制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置制造方法及图纸

一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，及对鳍式结构的此部分执行蚀刻制程以减小鳍式结构的此部分的宽度。

【技术实现步骤摘要】
制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置
本专利技术实施例是有关一种半导体装置；特别是关于一种具有减小宽度的鳍式场效晶体管；及关于一种具有减小宽度的鳍式场效晶体管的制备方法。
技术介绍
在半导体集成电路(integratedcircuit；IC)工业中，半导体集成电路材料及设计的技术进步已经产生了数代半导体集成电路，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在半导体集成电路发展的过程中，随着几何尺寸(即，使用制造制程可制造的最小元件(或线路))减小，功能密度(即，单位晶片面积的互连装置的数目)普遍地增加。这种缩小过程通常通过提高生产效率及降低额外成本而提供益处。这种缩小过程亦增大了半导体集成电路处理及制造的复杂性。鳍式场效晶体管(FinFieldEffectTransistor，FinFET)为可被制造的一类半导体装置。在鳍式场效晶体管中，鳍片形状半导体结构形成于基板上。随后，形成包覆此鳍式结构的栅极装置。另外，在邻近于栅极结构的鳍式结构内，接着形成诸如源极/漏极区的主动区域。栅极装置及邻近的源极/漏极区因而形成具有通道的晶体管，此通道延伸穿过在此栅极下的鳍式结构。理想的鳍式结构具有充本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：在一基板上形成一鳍式结构；形成一包覆该鳍式结构的虚设栅极结构；量测该鳍式结构的一宽度；在该鳍式结构上方沉积一层间介电层；移除该虚设栅极结构；以及对于确定该宽度超过一预定阈值宽度值做出反应，而对该鳍式结构的一暴露部分执行一蚀刻制程，以减小该鳍式结构的该暴露部分的一宽度。

【技术特征摘要】
2017.04.28 US 15/581,2061.一种制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：在一基板上形成一鳍式结构；形成一包覆该鳍式结构的虚设栅极结构；量测该鳍式结构的一宽度；在该鳍式结构上方沉积一层间介电层；移除该虚设栅极结构；以及对于确定该宽度超过一预定阈值宽度值做出反应，而对该鳍式结构的一暴露部分执行一蚀刻制程，以减小该鳍式结构的该暴露部分的一宽度。2.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，进一步包含，在该鳍式结构的该暴露部分上方沉积一介电材料。3.如权利要求2所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，进一步包含，在该介电材料上方沉积一金属栅极层。4.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，进一步包含，在移除该虚设栅极结构之前，在该虚设栅极结构的两侧上的该鳍式结构内形成源极/漏极区。5.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，在该蚀刻制程之后，在该鳍式结构的该暴露部分与该鳍式结构的一未暴露部分之间的该鳍式结构的一宽度逐渐地...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯家馨，谢振宇，许哲源，吴明园，郑旭傑，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71