【技术实现步骤摘要】
8-12G宽带低噪声放大器
本技术涉及低噪声放大器
，具体为8-12G宽带低噪声放大器。
技术介绍
传统的低噪声放大电路，采用耗尽型工艺制作，耗尽型工艺需要提供负压偏置，增加了应用的复杂性。增强型工艺是一种较晚开发的新型工艺，与耗尽型工艺相比，具有噪声低、增益高、不需负压偏置等优点，但也有工艺波动较大，一致性较差的缺点。
技术实现思路
本技术的目的在于提供8-12G宽带低噪声放大器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。所述8-12G宽带低噪声放大器具有电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数的特点。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：8-12G宽带低噪声放大器，包括三级放大器，每级放大器包括三极管，采用电流复用结构，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源级接去耦电容，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级三极管栅极相连；第二级三极管漏级通过扼流电感接第三级三极管源级；第三级三极管源级接去耦电容，第三级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第二级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第三级三极...
【技术保护点】
1.8‑12G宽带低噪声放大器，其特征在于：包括三级放大器，每级放大器包括三极管，采用电流复用结构，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源级接去耦电容，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级三极管栅极相连；第二级三极管漏级通过扼流电感接第三级三极管源级；第三级三极管源级接去耦电容，第三级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第二级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第三级三极管栅极相连。
【技术特征摘要】
1.8-12G宽带低噪声放大器，其特征在于：包括三级放大器，每级放大器包括三极管，采用电流复用结构，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源级接去耦电容，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级三极管栅极相连；第二级三极管漏级通过扼流电感接第三级三极管源级；第三级三极管...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜倚诚，刘家兵，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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