显示基板及其制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的遮光层的图案；和设置在所述衬底基板上的有源层的图案。所述遮光层的图案与所述有源层的图案在所述衬底基板上的位置对应，并且，所述遮光层的图案由经离子掺杂的非晶硅层形成。本发明专利技术的实施例还提供一种显示基板的制造方法和包括该显示基板的显示装置。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制造方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板、显示基板的制造方法以及包括该显示基板的显示装置。
技术介绍
目前，在各种显示装置的显示基板中，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)被大量使用。TFT的有源层一般使用稳定性和加工性较好的非晶硅(a-Si)材料，但是，由于非晶硅本身自有的缺陷问题，如开态电流低、迁移率低、稳定性差等，使它在很多领域的应用受到了限制。为了弥补非晶硅本身缺陷，扩大在相关领域的应用，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)技术应运而生。采用LTPS工艺的液晶显示装置具有较高的电子迁移率、能够有效减小TFT的面积以提升像素的开口率，并且在增强显示亮度的同时能够降低功耗及生产成本，所以，它已成为液晶显示领域的研宄热点。现有的LTPSTFT一般采用顶栅结构，但是，在顶栅结构的TFT中，为了避免背光源的强光直接照射背沟道产生漏电流，一般需要在在有源层之前形成一层遮光层。目前，通常采用金属Mo等金属材料形成遮光层。在制造这类LPTSTFT时，一般使用掩膜板通过单独的一次构图工艺来形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的遮光层的图案；和设置在所述衬底基板上的有源层的图案；其中，所述遮光层的图案与所述有源层的图案在所述衬底基板上的位置对应，并且，所述遮光层的图案由经离子掺杂的非晶硅层形成。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的遮光层的图案；和设置在所述衬底基板上的有源层的图案；其中，所述遮光层的图案与所述有源层的图案在所述衬底基板上的位置对应，并且，所述遮光层的图案由经离子掺杂的非晶硅层形成。2.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：缓冲层，该缓冲层设置在衬底基板上；第一绝缘层的图案，该第一绝缘层的图案设置在缓冲层上；和第二绝缘层的图案，该第二绝缘层的图案设置在遮光层的图案上，其中，所述遮光层的图案设置在所述第一绝缘层的图案上，并且所述有源层的图案设置在所述第二绝缘层的图案上。3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述缓冲层、第一绝缘层的图案、遮光层的图案、第二绝缘层的图案和有源层的图案从下至上依次堆叠于所述衬底基板上。4.根据权利要求1-3中任一项所述的显示基板，其中，所述有源层的图案在所述衬底基板上沿垂直于衬底基板的方向的投影位于所述遮光层的图案在所述衬底基板上沿垂直于衬底基板的方向的投影内。5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述遮光层的图案的厚度为6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述遮光层的图案的厚度为7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述遮光层的图案由掺杂硼离子或磷离子的非晶硅层形成。8.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述有源层的图案包括多晶硅材料。9.根据权利要求2或3所述的显示基板，其中，所述缓冲层包括氮化硅材料。10.根据权利要求2或3所述的显示基板，其中，所述缓冲层的厚度为11.根据权利要求2或3所述的显示基板，其中，所述第一绝缘层的图案和所述第二绝缘层的图案由刻蚀速率相同的材料构成。12.根据权利要求2或3所述的显示基板，其中，所述第一绝缘层的图案和所述第二绝缘层的图案包括氧化硅材料。13.根据权利要求2或3所述的显示基板，其中，所述第一绝缘层的图案的厚度为所述第二绝缘层的图案的厚度为14.一种显示装置，包括根据权利要求1-13中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚琪，曹占锋，张锋，王久石，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11