【技术实现步骤摘要】
1-2GHz宽带低噪声放大器
本技术涉及低噪声放大器
，具体为1-2GHz宽带低噪声放大器。
技术介绍
传统的低噪声放大电路，采用耗尽型工艺制作，耗尽型工艺需要提供负压偏置，增加了应用的复杂性。增强型工艺是一种较晚开发的新型工艺，与耗尽型工艺相比，具有噪声低、增益高、不需负压偏置等优点，但也有工艺波动较大，一致性较差的缺点。
技术实现思路
本技术的目的在于提供1-2GHz宽带低噪声放大器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。所述1-2GHz宽带低噪声放大器电路与传统的低噪声放大器相比，明显降低了噪声系数。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：1-2GHz宽带低噪声放大器，电路包含两级放大器，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过级间匹配电路连接第二级三极管栅极，第一级、第二级三极管源极均接直流反馈电阻，在直流反馈电阻上均接去耦电容，第一级三极管栅极连接依次连接的微带线、扼流电感以及电容形成谐振电路，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压，第二级三极管栅极与漏极之间连接电感、电容构成负反馈电路，第二级三极管漏极通过扼流电感连接到偏置电压。优选的，第一级放大器选用宽栅宽...
【技术保护点】
1.1‑2GHz宽带低噪声放大器，其特征在于：电路包含两级放大器，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过级间匹配电路连接第二级三极管栅极，第一级、第二级三极管源极均接直流反馈电阻，在直流反馈电阻上均接去耦电容，第一级三极管栅极连接依次连接的微带线、扼流电感以及电容形成谐振电路，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压，第二级三极管栅极与漏极之间连接电感、电容构成负反馈电路，第二级三极管漏极通过扼流电感连接到偏置电压。
【技术特征摘要】
1.1-2GHz宽带低噪声放大器，其特征在于：电路包含两级放大器，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过级间匹配电路连接第二级三极管栅极，第一级、第二级三极管源极均接直流反馈电阻，在直流反馈电阻上均接去耦电容，第一级三极管栅极连接依次连接的微带线、扼流电感以及电容形成谐振电路，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压，第二级三极管栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：何稀，黄军恒，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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