切割芯片接合薄膜制造技术

提供适合于通过扩展工序将粘接剂层良好割断的切割芯片接合薄膜。具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具有基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构，粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合。相对于在对由DDAF的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域(R1)切取的试验片(50mm×10mm)在初始夹具间距离20mm、‑15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的、在对由DDAF的比前述外侧区域(R1)更靠近内侧的内侧区域(R2)内切取的试验片(50mm×10mm)在同条件下的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的比值为0.9～1.1。

Cutting chip bonding film

A cutting chip bonding film suitable for cutting the adhesive layer by extending the process is provided. The cutting belt (10) and the adhesive layer (20) are provided. The cutting belt (10) has a laminated structure of a base material (11) and an adhesive layer (12), and the adhesive layer (20) is closely bound to the adhesive layer (12). Comparing the tensile stress produced by DDAF at 30% strain value in tension tests at initial fixture spacing of 20 mm, 15 C and tension speed of 300 mm/min, the tensile stress produced by DDAF in the lateral region (R1) cut from the peripheral end to the inner side of 20 mm (50mm *10mm) is higher than that in the outer region mentioned above. In the same condition, the ratio of the tensile stress produced by the test piece (50mm * 10mm) cut closer to the inner inner region (R2) in the field (R1) is 0.9-1.1 when the strain value is 30%.

