2)为金属铝或金属银的金属膜;所述的纳米柱阵列(1)制作在薄金属层(2)的上表面,薄金属层(2)的下表面粘贴支撑膜(3)。
【技术特征摘要】
1.一种X光宽带选能器件,其特征在于:所述的选能器件包括纳米柱阵列(1)、薄金属层(2)和支撑膜(3);所述的纳米柱阵列(1)为阵列的正方形金柱体;薄金属层(2)为金属铝或金属银的金属膜;所述的纳米柱阵列(1)制作在薄金属层(2)的上表面,薄金属层(2)的下表面粘贴支撑膜(3)。2.根据权利要求1所述的X光宽带选能器件,其特征在于:所述的纳米柱阵列(1)为由边长200nm的正方形金柱体构成的金纳米柱阵列。3.根据权利要求2所述的X光宽带选能器件,其特征在于:所述的金纳米柱阵列的排列方式为等间距排列,横向排列周期为400nm,纵向排列周期为200nm。4.根据权利要求1所述的X光宽带选能器件,其特征在于:所述的支撑膜(...
【专利技术属性】
技术研发人员:袁铮,曹柱荣,牛高,黎宇坤,邓克立,王强强,邓博,陈韬,
申请(专利权)人:中国工程物理研究院激光聚变研究中心,
类型:发明
国别省市:四川,51
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