贴片式薄膜电容器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种贴片式薄膜电容器，包括：电容芯子11、喷金层12及锡层13，所述喷金层12位于所述电容芯子11两端，所述锡层13位于所述喷金层12表面，所述喷金层12沿所述电容芯子11厚度方向形成突起结构14。本实用新型专利技术提供的贴片式薄膜电容器，通过在通过在贴片式薄膜电容器的电容芯子沿厚度方向形成喷金层突起结构，可以有效的解决贴片式薄膜电容器因切片毛刺或者杂质引起的焊接不良问题；此外，该方案结构简单，可行性高，且易于实现批量化生产。

【技术实现步骤摘要】
贴片式薄膜电容器
本技术涉及电子元器件领域，特别涉及一种贴片式薄膜电容器。
技术介绍
薄膜电容器具有耐压高、寿命长、低损耗等优点，被广泛用于电子设备中。传统的薄膜电容通常采用直插式安装于电路板中，该方式的缺点在于薄膜电容器所占用的空间体积较大，且无法实现自动化安装。因此，在电子设备体积越来越小、自动化要求越来越高的情况下，直插式薄膜电容器已逐渐被淘汰，取而代之的是贴片式薄膜电容器。贴片式薄膜电容器没有引线的结构，且其采用回流焊的焊接方式进行焊接，因此有效的解决了直插式薄膜电容器存在的上述问题，目前越来越多地被应用于各种电子设备中。但是，贴片式薄膜电容器容易受到端面毛刺或者其他杂质的影响，容易出现虚焊等焊接不良的情况，严重的影响了电子设备的质量。
技术实现思路
为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本技术提出一种贴片式薄膜电容器，通过在贴片式薄膜电容器的电容芯子沿厚度方向形成喷金层突起结构，可以有效的解决贴片式薄膜电容器因切片毛刺或者杂质引起的焊接不良问题。具体的，本技术的一个实施例提供了一种贴片式薄膜电容器，该贴片式薄膜电容器10包括：电容芯子11、喷金层12及锡层13，所述喷金层12位于所述电容芯子11两端，所述锡层13位于所述喷金层12表面，所述喷金层12沿所述电容芯子11厚度方向形成突起结构14。在本技术的一个实施例中，所述突起结构14的高度为0.3～0.5mm。与现有技术相比，本技术至少具有以下有益效果：1.本技术提供的贴片式薄膜电容器，通过在通过在贴片式薄膜电容器的电容芯子沿厚度方向形成喷金层突起结构，可以有效的解决贴片式薄膜电容器因切片毛刺或者杂质引起的焊接不良问题；2.该方案工艺简单，可行性高，且易于实现批量化生产。附图说明下面将结合附图，对本技术的具体实施方式进行详细的说明。图1为本技术实施例提供的一种贴片式薄膜电容器的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种电容芯子的结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种有效层的结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种金属化薄膜的结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本技术做进一步详细的描述，但本技术的实施方式不限于此。实施例一请参见图1，图1为本技术实施例提供的一种贴片式薄膜电容器的结构示意图；该贴片式薄膜电容器10，包括：电容芯子11、喷金层12及锡层13，所述喷金层12位于所述电容芯子11两端，所述锡层13位于所述喷金层12表面，所述喷金层12沿所述电容芯子11厚度方向形成突起结构14。为保证突起结构14的强度，所述突起结构14的高度应控制在0.3～0.5mm。进一步地，所述突起结构14的表面应光滑无异常突起，以增大其焊接面积。贴片式薄膜电容器往往由于工艺的原因会在电容芯子11的边缘形成毛刺，在将贴片式薄膜电容器焊接在电路板上时，可能会因为该毛刺造成锡层13与电路板接触效果不好或者电容芯子两端的锡层13受力不均匀而造成贴片式薄膜电容器出现虚焊或者其他焊接不良的现象。在本方案中，通过在喷金层12边缘形成突起结构14，可以有效的避免上述焊接不良现象，从而极大地提高了电子产品的质量。进一步地，所述突起结构14的表面应光滑无异常突起，以增大其焊接面积。进一步地，请参见图2，图2为本技术实施例提供的一种电容芯子的结构示意图；电容芯子11包括：有效层111与保护层112，其中，所述保护层112分别设置于所述有效层111上下表面。进一步地有效层111与保护层112均采用聚苯硫醚(Polyphenylenesulfide，简称PPS)材料。PPS材料是一种高温薄膜材料，用作薄膜电容器时，在高温下进行焊接或其他处理，其薄膜材料的收缩变化量极小；此外，PPS材料还具有极化损耗小、防潮效果好、温度特性及频率特性均优良的特性，因此越来越多地被用于制作贴片式薄膜电容器。进一步地，请参见图3，图3为本技术实施例提供的一种有效层的结构示意图；该有效层111由多层金属化薄膜1111交错层叠形成。在该结构中，每相邻的两层薄膜都形成电容结构。经喷金层12连接后，多层金属化薄膜1111之间形成的电容结构为并联关系，因此，薄膜电容器的电容量为这些形成的所有电容结构的电容量之和。进一步，请参见图4，图4为本技术实施例提供的一种金属化薄膜的结构示意图；该金属化薄膜1111包括介质层11111、金属镀层11112及留边111113，其中，所述金属镀层11112通过蒸镀工艺淀积在所述介质层11111的其中一个表面，而未淀积金属镀层11112的介质层11111部分形成所述留边111113。多层金属化薄膜1111交错层叠后，相邻两层金属化薄膜1111的金属镀层11112正对的有效面积形成电容结构。整个薄膜电容器的电容量为所有电容结构的电容量之和。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种贴片式薄膜电容器(10)，包括：电容芯子(11)、喷金层(12)及锡层(13)，所述喷金层(12)位于所述电容芯子(11)两端，所述锡层(13)位于所述喷金层(12)表面，其特征在于，所述喷金层(12)沿所述电容芯子(11)厚度方向形成突起结构(14)。

【技术特征摘要】
1.一种贴片式薄膜电容器(10)，包括：电容芯子(11)、喷金层(12)及锡层(13)，所述喷金层(12)位于所述电容芯子(11)两端，所述锡层(13)位于所述喷金层(12)表面，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，
申请(专利权)人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61