【技术实现步骤摘要】
切割芯片接合薄膜
本专利技术涉及在半导体装置的制造过程中能使用的切割芯片接合薄膜。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，为了得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合用粘接剂层的半导体芯片，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆对应的尺寸，例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和可剥离地密合在其粘合剂层侧的芯片接合薄膜(粘接剂层)。作为使用切割芯片接合薄膜得到带有粘接剂层的半导体芯片的方法之一，已知经由用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展而将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与芯片接合薄膜一同被割断而能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的芯片接合薄膜产生分别密合在半导体芯片上的多个粘接薄膜小片的方式将该芯片接合薄膜割断，使用扩展装置使切割芯片接合薄膜的切割带沿包括半导体晶圆的径向和圆周方向在内的二维方向进行拉伸。在该扩展工序中，在相当于芯片接合薄膜中的割断位置的位置处，芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，在切割芯片接合薄膜和/或切割带上，半导体晶圆单片化为多个半导体芯片。接着，对于切割带上的割断后的多个带有粘接剂层的半导体芯片，为了扩大间隔距离，进行再次的扩展工序。接着，在经过例如清洗工序之后，从切割带的下侧通过拾取机构的针状构件与和其密合的尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一同顶起各半导体芯片，然后，从切割带上拾取半导体芯片。如上操作，得到带有芯片接合薄膜即粘接剂层的半导体芯片。该带有粘接剂层的半导体芯片借助其粘接剂层通过芯片接合固定在安装基板等被粘物上。对于例如如以上来使用的切割芯片接合薄膜的相关技术，记载于例如下述专利文献1～3中。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-2173号公报专利文献2：日本特开2010-177401号公报专利文献3：日本特开2012-23161号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题图14以剖面示意图来表示现有的切割芯片接合薄膜Y。切割芯片接合薄膜Y包含切割带60及芯片接合薄膜70。切割带60为基材61与发挥粘合力的粘合剂层62的层叠结构。芯片接合薄膜70依靠粘合剂层62的粘合力与粘合剂层62密合。这样的切割芯片接合薄膜Y具有尺寸与作为半导体装置的制造过程中的加工对象和/或工件的半导体晶圆对应的圆盘形状，可以用于上述扩展工序。例如如图15所示，在环形框81贴附于粘合剂层62、并且半导体晶圆82贴合于芯片接合薄膜70的状态下实施上述扩展工序。环形框81是在贴附于切割芯片接合薄膜Y的状态下、扩展装置具备的输送臂等输送机构输送工件时机械性地抵接的框构件。现有的切割芯片接合薄膜Y以这样的环形框81依靠切割带60的粘合剂层62的粘合力而能够固定于该薄膜的方式设计。即，现有的切割芯片接合薄膜Y具有在切割带60的粘合剂层62中在芯片接合薄膜70的周围确保了环形框贴合用区域的设计。在这样的设计中，粘合剂层62的外周端62e与芯片接合薄膜70的外周端70e之间的距离为10～30mm左右。这样的现有的切割芯片接合薄膜Y中，贴合环形框81的区域R1'与贴合半导体晶圆82的区域R2'的层叠结构不同，厚度不同。切割芯片接合薄膜Y中，层叠结构的不同及厚度的不同会成为扩展时的伸长程度不均匀化的主要原因。具体而言，切割芯片接合薄膜Y中层叠结构、厚度均不同的区域R1'和区域R2'中，在割断用的上述扩展工序中被拉伸的程度容易产生差异。芯片接合薄膜Y中的区域R1'(外侧区域)在其层叠结构中不具有芯片接合薄膜70且比位于内侧的区域R2'薄，因此，在扩展工序中比区域R2'更容易延伸。并且，切割芯片接合薄膜Y在扩展时的伸长程度越不均，越容易发生割断不良、即在扩展工序中割断预定位置不产生割断的现象。本专利技术是鉴于上述情况而做出的专利技术，其目的在于，提供适合于通过扩展工序对粘接剂层进行良好割断的切割芯片接合薄膜。用于解决问题的方案本专利技术提供的切割芯片接合薄膜具备切割带及粘接剂层。切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。粘接剂层与切割带中的粘合剂层可剥离地密合。切割芯片接合薄膜中，在对下述第2试验片在初始夹具间距离20mm、-15℃、及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的第2拉伸应力相对于在对下述第1试验片在初始夹具间距离20mm、-15℃、及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的第1拉伸应力的比值为0.9～1.1、优选为0.95～1.05。这样的构成的切割芯片接合薄膜可以用于在半导体装置的制造过程中得到带有粘接剂层的半导体芯片。从切割芯片接合薄膜切取的第1试验片的长度方向可以是关于切割芯片接合薄膜的所谓MD方向，也可以是与其垂直的TD方向，还可以是其它方向。从切割芯片接合薄膜切取的第2试验片的长度方向设为与第1试验片的长度方向相同。〔第1试验片〕由切割芯片接合薄膜的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域切取的、具有沿一个方向延伸的50mm的长度和10mm的宽度的试验片〔第2试验片〕由切割芯片接合薄膜的比外侧区域更靠近内侧的内侧区域切取的、具有沿所述一个方向延伸的50mm的长度和10mm的宽度的试验片在半导体装置的制造过程中，如上所述，为了得到带有粘接剂层的半导体芯片，有时实施使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序、即用于割断的扩展工序，在该扩展工序中，需要使割断力适宜地作用于切割带上的芯片接合薄膜和半导体晶圆等工件。本切割芯片接合薄膜中，相对于来源于该薄膜的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域的上述第1试验片在-15℃下的上述第1拉伸应力的、来源于同一薄膜的内侧区域的上述第2试验片在-15℃下的上述第2拉伸应力的比值为0.9～1.1、更优选为0.95～1.05。这样的构成适合于在为比室温低的温度的-15℃及其附近的温度下实施的割断用的低温扩展工序中实现包括上述外侧区域和内侧区域的切割芯片接合薄膜的伸长程度的均匀化。因此，具备该构成的本切割芯片接合薄膜适合于实现在低温扩展工序中作用于切割带上的粘接剂层、工件上的割断力的均匀化，适合于将它们良好地割断。像这样扩展时的伸长程度实现了均匀化的本切割芯片接合薄膜可以以在其粘接剂层中包含工件贴合用区域和框贴合用区域的方式以在薄膜面内方向实质上相同的尺寸设计切割带和/或其粘合剂层与其上的粘接剂层。例如，可以采用在切割芯片接合薄膜的面内方向、粘接剂层的外周端位于距切割带的基材、粘合剂层的各外周端1000μm以内的距离处的设计。这样的本切割芯片接合薄膜适合于通过一次冲裁加工等加工一次性实施用于形成具有基材和粘合剂层的层叠结构的一个切割带的加工、和用于形成一个粘接剂层的加工。在上述现有的切割芯片接合薄膜Y的制造过程中，需要用于形成规定尺寸及形状的切割带60的加工工序(第1加工工序)、和用于形成规定尺寸及形状的芯片接合薄膜70的加工工序(第2加工工序)作为彼此独立的工序。第1加工工序中，例如，对于具有规定的隔离体、会形成为基材61的基材层、和位于它们之间的会形成为粘合剂层62的粘合剂层的层叠结构的层叠片体，实施使加工刀从基材层侧进入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与所述切割带中的所述粘合剂层可剥离地密合，在对下述第2试验片在初始夹具间距离20mm、‑15℃、及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的第2拉伸应力相对于在对下述第1试验片在初始夹具间距离20mm、‑15℃、及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的第1拉伸应力的比值为0.9～1.1，第1试验片：由切割芯片接合薄膜的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域切取的、具有沿一个方向延伸的50mm的长度和10mm的宽度的试验片第2试验片：由切割芯片接合薄膜的比所述外侧区域更靠近内侧的内侧区域切取的、具有沿所述一个方向延伸的50mm的长度和10mm的宽度的试验片。

【技术特征摘要】
2017.04.17 JP 2017-081120;2018.01.24 JP 2018-009331.一种切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与所述切割带中的所述粘合剂层可剥离地密合，在对下述第2试验片在初始夹具间距离20mm、-15℃、及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的第2拉伸应力相对于在对下述第1试验片在初始夹具间距离20mm、-15℃、及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的第1拉伸应力的比值为0.9～1.1，第1试验片：由切割芯片接合薄膜的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域切取的、具有沿一个方向延伸的50mm的长度和10mm的宽度的试验片第2试验片：由切割芯片接合薄膜的比所述外侧区域更靠近内侧的内侧区域切取的、具有沿所述一个方向延伸的50mm的长度和10mm的宽度的试验片。2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述第1拉伸应力及所述第2拉伸应力为5～28N。3.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层在-15℃、剥离角度180°及拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中对SUS平面显示出1N/10mm以上的180°剥离粘合力。4.根据权利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层在-15℃、剥离角度180°及拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中对SUS平面显示出1N/10mm以上的180°剥离粘合力。5.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，在对第1试验片在初始夹具间距离20mm、23℃、及拉伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，高本尚英，大西谦司，宍户雄一郎，福井章洋，大和道子，井上真一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP