半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置的制造方法，包括在半导体装置的第一表面上沉积抑制剂层，通过实施第一组沉积循环在第二表面上沉积膜，每一个沉积循环包含在第二表面上方吸附第一前驱物，实施第一吹净工艺，在第二表面上方吸附第二前驱物，以及实施第二吹净工艺。半导体装置的制造方法还包含实施与第一吹净工艺或第二吹净工艺不同的第三吹净工艺。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开实施例涉及半导体技术，特别涉及鳍式场效晶体管的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
集成电路(IntegratedCircuit，IC)的材料和设计上的技术进展已经产生了数个世代的集成电路，每一世代皆较前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进的历程中，当几何尺寸缩减时，功能密度(例如单位芯片面积的互连装置数量)通常也增加。此尺寸缩减的工艺通过提高生产效率和降低相关成本而提供了一些效益。这样的尺寸缩减也增加了集成电路的工艺和生产的复杂性，且为了实现这些进展，在集成电路的工艺和生产方面需要相似的发展。举例来说，已经导入鳍式场效晶体管(FinFieldEffectTransistor，FinFETs)以取代平面式晶体管。目前已开发出鳍式场效晶体管的结构及制造鳍式场效晶体管的方法。鳍式场效晶体管的制造通常包含形成半导体鳍，在半导体鳍上形成虚设栅极电极，蚀刻半导体鳍的末端部分，实施外延以重新生长源极/漏极区，以及在栅极电极和源极/漏极区上形成接触插塞。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，提供半导体装置的制造方法。此方法包含在半导体装置的第一表面上沉积抑制剂层；通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在一半导体装置的一第一表面上沉积一抑制剂层；通过实施一第一组沉积循环，在该半导体装置的一第二表面上沉积一膜，其中每一个沉积循环包括：在该第二表面上方吸附一第一前驱物；实施一第一吹净工艺；在该第二表面上方吸附一第二前驱物；以及实施一第二吹净工艺；以及实施不同于该第一吹净工艺或该第二吹净工艺的一第三吹净工艺。

【技术特征摘要】
2017.04.26 US 62/490,468;2017.09.01 US 15/694,6361.一种半导体装置的制造方法，包括：在一半导体装置的一第一表面上沉积一抑...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐志安，卢柏全，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71