静电吸盘制造技术

本发明专利技术提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面的相反侧的第2主面；及基座板，设置于所述第2主面侧，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述基座板具有调整所述处理对象物的温度的介质通过的第1连通路，所述第1连通路具有上面、侧面及下面，相对于所述第1连通路的高度，在所述上面上的最大高度Sz的偏差之比为1％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电吸盘
本专利技术的形态一般涉及一种静电吸盘。
技术介绍
在进行蚀刻、CVD(ChemicalVaporDeposition)、溅镀、离子注入、灰化等的等离子处理燃烧室内，作为吸附保持半导体晶片、玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘如下，对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附晶片等基板。另外，静电吸盘中设置有内置冷却气体等的流路的基座板、加热器，由此能够控制处理对象物的温度。近几年，在蚀刻装置等的等离子处理装置中，为了提高生产率或者为了应对处理对象物的材料变化，推进等离子体的高输出化。伴随等离子体的高输出化，晶片等处理对象物的温度提高。伴随等离子体的高输出化、高温化，要求静电吸盘对处理对象物具有较高的冷却性能。另一方面，为了对流程的精度(例如通过蚀刻进行加工的处理对象物的尺寸精度)进行控制，要求处理对象物的温度分布趋于均匀化。例如，要求晶片面内的温度分布的均匀性。当静电吸盘具有内置冷却气体等的流路的基座板、加热器时，晶片的温度分布依赖加热器与基座板之间的热交换。另外，在晶片加工的流程中，因RF(RadioFrequency)电压(高频电压)的外加而晶片的温度提高。而且，通过基座板的冷却来对温度进行控制。因此，晶片的温度分布中反映静电吸盘的温度控制性(基座板的冷却均匀性)、静电吸盘的温度分布。为了控制处理对象物的温度分布，静电吸盘的温度分布的均匀性是重要的要素之一。在这样的静电吸盘中，鉴于所述流程的高输出化、高温化，比以往更加要求提高静电吸盘的面内温度分布的均匀性，提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。专利文献1：日本国特开2003-243371号公报
技术实现思路
本专利技术是基于这样的课题的认识而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘，其能够提高处理对象物的温度分布的均匀性。第1专利技术是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面的相反侧的第2主面；及基座板，设置于所述第2主面侧，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述基座板具有调整所述处理对象物的温度的介质通过的第1连通路，所述第1连通路具有上面、侧面及下面，相对于所述第1连通路的高度，在所述上面上的最大高度Sz的偏差之比为1％以下。根据该静电吸盘，由于第1连通路的上面的最大高度Sz的偏差较小，因此能够提高静电吸盘的面内温度分布的均匀性，能够提高处理对象物的面内的温度均匀性。第2专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1专利技术中，所述基座板具有：第1部分，位于所述第2主面侧；及第2部分，设置在所述第1部分的下方，接合于所述第1部分；所述第1部分与所述第2部分的接合部，比所述第1连通路的上下方向的中央更位于下方。根据该静电吸盘，由于接合部位于第1连通路的下方，因此能够减小第1连通路的上面的最大高度Sz的偏差。由此，能够确保处理对象物的面内的温度均匀性。第3专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2专利技术中，在所述上面上的最大高度Sz的偏差、在所述侧面上的最大高度Sz的偏差及在所述下面上的最大高度Sz的偏差互不相同。根据该静电吸盘，在第1连通路的各面上的最大高度Sz的偏差即表面粗糙度的偏差互不相同。在表面粗糙度的偏差较大的面上，容易产生紊流，第1连通路中流动的介质的温度调整效果提高。由此，能够提高变温速度(Ramprate)。第4专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第3专利技术中，在所述上面上的最大高度Sz的偏差小于在所述侧面上的最大高度Sz的偏差。根据该静电吸盘，由于侧面的表面粗糙度的偏差较大，因此紊流被促进，第1连通路中流动的介质的温度调整效果提高。由此，能够提高变温速度。第5专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第3或第4专利技术中，在所述上面上的最大高度Sz的偏差小于在所述下面上的最大高度Sz的偏差。根据该静电吸盘，由于下面的表面粗糙度的偏差较大，因此紊流被促进，第1连通路中流动的介质的温度调整效果提高。由此，能够提高变温速度。第6专利技术是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面的相反侧的第2主面；及金属制的基座板，设置于所述第2主面侧，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述基座板具有调整所述处理对象物的温度的介质通过的第1连通路，所述第1连通路具有上面、侧面及下面，在所述上面上的最大高度Sz的偏差小于在所述侧面上的最大高度Sz的偏差。根据该静电吸盘，由于在上面上的表面粗糙度的偏差较小，因此能够提高静电吸盘的面内温度分布的均匀性，能够提高处理对象物的面内的温度均匀性。另外，由于在侧面上的表面粗糙度的偏差较大，因此能够提高在第1连通路中流动的介质的温度调整效果，能够提高变温速度。第7专利技术是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面的相反侧的第2主面；及金属制的基座板，设置于所述第2主面侧，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述基座板具有调整所述处理对象物的温度的介质通过的第1连通路，所述第1连通路具有上面、侧面及下面，在所述上面上的最大高度Sz的偏差小于在所述下面上的最大高度Sz的偏差。