具有UBM的封装件和形成方法技术

本发明专利技术讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明专利技术的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。

【技术实现步骤摘要】
具有UBM的封装件和形成方法本申请是于2015年7月22日日提交的申请号为201510434802.8的名称为“具有UBM的封装件和形成方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及具有UBM的封装件和形成方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中，作为实例，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来分割单独的管芯。例如，然后单独地或以多芯片模块或以其他封装类型来分别封装单独的管芯。通过不断减小最小部件尺寸，半导体工业不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度，这允许更多组件集成到给定区域内，。在一些应用中，诸如集成电路管芯的这些较小的电子组件也可能需要比过去的封装件利用更小面积的较小的封装件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种封装件结构，包括：集成电路管芯；密封剂，至少横向密封所述集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装件结构，包括：集成电路管芯；密封剂，至少横向密封所述集成电路管芯；再分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述再分布结构包括远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一介电层；第二介电层，位于所述第一介电层上；连接件支撑金属，连接至所述再分布结构，所述连接件支撑金属具有位于所述第一介电层的第一表面上的第一部分，所述连接件支撑金属的所述第一部分具有掩埋在所述第二介电层中的倾斜侧壁，所述倾斜侧壁在远离所述第一介电层的所述第一表面的方向上延伸；以及外部连接件，位于所述连接件支撑金属上并且设置为通过穿过所述第二介电层的开口。

【技术特征摘要】
2014.09.15 US 62/050,550;2015.01.26 US 14/605,8481.一种封装件结构，包括：集成电路管芯；密封剂，至少横向密封所述集成电路管芯；再分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述再分布结构包括远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一介电层；第二介电层，位于所述第一介电层上；连接件支撑金属，连接至所述再分布结构，所述连接件支撑金属具有位于所述第一介电层的第一表面上的第一部分，所述连接件支撑金属的所述第一部分具有掩埋在所述第二介电层中的倾斜侧壁，所述倾斜侧壁在远离所述第一介电层的所述第一表面的方向上延伸；以及外部连接件，位于所述连接件支撑金属上并且设置为通过穿过所述第二介电层的开口。2.根据权利要求1所述的封装件结构，还包括：粘合层，位于所述连接件支撑金属的所述第一部分的至少部分上并与上面的所述第二介电层邻接。3.根据权利要求2所述的封装件结构，其中，所述连接件支撑金属包括铜，并且所述粘合层是氧化铜。4.根据权利要求2所述的封装件结构，其中，所述外部连接件直接连接至所述连接件支撑金属。5.根据权利要求1所述的封装件结构，其中，所述连接件支撑金属还具有在穿过所述第一介电层的开口中延伸的第二部分，并且在所述连接件支撑金属内部测量的由所述倾...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，李建裕，郭宏瑞，黄立贤，陈宪伟，叶德强，刘重希，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71