跨阻放大器电路以及电子设备制造技术

本公开涉及一种包括低噪声跨阻放大器级的用于射频信号接收链的电子设备，包括跨阻放大器级，所述跨阻放大器级具有AB类类型的放大器末级(42)、前置放大器级(41)以及被配置以便偏置所述前置放大器级(41)的自偏置共模控制级(40)，所述前置放大器级被耦合在频率变换级的输出与放大器末级(42)的输入之间并且包括双极型晶体管(Q1,Q2)以及有源负载(46)。

Transimpedance Amplifier Circuits and Electronic Equipment

The present disclosure relates to an electronic device for radio frequency signal reception chain including a low noise transimpedance amplifier stage, including a transimpedance amplifier stage, the transimpedance amplifier stage having the last stage (42) of an amplifier of class AB type, a preamplifier stage (41) and a self-biasing common mode control stage configured to bias the preamplifier stage (41). (40) The preamplifier stage is coupled between the output of the frequency conversion stage and the input of the final stage (42) of the amplifier and includes a bipolar transistor (Q1, Q2) and an active load (46).

【技术实现步骤摘要】
跨阻放大器电路以及电子设备本申请是于2015年9月11日提交的、申请号为201510580541.0、专利技术名称为“包括低噪声跨阻放大器级的用于射频信号接收链的电子设备”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例涉及使用与跨阻放大器(TIA)级相关联的频率变换级接收和处理射频信号，尤其是RADAR频率信号。
技术介绍
本专利技术特别地应用于、但不限于例如具有77GHz的频率的机动车辆RADAR信号的处理。
技术实现思路
一个实施例提供了用于通过限制电压摆动在接收期间显著改进频率变换级的动态性能的设备，从而工作于电流模式以便不使性能退化。一个实施例提供了在这一设备内的具有低功耗、具有可接受的增益、低噪声和基本上轨到轨的差分电压摆动的跨阻放大器级，也就是说，其峰值到峰值电压幅度接近于电源电压的值的跨阻放大器级。一个实施例因此提供了一种包括差分电路架构的设备，该差分电路架构具有频率变换级，该频率变换级具有电流输出，利用该电流输出联合了具有低噪声水平以及高增益并且具有低功耗的跨阻放大器级。一个方面提供了一种电子设备，包括：输入，用于接收具有第一频率的信号，该第一频率例如射频频率，诸如RADAR频率；以及差分架构电路，该差分架构电路包括：具有电流输出的至少一个频率变换级，被耦合至输入，跨阻放大器级，具有AB类类型的放大器末级、前置放大器级以及被配置以便偏置所述前置放大器级的自偏置共模控制级，前置放大器级被耦合在频率变换级的输出与放大器末级的输入之间并且包括第一双极型晶体管以及有源负载。AB类类型的放大器末级使得能够具有低功耗。然而这一类型的电路具有低增益。前置放大器级因此被添加在末级的输入处，以便具有更高的增益。此外，具有电流输出(而非电压输出)的频率变换级(例如吉尔伯特单元，这样的结构不暗示限制)使得能够具有良好的动态范围。根据一个实施例，所述前置放大器级的所述有源负载包括第一PMOS晶体管，并且所述共模控制级的输出连接至第一PMOS晶体管的栅极。将PMOS晶体管与双极型晶体管的差分对结合使用使得能够获得具有高增益的低噪声、以及在温度方面并且与制作方法变化有关的良好的鲁棒性。根据一个实施例，放大器末级包括被连接在这一末级的两个输出之间并且具有节点的模块，例如电阻模块，并且共模控制级包括第二双极型晶体管的差分对，一个第二双极型晶体管的基极旨在接收共模电压，并且另一第二双极型晶体管的基极连接至所述模块的所述节点，使得在这一节点处的电压旨在等于在末级的两个输出处存在的电压的总和的一半。根据一个实施例，第二双极型晶体管的差分对的集电极连接至两个PMOS晶体管，两个PMOS晶体管被连接为电流镜，该电流镜允许这一控制级的自偏置。