根据该静电吸盘，由于在上面上的表面粗糙度的偏差较小，因此能够提高静电吸盘的面内温度分布的均匀性，能够提高处理对象物的面内的温度均匀性。另外，由于在下面上的表面粗糙度的偏差较大，因此能够提高在第1连通路中流动的介质的温度调整效果，能够提高变温速度。第8专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第6或第7专利技术中，相对于所述第1连通路的高度，在所述上面上的最大高度Sz的偏差之比为1％以下。根据该静电吸盘，由于第1连通路的上面的最大高度Sz的偏差较小，因此能够提高静电吸盘的面内温度分布的均匀性，能够提高处理对象物的面内的温度均匀性。第9专利技术为如下静电吸盘，在第1～第8的任意一个专利技术中，所述上面的材料与所述下面的材料互不相同。根据该静电吸盘，通过使上面的材料与下面的材料互不相同，从而能够使上面的粗糙度与下面的粗糙度互不相同。例如，能够通过在下面上使用焊料来使下面变粗糙。在较粗糙的面上，紊流被促进，能够提高变温速度。第10专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第9专利技术中，在所述上面的材料中的铝浓度高于在所述下面的材料中的铝浓度。根据该静电吸盘，能够通过铝的浓度来使下面比上面更粗糙。例如，上面的材料使用铝，下面的材料使用含有铝以外的元素的铝合金等焊料。在较粗糙的面上，紊流被促进，能够提高变温速度。第11专利技术为如下静电吸盘，在第1～第10的任意一个专利技术中，所述侧面具有：第1区域，位于所述第2主面侧；及第2区域，位于所述第1区域的下方，在所述第1区域中的最大高度Sz的偏差小于在所述第2区域中的最大高度Sz的偏差。根据该静电吸盘，由于第2区域的表面粗糙度的偏差较大，因此紊流被促进，第1连通路中流动的介质的温度调整效果提高。由此，能够提高变温速度。另外，由于位于上方的第1区域中的表面粗糙度的偏差较小，因此能够抑制在第1连通路的上部的传热偏差。由此，能够提高处理对象物的面内的温度均匀性。第12专利技术为如下静电吸盘，在第1～第10的任意一个专利技术中，所述侧面具有：第1区域，位于所述第2主面侧；及第2区域，位于所述第1区域的下方，在所述第1区域中的最大高度Sz的偏差小于在所述下面上的最大高度Sz的偏差。根本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面的相反侧的第2主面；及基座板，设置于所述第2主面侧，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述基座板具有调整所述处理对象物的温度的介质通过的第1连通路，所述第1连通路具有上面、侧面及下面，相对于所述第1连通路的高度，在所述上面上的最大高度Sz的偏差之比为1％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.13 JP 2016-097287;2017.02.01 JP 2017-016901.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面的相反侧的第2主面；及基座板，设置于所述第2主面侧，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述基座板具有调整所述处理对象物的温度的介质通过的第1连通路，所述第1连通路具有上面、侧面及下面，相对于所述第1连通路的高度，在所述上面上的最大高度Sz的偏差之比为1％以下。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述基座板具有：第1部分，位于所述第2主面侧；及第2部分，设置在所述第1部分的下方，接合于所述第1部分；所述第1部分与所述第2部分的接合部，比所述第1连通路的上下方向的中央更位于下方。3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，在所述上面上的最大高度Sz的偏差、在所述侧面上的最大高度Sz的偏差及在所述下面上的最大高度Sz的偏差互不相同。4.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征为，在所述上面上的最大高度Sz的偏差小于在所述侧面上的最大高度Sz的偏差。5.根据权利要求3或4所述的静电吸盘，其特征为，在所述上面上的最大高度Sz的偏差小于在所述下面上的最大高度Sz的偏差。6.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面的相反侧的第2主面；及金属制的基座板，设置于所述第2主面侧，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述基座板具有调整所述处理对象物的温度的介质通过的第1连通路，所述第1连通路具有上面、侧面及下面，在所述上面上的最大高度Sz的偏差小于在所述侧面上的最大高度Sz的偏差。7.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面的相反侧的第2主面；及金属制的基座板，设置于所述第2主面侧，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述基座板具有调整所述处理对象物的温度的介质通过的第1连通路，所述第1连通路具有上面、侧面及下面，在所述上面上的最大高度Sz的偏差小于在所述下面上的最大高度Sz的偏差。8.根据权利要求6或7所述的静电吸盘，其特征为，相对于所述第1连通路的高度，在所述上面上的最大高度Sz的偏差之比为1％以下。9.根据权利要求1～8中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述上面的材料与所述下面的材料互不相同。10.根据权利要求9所述的静电吸盘，其特征为，在所述上面的材料中的铝浓度高于在所述下面的材料中的铝浓度。11.根据权利要求1～10中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述侧面具有：第1区域，位于所述第2主面侧；及第2区域，位于所述第1区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口康介，吉井雄一，佐佐木均，前畑健吾，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP