半导体激光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种具有稳定的散热性的半导体激光装置。半导体激光装置(100)具备半导体激光元件(10)、载置半导体激光元件(10)的载置体(30)、与载置体(30)连接的基体(40)。基体(40)具有与载置体(30)嵌合的凹部和将凹部的底部的一部分贯通的贯通部。在此，凹部的底部中的除了贯通部之外的剩余部分的厚度为基体(40)的最大厚度的一半以下。载置体(30)的最下表面通过隔着剩余部分而从基体(40)的最下表面分离。

【技术实现步骤摘要】
半导体激光装置本申请是申请号为201310019591.2、申请日为2013年1月18日、专利技术名称为半导体激光装置的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体激光装置。
技术介绍
作为现有技术，已知有一种将载置有“半导体激光元件”的“热沉(heatsink)”(相当于本说明书的“载置体”)嵌入到在“母体”(相当于本说明书的“基体”)上所形成的贯通部中的半导体激光装置(例如专利文献1)。在引用文献1中记载有如下情况：通过使“热沉”在“母体”的背侧露出，能够使“热沉”与“外部的热沉”直接连接，因此使散热性得以提高(参照引用文献1的段落10)。【在先技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开平6-302912号公报但是，以使载置体的最下表面与基体的最下表面一致的方式将两者连接实际上较为困难。这是由于，虽然将载置体和基体使用焊料等并进行加热而连接，但因两者的热膨胀系数之差，而载置体的最下表面与基体的最下表面容易错动。因此，若能够使载置体的最下表面与基体的最下表面一致，则能够得到优良的散热性，但当两者的最下表面错动时，散热性会极端变差，从而存在无法得到稳定的散热性这样的问题。
技术实现思路
一方面涉及的半导体激光装置具备半导体激光元件、载置半导体激光元件的载置体、以及与载置体连接的基体。基体具有与载置体嵌合的凹部和将凹部的底部的一部分贯通的贯通部。在此，凹部的底部中的除了贯通部之外的剩余部分的厚度为基体的最大厚度的一半以下。载置体的最下表面通过隔着剩余部分而从基体的最下表面分离。附图说明图1是一实施方式涉及的半导体激光装置的剖面图。图2是一实施方式涉及的半导体激光装置中使用的基体的剖面图。图3是一实施方式涉及的半导体激光装置的俯视图。图4是一实施方式涉及的半导体激光装置的侧视图。图5是另一实施方式涉及的半导体激光装置的俯视图。【符号说明】100、200···半导体激光装置10···半导体激光元件20···夹设体30···载置体40···基体40a···凹部40b···贯通部50-1···第一引线(リード)端子50-2···第二引线端子60-1···第一金属线60-2···第二金属线具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术涉及的实施方式进行说明。但是，以下所示的实施方式是用于使本专利技术的技术思想具体化的例示，没有将本专利技术限定为以下的实施方式。另外，各附图中所示的构件的位置、大小等存在为了使说明明确而夸张的情况。图1中示出本实施方式涉及的半导体激光装置100的上下方向的剖面图，图3中示出从上方观察半导体激光装置100而得到的俯视图，图4中示出从图1及图3的右侧观察半导体激光装置100而得到的侧视图。另外，图1是图3的线段X-X处的剖面图。另外，图2是半导体激光装置100中使用的基体40的剖面图。如各图所示，半导体激光装置100具备半导体激光元件10、载置半导体激光元件10的载置体30、以及与载置体30连接的基体40。基体40具有与载置体30嵌合的凹部40a、以及将凹部40a的底部的一部分贯通的贯通部40b。在此，凹部40a的底部中的除了贯通部40b之外的剩余部分41的厚度为基体40的最大厚度的一半以下。载置体30的最下表面通过隔着剩余部分41而从基体40的最下表面离开。由此，能够形成为稳定且具有充分优良的散热性的半导体激光装置。以下，进行详细地说明。通常，作为构成载置体的材料，使用使来自半导体激光元件的热容易逸散的热传导率高的金属材料，而作为构成基体的材料，选择热传导率不过于高的金属材料，以使得之后能够对用于气密密封的盖进行焊接等。因而，基体的热传导率大多比载置体的热传导率差。因此，优选使基体的最下表面和载置体的最下表面一致，以使得在将基体和载置体组装后能够使载置体与外部散热部直接接触。这是由于能够使由半导体激光元件产生的热从载置体及基体这双方向外部散热部逸散的缘故。但是，实际上，因基体与载置体的热膨胀差或尺寸不均而难以使两者的最下表面一致，从而难以得到稳定的散热性。因此，在半导体激光装置100中，通过在剩余部分41上配置载置体30的最下表面，从而使载置体30的最下表面从基体40的最下表面强制分离。由此，载置体30的最下表面始终位于比基体40的最下表面靠上方的位置，因此能够抑制装置间的散热性的不均。另外，作为原则，载置体30的最下表面中的与贯通部40b相当的区域不与外部散热部接触，因此认为也会损害散热性。但是，由于使位于载置体30正下方的剩余部分41形成得比较薄，因此不会较大地损害散热性。并且，在贯通部40b使载置体30的最下表面的一部分从基体40露出，因此即使在用于连接载置体30和基体40的连接构件(焊料等)上产生空孔(ボイド)(气孔)，也能够使空孔从成为露出部分的贯通部40b逸散。由此，能够抑制因连接构件中残留空孔而产生的散热性的恶化，因此能够期待更稳定的散热性。以下，对半导体激光装置100中的主要的构成要素进行说明。(半导体激光元件10)关于半导体激光元件10，可以使用公知的元件，例如，可以使用由氮化物半导体构成的元件。半导体激光元件10具备p电极(未图示)及n电极(未图示)。在此，在半导体激光元件10的一侧形成有p电极，在另一侧形成有n电极。半导体激光装置100中能够使用多模(横向多模)的半导体激光元件10。由于多模的半导体激光元件输出比较高，因此当装置的散热性存在离散时，散热性差的部分因热而优先发生劣化。当半导体激光元件因热而发生劣化时，不仅输出降低，而且最坏的情况下，半导体激光元件变得不亮。因此，在散热性稳定的本实施方式的半导体激光装置中使用多模的半导体激光元件10时，能够显著地得到其效果。另外，半导体激光装置的寿命由半导体激光元件的温度决定。本专利技术诸专利技术者研究后发现，在实际上驱动半导体激光装置的状态下，若半导体激光元件的温度上升10℃，则其寿命减半。即，若能够将半导体激光元件的上升温度抑制几℃，则其寿命大幅提高。尤其是在光输出为几W以上的高输出的半导体激光元件中，其发热量也必然性增大，因此装置间不太存在个体差且能够期待优良的散热性的本专利技术非常有前途。(载置体30)载置体30也被称为热沉(ヒ一トシンク)，用于载置半导体激光元件10。另外，由半导体激光元件10产生的热首先向载置体30放散，因此载置体30大多使用铜等散热性优良的金属材料。如图1所示，载置体30的一部分从基体40向上方突出，在该突出的部分的规定的区域固定半导体激光元件10。如图1等所示，在半导体激光装置100中，在载置体30的侧面载置有半导体激光元件10。另外，载置体30的另一部分嵌入到在基体40上形成的凹部40a中，由此将两者连接。在半导体激光装置100中，在半导体激光元件10与载置体30之间夹设有夹设体20(所谓辅助固定件(サブマウント))。例如，通过使夹设体20的热传导率比载置体30的热传导率高，由此能够使由半导体激光元件10产生的热有效地向载置体30逸散。另外，若构成夹设体20的材料使用氮化铝、碳化硅、硅、金刚石等绝缘体，则能够使半导体激光元件10和载置体30绝缘。在此，使用绝缘体作为夹设体20，来使半导体激光元件10和载置体30绝缘。另外，在夹设体20的上表面形成导电层(未图示)，经由导电层来使半导体激光元件和外部通电。(基体40本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光装置，其具备半导体激光元件、载置所述半导体激光元件的载置体、基体、以及引线端子，所述半导体激光装置的特征在于，所述基体具有形成贯通孔的贯通部，所述引线端子在与所述贯通部不同的区域沿基体的上下延伸，所述载置体嵌入所述贯通孔中，所述载置体的一部分从所述基体向上方突出，所述载置体的最下表面比所述基体的最下表面靠上方且从所述基体的最下表面离开。

【技术特征摘要】
2012.01.26 JP 2012-0136721.一种半导体激光装置，其具备半导体激光元件、载置所述半导体激光元件的载置体、基体、以及引线端子，所述半导体激光装置的特征在于，所述基体具有形成贯通孔的贯通部，所述引线端子在与所述贯通部不同的区域沿基体的上下延伸，所述载置体嵌入所述贯通孔中，所述载置体的一部分从所述基体向上方突出，所述载置体的最下表面比所述基体的最下表面靠上方且从所述基体的最下表面离开。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述载置体的最下表面以所述基体的最大厚度的一半以下从所述基体的最下表面离开。3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述载置体的最下表面的一部分被连接构件连接。4.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈久英一郎，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP