4-8GHz宽带低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术涉及低噪声放大器技术领域，尤其为4‑8GHz宽带低噪声放大器，电路包含两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源极接去耦电容，第二级三极管栅极通过电感、大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路连接电感后与第二级三极管栅极相连；第一级三极管源极加入了直流反馈电阻；第二级三极管漏极连接负反馈电路与其栅极电感连接。本实用新型专利技术，电路结构简单，有效降低了整体电流，合理选择了三极管的尺寸、工作状态，优化了匹配电路，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数。

【技术实现步骤摘要】
4-8GHz宽带低噪声放大器
本技术涉及低噪声放大器
，具体为4-8GHz宽带低噪声放大器。
技术介绍
传统的低噪声放大电路，采用耗尽型工艺制作，耗尽型工艺需要提供负压偏置，增加了应用的复杂性。增强型工艺是一种较晚开发的新型工艺，与耗尽型工艺相比，具有噪声低、增益高、不需负压偏置等优点，但也有工艺波动较大，一致性较差的缺点。
技术实现思路
本技术的目的在于提供4-8GHz宽带低噪声放大器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。所述4-8GHz宽带低噪声放大器具有电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数的特点。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：4-8GHz宽带低噪声放大器，电路包含两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源极接去耦电容，第二级三极管栅极通过电感、大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路连接电感后与第二级三极管栅极相连；第一级三极管源极加入了直流反馈电阻；第二级三极管漏极连接负反馈电路与其栅极电感连接。优选的，负反馈电路为反馈电阻串接电容。优选的，第一级三极管与第二级三极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.4‑8GHz宽带低噪声放大器，其特征在于：电路包含两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源极接去耦电容，第二级三极管栅极通过电感、大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路连接电感后与第二级三极管栅极相连；第一级三极管源极加入了直流反馈电阻；第二级三极管漏极连接负反馈电路与其栅极电感连接。

【技术特征摘要】
1.4-8GHz宽带低噪声放大器，其特征在于：电路包含两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源极接去耦电容，第二级三极管栅极通过电感、大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路连接电感后与第二级三极管栅极相连；第一级三极管源极加入了直流反馈电阻；第二级三极管漏极连接负反馈...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡译文，刘家兵，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34