一种用于测量二维半导体材料的磁阻的装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于测量二维半导体材料的磁阻的测量装置，包括：绝缘衬底层；第一金属栅极层，所述第一金属栅极层设置于所述绝缘衬底层的上方；二维半导体材料层，所述二维半导体材料层设置于所述第一金属栅极层的上方；第二金属栅极层，所述第二金属栅极层设置于所述二维半导体材料层的上方；以及测量仪器，所述测量仪器通过导线连接在第一金属栅极层和第二金属栅极层之间。本发明专利技术公开的测量装置结构简单，并且能够利用该测量装置精确地获得不同的有机半导体材料的磁阻，进而可以得到不同有机材料器件在不同温度，不同的电场强度，磁场以及载流子浓度下的有机磁阻效应。本发明专利技术还提供了一种制作该器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
一种用于测量二维半导体材料的磁阻的装置及其制作方法
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种用于测量二维半导体材料的磁阻的装置及其制作方法。
技术介绍
当前，新型的二维半导体材料由于其优越的光，电及热等特性被广泛的应用于半导体装置上。但是，相对于光、电及热效应，磁效应在二维材料中的研究则较少。人们通过研究发现，许多金属和半导体材料，如Co、Ni、Si、Ge、有机半导体等，在外加一个小的磁场作用下，材料的电阻将会发生具有巨大的变化，这种效应被称作磁阻效应。即，磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。这种现象主要是由于金属或半导体的载流子在磁场中运动时，由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用，产生了磁阻效应。二维半导体材料作为一种新型的半导体材料，其既表现出半导体特征，同时出具有低维材料的特性，因此，如果在二维半导体材料中外加磁场作用，其载流子在磁场中发生运动时，也将会受到电磁场的作用而产生洛伦兹力作用，既将产生磁阻效应。目前，有关二维半导体材料的磁阻效应研究较少，为了更好地研究和发展二维半导体材料电子器件，同时更好地推动二维电子器件的实用化，需要开发一种结构简单并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于测量二维半导体材料的磁阻的装置，包括：绝缘衬底层；第一金属栅极层，所述第一金属栅极层设置于所述绝缘衬底层的上方；二维半导体材料层，所述二维半导体材料层设置于所述第一金属栅极层的上方；第二金属栅极层，所述第二金属栅极层设置于所述二维半导体材料层的上方；以及测量仪器，所述测量仪器通过导线连接在第一金属栅极层和第二金属栅极层之间。

【技术特征摘要】
1.一种用于测量二维半导体材料的磁阻的装置，包括：绝缘衬底层；第一金属栅极层，所述第一金属栅极层设置于所述绝缘衬底层的上方；二维半导体材料层，所述二维半导体材料层设置于所述第一金属栅极层的上方；第二金属栅极层，所述第二金属栅极层设置于所述二维半导体材料层的上方；以及测量仪器，所述测量仪器通过导线连接在第一金属栅极层和第二金属栅极层之间。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述绝缘衬底层为具有200nm厚二氧化硅的硅衬底或玻璃衬底，所述硅衬底或玻璃衬底的厚度为1mm-10mm。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一金属栅极层，和/或第二金属栅极层由铂、金、铜、银中的至少一种组成。4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一金属栅极层，和/或第二金属栅极层的宽度为1mm～2mm，厚度为100nm～500nm。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述二维半导体材料层由至少一层二维半导体材料构成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢年端，李泠，耿玓，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11