清洁装置、收集构件、定影装置和图像形成设备制造方法及图纸

技术编号:14223508 阅读:209 留言:0更新日期:2016-12-19 19:14
本发明专利技术涉及一种清洁装置、收集构件、定影装置和图像形成设备。所述清洁装置包括清洁构件和收集构件。所述清洁构件在与进行旋转或循环的待清洁构件接触的同时进行旋转,以将附着于所述待清洁构件的附着物转移至所述清洁构件。所述收集构件由具有彼此相连的多个孔的多孔材料制成,所述收集构件在与所述清洁构件的表面接触的同时进行旋转,从而将已转移至所述清洁构件的所述附着物收集在所述孔中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种清洁装置、收集构件、定影装置和图像形成设备
技术介绍
已知执行所谓的无边距打印的图像形成设备。在无边距打印中,在片材的整个区域之上形成图像。在片材的整个区域之上形成图像的图像形成设备中,片材的周边上的色调剂有可能会附着于定影装置的加热辊、定影带等。日本未审专利申请特开No.2014-59391公开了一种包括清洁装置的图像形成设备,该清洁装置除去已附着于加热辊的表面的色调剂。根据日本未审专利申请特开No.2014-59391的清洁装置通过使用第一清洁辊和第二清洁辊来除去已附着于加热辊的色调剂并收集所述色调剂。第一清洁辊除去已附着于加热辊的色调剂,并使所述色调剂附着于该第一清洁辊。第二清洁辊由经受喷丸处理的金属辊形成。第二清洁辊从第一清洁辊除去已附着于第一清洁辊的色调剂,并使所述色调剂附着于该第二清洁辊。在例如由收集构件(该收集构件的表面上通过喷丸处理形成有突起和凹部)收集已附着于旋转或循环的辊等的附着物的情况下,存在如下风险:例如当收集构件被长时间使用时,附着物会聚集在收集构件的表面上并且突起和凹部会被附着物覆盖。当形成在收集构件的表面上的突起和凹部被附着物覆盖时,就会存在收集构件的附着物收集效率降低的风险。
技术实现思路
本专利技术的目的是:与由仅在其表面上具有突起和凹部的收集构件来收集附着物的情况相比,抑制收集构件的附着物收集效率的降低。根据本专利技术的第一方面,提供了一种清洁装置,该清洁装置包括清洁构件和收集构件。所述清洁构件在与旋转或循环的待清洁构件接触的同时进行旋转,以将附着于
所述待清洁构件的附着物转移至所述清洁构件。所述收集构件由具有彼此相连的多个孔的多孔材料制成,所述收集构件在与所述清洁构件的表面接触的同时进行旋转,以将已转移至所述清洁构件的所述附着物收集在所述孔中。根据本专利技术的第二方面,在根据第一方面的清洁装置中,其中所述孔沿所述收集构件的旋转轴线方向彼此相连。根据本专利技术的第三方面,在根据第一或第二方面的清洁装置中,其中所述收集构件由多孔金属制成。根据本专利技术的第四方面,在根据第一至第三方面中任一方面的清洁装置中,其中所述收集构件在与所述清洁构件的所述表面接触的外周面处的表面开口率在约50%至97%的范围内。根据本专利技术的第五方面,在根据第一至第四方面中任一方面的清洁装置中,其中被转移至所述清洁构件的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。根据本专利技术的第六方面,一种收集构件包括支撑构件和多孔层,所述多孔层设置在所述支撑构件的外周处并包括彼此相连的多个孔,所述多孔层与旋转或循环且待从其收集附着物的构件接触,以将附着于所述构件的所述附着物收集在所述孔中。根据本专利技术的第七方面,在根据第六方面的收集构件中,其中所述多孔层中的所述孔的平均直径在约5μm至1000μm的范围内。根据本专利技术的第八方面,在根据第六或第七方面的收集构件中,其中所述多孔层的体积孔隙率在约50%至97%的范围内。根据本专利技术的第九方面,在根据第六至第八方面中的任一方面的收集构件中,其中所述多孔层进一步包括直径小于所述孔的直径且彼此相连的多个小孔。根据本专利技术的第十方面,在根据第六至第九方面中的任一方面的收集构件中,其中被收集在所述孔中的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。根据本专利技术的第十一方面,一种定影装置包括:一对定影构件,所述一对定影构件在彼此接触的同时旋转或循环,并且所述一对定影构件在夹持形成有色调剂图像的记录介质的同时向所述记录介质施加热和压力,从而将所述色调剂图像定影在所述记录介质上;清洁构件,该清洁构件在与所述定影构件中的至少一个定影构件接触的同
时进行旋转,从而将附着于至少一个所述定影构件的附着物转移至所述清洁构件;以及收集构件,该收集构件由具有彼此相连的多个孔的多孔材料制成,该收集构件在与所述清洁构件的表面接触的同时进行旋转,从而将已转移至所述清洁构件的所述附着物收集在所述孔中。根据本专利技术的第十二方面,在根据第十一方面的定影装置中,其中被转移至所述清洁构件的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。根据本专利技术的第十三方面,一种图像形成设备包括:用于形成色调剂图像的色调剂图像形成单元;用于将所述色调剂图像转印到记录介质上的转印单元;一对定影构件,所述一对定影构件在彼此接触的同时旋转或循环,并且所述一对定影构件在夹持已转印有所述色调剂图像的记录介质的同时向所述记录介质施加热和压力,从而将所述色调剂图像定影在所述记录介质上;清洁构件,该清洁构件在与所述定影构件中的至少一个定影构件接触的同时进行旋转,从而将附着于所述定影构件中的所述至少一个定影构件的附着物转移至所述清洁构件;以及收集构件,该收集构件由具有彼此相连的多个孔的多孔材料制成,该收集构件在与所述清洁构件的表面接触的同时进行旋转,从而将已转移至所述清洁构件的所述附着物收集在所述孔中。根据本专利技术的第一方面,与由仅在其表面上具有突起和凹部的收集构件来收集附着物的情况相比,可以抑制收集构件的附着物收集效率的降低。根据本专利技术的第二方面,与所述孔沿所述旋转轴线方向未彼此相连的情况相比,可以进一步抑制附着物的局部聚集。根据本专利技术的第三方面,可以降低收集构件会因负载而断裂的风险。根据本专利技术的第四方面,与所述表面开口率在特定范围外的情况相比,附着物可以更容易地进入所述孔。根据本专利技术的第五方面,与所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下小于约1或大于约3的情况相比,可以提高收集构件的附着物收集效率。根据本专利技术的第六方面,与由仅在其表面上具有突起和凹部的收集构件来收集附着物的情况相比,可以抑制收集构件的附着物收集效率的降低。根据本专利技术的第七方面,与所述孔的平均直径在特定范围外的情况相比,附着物可以更容易地进入所述孔。根据本专利技术的第八方面,与所述体积孔隙率小于约50%的情况相比,可以收集更
大量的附着物。另外,与所述体积孔隙率大于约97%的情况相比,可以提高多孔层的强度。根据本专利技术的第九方面,与多孔层不具有小孔的情况相比,可以降低如下风险:已进入所述孔的所述附着物会再次附着于待从其收集附着物的构件。根据本专利技术的第十方面,与所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下小于约1或大于约3的情况相比,可以提高收集构件的附着物收集效率。根据本专利技术的第十一方面,与由仅在其表面上具有突起和凹部的收集构件来收集附着物的情况相比,可以抑制收集构件的附着物收集效率的降低。根据本专利技术的第十二方面,与所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下小于约1或大于约3的情况相比,可以提高收集构件的附着物收集效率。根据本专利技术的第十三方面,与由仅在其表面上具有突起和凹部的收集构件来收集附着物的情况相比,可以抑制收集构件的附着物收集效率的降低。附图说明下面将基于附图详细地描述本专利技术的示例性实施方式,其中:图1示出了根据示例性实施方式的图像形成设备的整体结构;图2是示出了根据示例性实施方式的定影装置的结构的示意图;图3是示出了根据示例性实施方式的定影装置的结构的另一示意图;图4示出了根据示例性实施方式的清洁装置和加热辊的结构的实施例;图5是沿线V-V剖取的图4的剖本文档来自技高网
...
清洁装置、收集构件、定影装置和图像形成设备

