薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板制造技术

提供了一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极和绝缘层。半导体层包括源电极、漏电极以及设置在源电极和漏电极之间的沟道部。栅电极设置在沟道部上，并且沿与半导体层的沟道长度方向交叉的方向延伸。绝缘层包括设置在栅电极和沟道部之间的第一区域以及连接到第一区域且从第一区域沿与栅电极的延伸方向相同的方向延伸的第二区域。源电极或漏电极的氢含量在比绝缘层的第二区域的氢含量大大约10％的最大氢含量与比绝缘层的第二区域的氢含量小大约10％的最小氢含量之间的范围内。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板本申请要求于2016年7月5日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0084909号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种薄膜晶体管，更具体地，涉及一种包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)用在诸如平板显示器的各种电子装置中。例如，薄膜晶体管可以用作平板显示器中的开关元件或驱动元件。平板显示器可以是液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器或电泳显示器。薄膜晶体管可以包括栅电极、源电极、漏电极和半导体。栅电极可以连接到传输扫描信号的栅极线。源电极可以与传输施加到像素电极的信号的数据线连接。漏电极可以面对源电极。半导体可以电连接到源电极和漏电极中的每个。半导体可以决定薄膜晶体管的特性。半导体可以包括硅(Si)。可以根据结晶类型将硅划分为非晶硅和多晶硅。非晶硅可以具有相对简单的制造工艺。然而，非晶硅具有相对低的电荷迁移率，使得在制造高性能的薄膜晶体管方面存在限制。多晶硅具有相对高的电荷迁移率。然而，需要使硅结晶的工艺。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：半导体层，包括源电极、漏电极以及设置在所述源电极和所述漏电极之间的沟道部；栅电极，设置在所述沟道部上，并且沿与所述半导体层的沟道长度方向交叉的方向延伸；以及绝缘层，包括设置在所述栅电极和所述沟道部之间的第一区域以及连接到所述第一区域且从所述第一区域沿与所述栅电极的延伸方向相同的方向延伸的第二区域，其中，所述源电极的氢含量或所述漏电极的氢含量在比所述绝缘层的所述第二区域的氢含量大10％的最大氢含量与比所述绝缘层的所述第二区域的氢含量小10％的最小氢含量之间的范围内。

【技术特征摘要】
2016.07.05 KR 10-2016-00849091.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：半导体层，包括源电极、漏电极以及设置在所述源电极和所述漏电极之间的沟道部；栅电极，设置在所述沟道部上，并且沿与所述半导体层的沟道长度方向交叉的方向延伸；以及绝缘层，包括设置在所述栅电极和所述沟道部之间的第一区域以及连接到所述第一区域且从所述第一区域沿与所述栅电极的延伸方向相同的方向延伸的第二区域，其中，所述源电极的氢含量或所述漏电极的氢含量在比所述绝缘层的所述第二区域的氢含量大10％的最大氢含量与比所述绝缘层的所述第二区域的氢含量小10％的最小氢含量之间的范围内。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源电极和所述漏电极中的每个的氢含量比所述沟道部的氢含量大且比所述绝缘层的所述第二区域的氢含量小。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述绝缘层的所述第二区域的氢含量比所述绝缘层的所述第一区域的氢含量大且比所述源电极的氢含量或漏电极的氢含量小。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述绝缘层和所述栅电极的延伸长度小于所述半导体层的延伸长度。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极的第一端与所述绝缘层的所述第一区域接触，栅极线连接到所述栅电极的第二端。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道部包围所述源电极或所述漏电极。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成虎，申旼澈，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR