包括具有能带工程超晶格的ＭＯＳＦＥＴ的半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括衬底和至少一个与衬底相邻的ＭＯＳＦＥＴ。ＭＯＳＦＥＴ包括又包括多个堆叠的层组的超晶格沟道。ＭＯＳＦＥＴ也可包括侧面与所述超晶格沟道相邻的源和漏区，以及重叠在超晶格沟道上面的栅极，用于使载流子在相对于堆叠层组平行的方向上通过超晶格输送。每组超晶格沟道可以包括多个堆叠的基本半导体单层，其定义了基本半导体部分，以及其上面的能带修改层。能带修改层可以包括至少一个限制在相邻基本半导体部分的晶格内的非半导体单层，从而超晶格沟道在平行的方向上比其它情况具有更高的载流子迁移率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体领域，更具体地说涉及基于能带工程具有增强性能的半导体及相关方法。
技术介绍
已经建议了各种结构和技术，例如通过提高载流子迁移率来提高半导体器件的性能。举例来说，授予Currie等的美国专利申请第2003/0057416号公开了硅、硅-锗和驰豫硅并且还包括否则将引起性能降低的无杂质区的应变材料层。在上面硅层中得到的双轴应变改变导致得到更高速度和/或更低功率器件的载流子。授予Fitzgerald等的已公布的美国专利申请第2003/0034529号公开了同样基于相似的应变硅技术的CMOS反相器。授予Takagi等的美国专利第6,472,685 B2号公开了了包括硅层和碳层的半导体器件，所述碳层夹在硅层之间，使得第二层硅层的导带和价带受到拉伸应变。已经被施加到栅电极上的电场诱导的具有更小有效质量的电子被限制在第二层硅层中，因此声称n-沟道MOSFET具有更高的迁移率。授予Ishibashi等的美国专利第4,937,204号公开了一种超晶格，其中交替并外延生长了小于8个单层并且包含分数(fraction)或者二元化合物半导体层的多层。主电流流动的方向与超晶格的层垂直。授本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包含：衬底；及至少一个与所述衬底相邻的ＭＯＳＦＥＴ，其包含　包括多个堆叠层组的超晶格；及侧面与所述超晶格沟道相邻的源和漏区，以及重叠在超晶格沟道上面的栅极，用于使载流子在相对于堆叠层组平行的方向上通过超晶格输送，所述超晶格沟道的每个层组包括多个堆叠的基本半导体单层，其定义基本半导体部分，以及其上面的能带修改层，所述能带修改层包括至少一个限制在相邻基本半导体部分的晶格内的非半导体单层，使得超晶格沟道在平行的方向上比其它情况具有更高的载流子迁移率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-6-26 10/603,696;US 2003-6-26 10/603,621;US1.一种半导体器件，其包含衬底；及至少一个与所述衬底相邻的MOSFET，其包含包括多个堆叠层组的超晶格；及侧面与所述超晶格沟道相邻的源和漏区，以及重叠在超晶格沟道上面的栅极，用于使载流子在相对于堆叠层组平行的方向上通过超晶格输送，所述超晶格沟道的每个层组包括多个堆叠的基本半导体单层，其定义基本半导体部分，以及其上面的能带修改层，所述能带修改层包括至少一个限制在相邻基本半导体部分的晶格内的非半导体单层，使得超晶格沟道在平行的方向上比其它情况具有更高的载流子迁移率。2.根据权利要求1的半导体器件，其中所述超晶格具有常见的能带结构。3.根据权利要求1的半导体器件，其中所述具有更高迁移率的载流子包含电子和空穴至少之一。4.根据权利要求1的半导体器件，其中每个基本半导体部分包含硅。5.根据权利要求1的半导体器件，其中每个能带修改层包含氧。6.根据权利要求1的半导体器件，其中每个能带修改层是一个单层厚度。7.根据权利要求1的半导体器件，其中每个基本半导体部分小于8个单层厚度。8.根据权利要求1的半导体器件，其中每个基本半导体部分是2至6个单层厚度。9.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特J梅尔斯，吉恩ACSF伊普彤，迈尔柯伊萨，斯科特A柯瑞普斯，伊利佳杜库夫斯基，
申请(专利权)人：梅尔斯科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]