温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件，包括衬底和至少一个与衬底相邻的ＭＯＳＦＥＴ。ＭＯＳＦＥＴ包括又包括多个堆叠的层组的超晶格沟道。ＭＯＳＦＥＴ也可包括侧面与所述超晶格沟道相邻的源和漏区，以及重叠在超晶格沟道上面的栅极，用于使载流子在相对于堆叠层组平行的方向上通...
该专利属于梅尔斯科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过梅尔斯科技公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。