吸附构件制造技术

吸附构件具备基部(3)和多个凸部(2)。所述基部(3)具有第一面(4)。所述凸部(2)具有与所述第一面(4)相连的侧面(6)及与该侧面(6)相连的顶面(5)。所述侧面(6)具备向从所述第一面(4)离开的方向延伸的多个突条部(7)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】吸附构件
本公开涉及吸附并保持被吸附体的吸附构件。
技术介绍
在半导体元件的制造工序中，广泛地使用吸附并保持例如硅半导体基板等基板的吸附构件。在保持基板时，存在如下问题：由于基板与吸附构件的摩擦而产生的微粒、或者进入到吸附构件的表面存在的伤痕、气孔等中的微粒会向基板附着。例如在曝光工序中，如果在基板的背面与吸附构件的接触面之间夹入微粒，则会产生基板的局部性的凸起，曝光的焦点未对合而产生形成于基板的电路图案的不良。为了抑制这样的不良所引起的成品率下降而使用如下吸附构件，该吸附构件在主面配置有多个凸部，并将该凸部的顶面作为与基板进行接触的接触面。例如日本特开平10-242255号公报公开了对由陶瓷构成的基体的表面进行喷丸处理而以尖头形状形成有多个凸部的吸附构件。另外，日本特开平10-92738号公报公开了在由烧结的碳化硅构成的基体上通过化学气相生长法(CVD法；ChemicalVaperDeposition)成膜出规定厚度的表面层，将除了与基板接触的部分之外的部分通过激光加工除去而形成有凸部的吸附构件。另外，日本特开2012-119378号公报公开了对于由陶瓷构成的基体的表面照射激光而形成有多个凸部的吸附构件。
技术实现思路
本公开的吸附构件具备基部和多个凸部。基部具有第一面。凸部具有与第一面相连的侧面及与侧面相连的顶面。侧面具备向从第一面离开的方向延伸的多个突条部。附图说明图1是表示本公开的吸附构件及作为被吸附体的基板的简要立体图。图2是表示本公开的吸附构件的凸部的一例的图，(a)是凸部附近的剖视图，(b)是凸部附近的简要俯视图。图3是将本公开的吸附构件的凸部沿中心线剖开的剖视图。图4是表示本公开的吸附构件的凸部的另一例的剖视图。图5是表示本公开的吸附构件的凸部的又一例的剖视图。图6是表示本公开的吸附构件的制作时的向基体照射激光的激光照射方法的图。图7是说明本公开的吸附构件的制作时的凸部形状的图，(a)是第一加工工序后的状态，(b)是第二加工工序后的状态的说明图。图8是表示图1所示的吸附构件的凸部的一例的电子显微镜照片。图9是表示图1所示的吸附构件的凸部的另一例的电子显微镜照片。具体实施方式关于本公开的吸附构件，参照附图进行说明。图1是表示本实施方式的吸附构件10及作为被吸附体的基板11的简要立体图。图2是说明吸附构件10的凸部2的图，(a)是凸部2的附近的剖视图，(b)是凸部2的附近的简要俯视图。图3是说明图2所示的吸附构件10的凸部2的图，是将凸部2沿中心线剖开的剖视图。在具备这样的凸部2的吸附构件10中，要求从凸部10向被吸附体11的微粒的附着少且凸部2的机械强度比较高。本公开的吸附构件10具备基部3和多个凸部2。基部3具有第一面4。凸部2具有与第一面4相连的侧面6及与侧面6相连的顶面5。侧面6具备向从第一面4离开的方向延伸的多个突条部7。基部3为大致圆板状，具有作为表面的第一面4和位于第一面的背侧的第二面，凸部2位于第一面4。在第一面4上，在凸部2的根部部分可以具有槽，包括该槽在内称为第一面4。凸部2形成为随着朝向顶面5而直径减小的大致圆锥台状。顶面5成为与基板11即被吸附体11接触的接触面，吸附构件10与被吸附体11的接触面积比较小。由于接触面积比较小，因此吸附被吸附体11时的微粒的产生及微粒向被吸附体11的附着比较少。而且，突条部7作为提高凸部2的弯曲刚性的梁发挥功能，凸部2的机械强度变得比较高。即，凸部2的顶面5的面积比较小，且机械强度比较高。而且，吸附构件10通过在凸部2的侧面6形成突条部7而使凸部2的表面积变得比较大。由此，能抑制与被吸附体11的升温相伴的吸附构件10的温度上升，也能抑制吸附构件10自身的局部性的温度变动。在凸部2的侧面6例如一周形成10～100根左右的突条部7。突条部7的个数越多，则凸部2的表面积越大而散热性越高，且机械强度越高。如图2的(a)、(b)所示，突条部7可以与第一面4相连。如果为这样的结构，则特别是能够提高凸部2的根部的强度。凸部2的顶面5的面积可以小于凸部2的与第一面4相连的位置的面积。在本公开的吸附构件10中，凸部2与基部3一体形成。吸附构件10由于顶面5的面积小于与第一面4相连的位置的面积，因此在顶面5及侧面6的交叉部附近难以附着微粒。而且，凸部2由于根部部分的直径大于顶面5侧的直径，因此在向凸部2施加了外力时，能抑制凸部2从根部附近发生破损的情况。