The invention discloses a low noise amplifier with a built-in single-ended input-to-differential output structure, which relates to the technical field of radio frequency communication, including an input matching circuit and an output load matching circuit, as well as an interconnected first-stage amplifier circuit and a second-stage amplifier circuit, the input matching circuit and the first-stage amplifier circuit. The first stage amplifier circuit is connected with the second stage amplifier circuit, and the second stage amplifier circuit is connected with the output load matching circuit. The advantages of this structure are small area, low cost and no need for external matching circuit. Compared with the traditional structure with balun input, the sensitivity of this structure can be improved by 2_3dB.
【技术实现步骤摘要】
一种内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器
本专利技术涉及射频通讯
，尤其涉及一种内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器。
技术介绍
随着无线通信技术和CMOS集成电路工艺的的迅猛发展，无线终端小型化、低功耗、低成本、高性能已成为射频集成电路(RFIC)发展的必然趋势。在射频接收机设计中，要得到良好的总体系统性能，关键在于性能优越的前端。射频接收机的第一级模块低噪声放大器(LNA)是其中最关键的电路之一，LNA需要具有良好的噪声系数，并提供足够的增益，以确保整个接收系统具有最小NF；同时当接收信号较大时，应有足够的线性度以减小信号失真。此外低噪声放大器的前级通常为分立的射频带通滤波器，由于滤波器的传输特性与终端所接负载有很大关系，低噪声放大器的输入阻抗必需符合滤波器的规定，在射频领域，该阻抗通常设定为一个统一的纯电阻值50欧姆。当前射频接受机前端模块LNA和mixer使用方案主要有：单端LNA和单平衡混频器；片外Balun、差分LNA和双平衡混频器；以及单端输入差分输出LNA和双平衡混频器。随着电路集成度的提高，特别是随着把RF电路和Baseband电路...
【技术保护点】
1.一种内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，包括输入匹配电路和输出负载匹配电路，其特征在于，还包括相互连接的第一级放大电路和第二级放大电路，所述输入匹配电路与所述第一级放大电路连接，所述第一级放大电路与所述第二级放大电路连接，所述第二级放大电路与所述输出负载匹配电路连接。
【技术特征摘要】
1.一种内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，包括输入匹配电路和输出负载匹配电路，其特征在于，还包括相互连接的第一级放大电路和第二级放大电路，所述输入匹配电路与所述第一级放大电路连接，所述第一级放大电路与所述第二级放大电路连接，所述第二级放大电路与所述输出负载匹配电路连接。2.如权利要求1所述的内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大电路包括一NMOS晶体管M1和一NMOS晶体管M2，所述NMOS晶体管M1放大天线信号，其漏极信号和栅极信号相差180°；所述NMOS晶体管M1的漏极通过隔直电容C3连接NMOS晶体管M2栅极，完成单端转双端的功能。3.如权利要求1所述的内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，其特征在于，所述第二级放大电路包括一NMOS晶体管M3和一NMOS晶体管M4，所述NMOS晶体管M1的漏极连接NMOS晶体管M3的源极，NMOS晶体管M2的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，李宝骐，潘兆琳，
申请(专利权)人：上海磐启微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。