【技术保护点】
一种清洁装置,该清洁装置包括:清洁构件,该清洁构件在与进行旋转或循环的待清洁构件接触的同时进行旋转,以将附着于所述待清洁构件的附着物转移至所述清洁构件;以及收集构件,该收集构件由具有彼此相连的多个孔的多孔材料制成,所述收集构件在与所述清洁构件的表面接触的同时进行旋转,从而将已转移至所述清洁构件的所述附着物收集在所述孔中。

【技术特征摘要】
2014.11.21 JP 2014-2365101.一种清洁装置,该清洁装置包括:清洁构件,该清洁构件在与进行旋转或循环的待清洁构件接触的同时进行旋转,以将附着于所述待清洁构件的附着物转移至所述清洁构件;以及收集构件,该收集构件由具有彼此相连的多个孔的多孔材料制成,所述收集构件在与所述清洁构件的表面接触的同时进行旋转,从而将已转移至所述清洁构件的所述附着物收集在所述孔中。2.根据权利要求1所述的清洁装置,其中,所述孔沿所述收集构件的旋转轴线方向彼此相连。3.根据权利要求1或2所述的清洁装置,其中,所述收集构件由多孔金属制成。4.根据权利要求1或2所述的清洁装置,其中,所述收集构件在与所述清洁构件的所述表面接触的外周面处的表面开口率在约50%至97%的范围内。5.根据权利要求3所述的清洁装置,其中,所述收集构件在与所述清洁构件的所述表面接触的外周面处的表面开口率在约50%至97%的范围内。6.根据权利要求1或2所述的清洁装置,其中,被转移至所述清洁构件的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。7.根据权利要求3所述的清洁装置,其中,被转移至所述清洁构件的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。8.根据权利要求4所述的清洁装置,其中,被转移至所述清洁构件的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。9.根据权利要求5所述的清洁装置,其中,被转移至所述清洁构件的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。10.一种收集构件,该收集构件包括:支撑构件;以及多孔层,该多孔层设置在所述支撑构件的外周处并包括彼此相连的多个孔,所述多孔层与如下构件接触:该构件进行旋转或循环并且将要从该构件收集附着物,从而将附着于所述构件的所述附着物收集在所述孔中。11.根据权利要求10所述的收集构件,其中,所述多孔层中的所述孔的平均直
\t径在约5μm至1000μm的范围内。12.根据权利要求10或11所述的收集构件,其中,所述多孔层的体积孔隙率在约50%至97%的范围内。13.根据权利要求10或11所述的收集构件,其中,所述多孔层进一步包括多个小孔,所述多个小孔的直径小于所述孔的直径且所述多个小孔彼此相连。14.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:中尾仁亮
申请(专利权)人:富士施乐株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1