4-8GHz宽带低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术涉及低噪声放大器技术领域，尤其为4‑8GHz宽带低噪声放大器，电路包含两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源极接去耦电容，第二级三极管栅极通过电感、大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路连接电感后与第二级三极管栅极相连；第一级三极管源极加入了直流反馈电阻；第二级三极管漏极连接负反馈电路与其栅极电感连接。本实用新型专利技术，电路结构简单，有效降低了整体电流，合理选择了三极管的尺寸、工作状态，优化了匹配电路，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数。

【技术实现步骤摘要】
4-8GHz宽带低噪声放大器
本技术涉及低噪声放大器
，具体为4-8GHz宽带低噪声放大器。
技术介绍
传统的低噪声放大电路，采用耗尽型工艺制作，耗尽型工艺需要提供负压偏置，增加了应用的复杂性。增强型工艺是一种较晚开发的新型工艺，与耗尽型工艺相比，具有噪声低、增益高、不需负压偏置等优点，但也有工艺波动较大，一致性较差的缺点。
技术实现思路
本技术的目的在于提供4-8GHz宽带低噪声放大器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。所述4-8GHz宽带低噪声放大器具有电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数的特点。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：4-8GHz宽带低噪声放大器，电路包含两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源极接去耦电容，第二级三极管栅极通过电感、大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路连接电感后与第二级三极管栅极相连；第一级三极管源极加入了直流反馈电阻；第二级三极管漏极连接负反馈电路与其栅极电感连接。优选的，负反馈电路为反馈电阻串接电容。优选的，第一级三极管与第二级三极管栅宽相同均采用300um。优选的，第一级放大器选用窄栅宽三极管，第二级放大器采用窄栅宽三极管。与现有技术相比，本技术的有益效果是：有效降低了整体电流，合理选择了三极管的尺寸、工作状态，优化了匹配电路。本器件具有低电流、低噪声的优点。器件采用单电源供电。电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数。附图说明图1为本技术电路结构示意图；图2为本技术电路的增益及增益平坦度测试图；图3为本技术电路的噪声系数测试图；图4为本技术电路的输入反射系数测试图；图5为本技术电路的输出反射系数测试图；图6为本技术电路的输出1dB压缩点测试图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术提供技术方案：4-8GHz宽带低噪声放大器，采用两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器均包含一个三极管。为方便叙述，第一级三极管为Q1，第二级三极管为Q2，Q1漏极通过扼流电感L2接Q2源极；Q2源级接去耦电容C4，Q2栅极通过电感L4、大电阻R4接偏置电压；Q1漏级通过隔直电容、匹配电路(电容C8、电感L6)、电感L7与Q2栅极相连。有效降低了整体电流。Q1的源极加入了直流反馈电阻R5，当工艺出现波动，三极管的电流发生变化时，会在反馈电阻上产生一个反馈电压，从而抵消电流的变化。器件采用单电源供电。射频信号由Q1的栅极输入，由Q2漏极输出，Q2漏极连接负反馈电路(即反馈电阻R6串接电容C7)与其栅极电感L7输入端连接。以下结合图1对本技术作进一步的说明：1、放大器的输入、输出和级间匹配电路的设计与非电流复用结构的设计方法是相同的。2、C1-C7为隔直、去耦电容，L1-L3为扼流电感，其他电容电感为匹配器件。R1-R5分压提供偏置电压，R6为反馈电阻。3、Q1漏极和Q2源极之间的扼流电感通过平面螺旋电感实现。4、Q2的栅极偏置电压为Q1的设计漏压与Q2的栅源电压之和。通过一大电阻R4加到栅极，电阻值应以不影响交流匹配为宜，该电阻也可以用扼流电感代替。5、为了获得好的电流稳定效果，R5上的压降应足够大，即应比工艺漂移大数倍。6、为了提高电路稳定性，在Q2的栅极和漏极增加C7、R6负反馈电路；7、为了获得好的噪声，选取Q1栅宽300um，Q2栅宽300um。根据图1的电路结构，选择适当匹配后，设计的4-8GHz宽带低噪声放大器的实际测试结果参见图2-6。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.4‑8GHz宽带低噪声放大器，其特征在于：电路包含两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源极接去耦电容，第二级三极管栅极通过电感、大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路连接电感后与第二级三极管栅极相连；第一级三极管源极加入了直流反馈电阻；第二级三极管漏极连接负反馈电路与其栅极电感连接。

【技术特征摘要】
1.4-8GHz宽带低噪声放大器，其特征在于：电路包含两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源极接去耦电容，第二级三极管栅极通过电感、大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路连接电感后与第二级三极管栅极相连；第一级三极管源极加入了直流反馈电阻；第二级三极管漏极连接负反馈...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡译文，刘家兵，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34