图3是说明图1所示的吸附构件10的凸部2的图，是将凸部2沿中心线剖开的剖视图。在侧面6中，将从顶面5至突条部7为止的部分设为第一侧面6a，将突条部7所在的部分设为第二侧面6b时，在凸部2的侧视观察下，在第一侧面6a中，第一侧面6a与第二侧面6b的交界9处的宽度最宽，在第二侧面6b中，第二侧面6b的宽度可以比所述交界处的宽度宽。需要说明的是，从顶面5至突条部7为止的部分是指从顶面5至突条部7的上端为止的区域，是不包含突条部7在内的区域。在比交界9接近第一面4的、称为凸部2的根部部分的第二侧面6b中，由于与第一面4平行的截面积比较大，因此机械强度比较高。在比交界9接近顶面5的第一侧面6a中，以交界9为界而截面积变小，因此接近被吸附体11的部分处的侧面6的面积也变得比较小。另外，第一侧面6a在与第二侧面6b相连的部分可以具备阶梯部61。通过这样具备阶梯部61，在交界9的附近，凸部2的截面积随着接近顶面5而急剧变小。通过这样具有阶梯部61，能够增大凸部2的与第一面相连的位置的面积8和顶面5的面积之差，能够进一步减小顶面5。需要说明的是，阶梯部61是指例如与第一面4所成的角度为0°以上且15°以下的阶梯部61。另外，在凸部2的侧视观察下，第一侧面6a的宽度可以随着接近顶面5而逐渐减小。这样的第一侧面6a由于多余的凹凸少，因此微粒难以附着，且顶面5的面积(接触面积)小。另外，在凸部2的侧视观察下，第二侧面6b的宽度可以随着接近第一面4而逐渐增加。这样的第二侧面6b由于多余的凹凸少，因此微粒难以附着，凸部2的与第一面4相连的位置的面积充分大，因此机械强度高。从充分地抑制微粒的附着并实现充分的机械强度的观点出发，凸部2的高度L1优选设为凸部2的顶面5的直径Φt的1倍～3倍左右。而且，凸部2与基部3的交界部可以成为圆角形状。另外，在将吸附构件10作为在凸部2载置被吸附体11并进行真空吸附的真空卡盘来使用的情况下，通过将凸部2形成得高，能够使对被吸附体11进行真空吸附时的真空响应性(从将被吸附体载置于吸附构件到对被吸附体进行真空吸附为止的响应速度)比较高。从对被吸附体11进行真空吸附时的真空响应性良好的观点出发，凸部2的顶面5的直径Φt优选为200μm以下，特别优选为100μm以下，高度L优选为100μm以上，特别优选为300μm以上。另外，第一侧面6a的每单位面积的气孔的个数可以比第二侧面6b的每单位面积的气孔的个数少。存在于侧面6的气孔容易成为微粒的产生源、附着部。在接近于顶面5这侧的第一侧面6a的每单位面积的气孔的个数比较少的情况下，能够减少微粒的产生，因此优选。关于第一侧面6a及第二侧面6b的每单位面积的气孔的个数，只要使用500倍的倍率的扫描型电子显微镜，将横向的长度为0.25mm且纵向的长度为0.20m本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种吸附构件，其特征在于，所述吸附构件具备基部和多个凸部，所述基部具有第一面，所述凸部具有与所述第一面相连的侧面及与该侧面相连的顶面，所述侧面具备向从所述第一面离开的方向延伸的多个突条部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.30 JP 2016-0678501.一种吸附构件，其特征在于，所述吸附构件具备基部和多个凸部，所述基部具有第一面，所述凸部具有与所述第一面相连的侧面及与该侧面相连的顶面，所述侧面具备向从所述第一面离开的方向延伸的多个突条部。2.根据权利要求1所述的吸附构件，其特征在于，所述突条部与所述第一面相连。3.根据权利要求1或2所述的吸附构件，其特征在于，所述凸部形成为，所述顶面的面积比该凸部的与所述第一面相连的位置的面积小。4.根据权利要求3所述的吸附构件，其特征在于，将所述侧面中从所述顶面至所述突条部为止的部分设为第一侧面且将所述突条部所在的部分设为第二侧面时，在所述凸部的侧视观察下，在所述第一侧面中，该第一侧面与所述第二侧面的交界处的宽度最宽，在所述第二侧面中，该第二侧面的宽度比所述交界处的宽度宽。5.根据权利要求4所述的吸附构件，其特征在于，所述第一侧面在与所述第二侧面相连的部分具有阶梯部。6.根据权利要求4或5所述的吸附构件，其特征在于，在所述凸部的侧视观察下，所述第一侧面的宽度随着接近所述顶面而逐渐减小。7.根据权利要求4～6中任一项所述的吸附构件，其特征在于，在所述凸部的侧视观察下，第二侧面的宽度随着接近所述第一面而逐渐增加。8.根据权利要求4～7中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上彻弥，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP