CIGS薄膜的制备方法及CIGS薄膜太阳能组件技术

本发明专利技术属于太阳能电池技术领域，公开了一种CIGS薄膜的制备方法及CIGS薄膜太阳能组件。本发明专利技术提供的CIGS薄膜的制备方法包含如下步骤：在基底表面制备具有凹陷和/或凸起的表面结构的钼金属薄膜；在钼金属薄膜的表面制备CIGS薄膜。本发明专利技术所提供的CIGS薄膜的制备方法中，引入了对钼金属薄膜表面形貌的加工处理，在钼金属薄膜的表面形成凹陷和/或凸起结构，从而使得进一步制备的CIGS薄膜与钼金属薄膜之间的接触方式由传统的平面方式转变成局部嵌入式的接触方式，有效提高了CIGS薄膜在钼金属薄膜表面的附着力，以该种CIGS薄膜进一步制备的CIGS薄膜太阳能组件适于进行异型组件制作等复杂加工工序。

【技术实现步骤摘要】
CIGS薄膜的制备方法及CIGS薄膜太阳能组件
本专利技术属于太阳能电池
，特别涉及一种CIGS薄膜的制备方法及CIGS薄膜太阳能组件。
技术介绍
CIGS薄膜太阳能电池是太阳能薄膜电池Cu(InxGa1-x)Se2的简写，主要组成有Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)，具有光吸收能力强、白天发电时间长、发电量高、生产成本低以及能源回收周期短等优点。共蒸发沉积方法是目前铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能组件生产和研究中制备铜铟镓硒吸收层的主流方法之一。共蒸发沉积方法制备CIGS薄膜的具体工艺过程：在高真空环境下，利用电阻丝加热的方式使坩埚中的铜、铟、镓、硒四种材料受热熔化，并以一定的角度和距离进行蒸发，在加热的基底表面进行沉积生长，形成CIGS薄膜。共蒸发沉积方法具有沉积效率高、过程可控性好、重复性好等优点，得到了广泛应用。考虑晶格常数、热膨胀系数以及电导率等影响因素，目前CIGS膜层主要是在钼金属膜层表面进行沉积生长，即首先在基底(玻璃、不锈钢薄膜、聚酰亚胺薄膜等)表面，利用真空磁控溅射沉积镀膜的方法制备一层钼薄膜，然后再利用共蒸发沉积方法在钼层表面沉积CIGS膜层。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CIGS薄膜的制备方法，其特征在于，包括：S1、在基底表面制备具有凹陷和/或凸起的表面结构的钼金属薄膜；S2、在所述钼金属薄膜的表面制备CIGS薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种CIGS薄膜的制备方法，其特征在于，包括：S1、在基底表面制备具有凹陷和/或凸起的表面结构的钼金属薄膜；S2、在所述钼金属薄膜的表面制备CIGS薄膜。2.根据权利要求1所述的CIGS薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：S11、在基底表面制备平面钼金属薄膜；S12、对所述平面钼金属薄膜进行刻划或刻蚀，形成所述具有凹陷和/或凸起的表面结构的钼金属薄膜。3.根据权利要求2所述的CIGS薄膜的制备方法，其特征在于，所述刻划包括激光刻划或机械刻划；所述刻蚀包括等离子体刻蚀或溶液刻蚀。4.根据权利要求1所述的CIGS薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：在制备钼金属薄膜的过程中设置掩模，形成所述具有凹陷和/或凸起的表面结构的钼金属薄膜。5.根据权利要求1所述的CIGS薄膜的制备方法，其特征在于，所述钼金属薄膜的厚度为300～500nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵树利，杨立红，陈涛，
申请(专利权)人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11