根据一个实施例，末级包括两个AB类放大器，第一双极型晶体管的对的基极分别连接至频率变换级的两个电流输出，并且第一双极型晶体管的对的两个集电极分别连接至两个AB类放大器的两个输入。根据一个实施例，频率变换级被配置以便执行输入信号的直接基带变换。根据一个实施例，所述输入信号的所述第一频率是RADAR信号的频率。附图说明通过研究完全非限制性的实施例和所附附图，本专利技术的其它优点和特性将变得明显，在附图中：图1至图3涉及本专利技术的实施例。具体实施方式图1示意性地描绘射频信号接收链。在该链中，天线1接收信号。这一信号由带通滤波器2预先滤波，随后由低噪声放大器(本领域技术人员在首字母缩略词LNA之下已知)放大。以此方式获得的RF信号被发送至设备4和设备5的输入，设备4和设备5均包括与跨阻放大器21相关联的混频器20。RF信号分别与由局部振荡器(LO)6生成的信号和与由移相器7经过90°相移的相同信号混合，以便在两个信道I和Q上获得相位正交的两个变换信号。虽然本专利技术可以应用于任何类型的接收链，尤其是具有非零中间频率的类型，但是该链在这一实例中是零中间频率(ZIF)类型，变换信号直接在基带中，也就是说其频率位于零周围。在设备4和5的输出处的基带信号基本上在常规模块8和9中处理，特别地具有均衡级、放大级以及低通和高通滤波级，随后被发送至模数转换器(ADC)10和11的输入。现在将参照图2和图3来更详细描述设备4的差分架构，理解的是该架构类似于设备5的架构。在图2中，附图标记20表示具有电流输出的这样的频率变换级。在图2的示例中，频率变换级是吉尔伯特单元，但是本专利技术不限于这一类型的级。因此，将也可能使用电流开关器件，例如，尤其是具有场效应晶体管(FET晶体管)的混频器，例如在亚微米MOS技术的生产的情况下，诸如在完全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)类型的衬底上的28nm技术，或者具有电流输出的任何类型的频率变换级。图2的吉尔伯特单元包括双极型晶体管的三个差分对NPNQC1/QC2,QC3/QC4以及QC5/QC6，以及分别在其上接收射频信号RF和由局部振荡器生成的信号的输入端子RFINPUT和LOINPUT，这些端子分别连接至晶体管QC5和QC6的基极，以及晶体管QC1,QC2,QC3和QC4的基极。晶体管QC1的集电极连接至晶体管QC3的集电极、电流输出端子In以及PMOS晶体管MC2的漏极，PMOS晶体管MC2与PMOS晶体管MC1被连接为电流镜，PMOS晶体管MC1的漏极连接至参考电流的输入端子Irefn。对称地，晶体管QC4的集电极连接至晶体管QC2的集电极、电流输出端子Ip以及PMOS晶体管MC3的漏极，PMOS晶体管MC3与PMOS晶体管MC4被连接为电流镜，PMOS晶体管MC4的漏极连接至参考电流的输入端子Irefp。PMOS晶体管的源极对于它们的一部分而言连接至电源端子VDD。由晶体管MC1,MC2和MC3,MC4形成的电流镜使得能够设置流经MC2和MC3的偏置电流。负电流输出端子In和正电流输出端子Ip连接至跨阻放大器级21的输入端子，跨阻放大器级21将在频率变换级的输出处的动态电流转换成电压。图3图示了根据本专利技术的一个实施例的跨阻放大器。跨阻放大器21包括放大器末级42，放大器末级42包括两个AB类放大器43和44以及电阻负载模块45，电阻负载模块45被连接在这些放大器的输出OUT1和OUT2之间并且具有节点VM。两个反馈电阻器60和60’分别连接在输出OUT2、OUT1与负电流输出端子In和正电流输出端子Ip之间。放大器43和44包括多个MOS晶体管，并且它们的输出是轨到轨输出，也就是说，这些放大器的输出电压可以达到接近电源电压的值。现在将更详细描述具有类似于放大器43的结构的放大器44。放大器43的元件的附图标记相对于放大器44的相同元件的附图标记被添加后缀“’”。AB放大器自身包括推挽配置的MOS晶体管M1和M2。在此将再次回忆，AB类类型的放大器是在A类和B类之间的折中。AB类放大器的中性点位于A类放大器的中性点和B类放大器的中性点之间。晶体管M3,M4以及电流源I3和I4形成放大器M1、M2的偏置级。晶体管M5,M7和电流源I7以及晶体管M6,M8和电流源I8使得能够对偏置级进行偏置。在输出OUT2处的电压摆动从每个电源轨在处于几十毫伏的两个值之间变化，例如对于2.5V的电源电压而言但不限于从0.25V至2.25V。电压VSS是接地。晶体管M1和M’1的栅极形成这一末级42的输入E2和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种跨阻放大器电路，包括：放大器末级，前置放大器级，被耦合在跨阻放大器输入与所述放大器末级的输入之间，所述前置放大器级包括：第一双极型晶体管；以及有源负载；以及自偏置共模控制级，被配置为偏置所述前置放大器级。

【技术特征摘要】
2014.09.19 FR 14588651.一种跨阻放大器电路，包括：放大器末级，前置放大器级，被耦合在跨阻放大器输入与所述放大器末级的输入之间，所述前置放大器级包括：第一双极型晶体管；以及有源负载；以及自偏置共模控制级，被配置为偏置所述前置放大器级。2.根据权利要求1所述的跨阻放大器电路，其中所述前置放大器级的所述有源负载包括：一对负载晶体管，以及其中所述自偏置共模控制级的输出连接至所述一对负载晶体管的控制端子。3.根据权利要求1所述的跨阻放大器电路，其中所述放大器末级包括连接在所述放大器末级的两个输出之间并且具有节点的电路模块，并且其中所述自偏置共模控制级包括双极型晶体管的差分对，其中所述双极型晶体管中的一个的基极被配置为接收共模电压，并且其中所述双极型晶体管中的另一个的基极连接至所述电路模块的所述节点。4.根据权利要求3所述的跨阻放大器电路，其中所述双极型晶体管的差分对的集电极连接至一对负载晶体管，所述一对负载晶体管被连接为电流镜。5.根据权利要求1所述的跨阻放大器电路，其中所述前置放大器级包括双极型晶体管的差分对，其中所述双极型晶体管的基极被配置为所述跨阻放大器电路的差分信号。6.根据权利要求1所述的跨阻放大器电路，还包括反馈电阻器，所述反馈电阻器被耦合在所述放大器末级的输出与所述跨阻放大器输入之间。7.根据权利要求1所述的跨阻放大器电路，其中所述放大器末级包括：第一放大器，具有被耦合至所述前置放大器级的第一输出的输入，并且具有第一输出；第二放大器，具有被耦合至所述前置放大器级的第二输出的输入，并且具有第二输出；以及被耦合在所述第一输出与所述第二输出之间的电路模块。8.根据权利要求7所述的跨阻放大器电路，其中所述电路模块具有在所述第一输出与所述第二输出之间的中间节点，并且其中所述自偏置共模控制级的第一输入被耦合到所述中间节点，并且所述自偏置共模控制级的第二输入被耦合以接收共模参考电压。9.根据权利要求7所述的跨阻放大器电路，其中所述前置放大器级的所述第一输出位于所述第一双极型晶体管与所述有源负载之间的第一互连节点处，并且其中所述前置放大器级的所述第二输出位于所述第一双极型晶体管与所述有源负载之间的第二互连节点处。10.一种跨阻放大器电路，包括：第一放大器末级，具有第一输入；第二放大器末级，具有第二输入；电阻分压器电路，被耦合在所述第一放大器末级的第一输出和所述第二放大器末级的第二输出之间，所述电阻分压器电路具有在所述第一输出和所述第二输出之间的中间节点；以及共模控制电路，包括差分放大器，所述差分放大器具有被配置为接收共模电压的第一输入、和被耦合到所述电阻分压器电路的所述中间节点的第二输入，其中所述差分放大器包括被耦合以控制所述第一放大器末级和所述第二放大器末级的偏置的输出。11.根据权利要求10所述的跨阻放大器电路，还包括具有差分信号输入和差分信号输出的前置放大器级，其中所述差分信号输出分别被耦合到所述第一放大器末级和所述第二放大器末级的所述第一输入和所述第二输入。12.根据权利要求10所述的跨阻放大器电路，其中所述前置放大器级包括：差分放大器电路；有源负载电路，被耦合到所述差分放大器电路，并且其中所述有源负载的控制端子被耦合以接收由所述共模控制电路输出的偏置控制信号。13.一种跨阻放大器电路，包括：放大器末级...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·沙伯特，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR