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本发明公开了一种用于测量二维半导体材料的磁阻的测量装置，包括：绝缘衬底层；第一金属栅极层，所述第一金属栅极层设置于所述绝缘衬底层的上方；二维半导体材料层，所述二维半导体材料层设置于所述第一金属栅极层的上方；第二金属栅极层，所述第二金属栅极层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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