电极结构及其制备方法、阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种电极结构，其包括形成在衬底上的铜金属层，所述铜金属层自上表面起的第一深度范围内掺杂有第一金属离子，所述第一金属离子与铜晶粒通过金属键结合形成铜合金层；其中，所述第一深度小于所述铜金属层的厚度，所述第一金属离子为具有耐腐蚀性并且离子半径小于铜晶粒间隙的金属离子。如上所述的电极结构的制备方法包括：在衬底上沉积形成所述铜金属层；应用离子注入工艺向所述铜金属层的所述第一深度范围内注入所述第一金属离子；应用真空退火工艺对所述铜金属层进行退火处理，使所述第一金属离子与铜晶粒通过金属键结合形成所述铜合金层。本发明专利技术提供的电极结构，应用于半导体器件中，其可以提升半导体器件的信号传输能力。

【技术实现步骤摘要】
电极结构及其制备方法、阵列基板
本专利技术涉及平板显示
,尤其涉及一种应用于半导体器件的电极结构及其制备方法，还涉及一种包含所述半导体器件的阵列基板。
技术介绍
平板显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机电致发光显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板是是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上。随着显示面板的分辨率升高和尺寸的增大，信号延迟现象将更加严重，降低布线电阻成为一项迫切的需求。铜(Cu)的导电性仅次于银(Ag)，而且原材料价格低廉，被认为是最有希望的低电阻率布线材料，现有技术中已有使用铜作为阵列基板上的布线材料，例如是使用铜作为阵列基板上的薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极等。然而，使用铜作为阵列基板上的布线材料，其面临的一个问题是：现有的阵列基板的工艺中，在沉积形成铜薄膜层之后，对铜薄膜层进行黄光制程和刻蚀制程时，铜薄膜层都是暴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电极结构，包括形成在衬底上的铜金属层，其特征在于，所述铜金属层自上表面起的第一深度范围内掺杂有第一金属离子，所述第一金属离子与铜晶粒通过金属键结合形成铜合金层；所述第一深度小于所述铜金属层的厚度，所述第一金属离子为具有耐腐蚀性并且离子半径小于铜晶粒间隙的金属离子。

【技术特征摘要】
1.一种电极结构，包括形成在衬底上的铜金属层，其特征在于，所述铜金属层自上表面起的第一深度范围内掺杂有第一金属离子，所述第一金属离子与铜晶粒通过金属键结合形成铜合金层；所述第一深度小于所述铜金属层的厚度，所述第一金属离子为具有耐腐蚀性并且离子半径小于铜晶粒间隙的金属离子。2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述第一金属离子选自镍离子、钨离子和钽离子中的一种或两种以上。3.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，所述第一深度的大小为4.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述铜金属层和所述衬底之间设置有连接金属层。5.根据权利要求4所述的电极结构，其特征在于，所述连接金属层的材料为钼或钛或两者的组合。6.根据权利要求5所述的电极结构，其特征在于，所述连接金属层的厚度为7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44