用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构，其包括：具有外周壁围设形成中空结构的封堵件，所述封堵件于所述外周壁的相对两端成形为遮蔽端及插接端；所述遮蔽端成形有顶壁与所述外周壁连接，所述顶壁上开设有通孔与所述外周壁的内部空间连通；所述插接端成形为阶梯状结构并具有内缩形成的凸接部，所述凸接部超出所述外周壁的边缘且围设形成吸尘口，所述吸尘口至所述顶壁之间形成负压提升空间；令所述封堵件的凸接部与吸尘头的粉尘激光孔的顶端开口插接紧固，所述粉尘激光孔与所述负压提升空间之间通过所述吸尘口连通。借此，利用顶壁及通孔，使封堵件内部形成负压提升空间，提升吸尘效果并提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构
本技术涉及半导体激光打标
，具体来说涉及用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构。
技术介绍
如图1所示，显示一种用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构10的正视透视结构；所述吸尘头10包括用以抽真空设备连接的真空吸管11以及成形于所述真空吸管11末端的吸头12，所述吸头12内部贯设有粉尘激光孔13，所述粉尘激光孔13与所述真空吸管11的内部管道连通，从而形成了三通结构。值得注意的是，目前生产的半导体产品尺寸日趋缩小，从而对产品打标精度的要求非常高，任何因素都可能引起设备生产打标过程中造成打标不合格，因此需要对产品进行单个产品进行独立的定位打标，就造成打标的粉尘需要专门的收集。然而，如图1所示的现有打标吸尘头设计过于简单，无法满足现有产品打标的粉尘需求，在生产过程中，由于粉尘激光孔13成形为孔径相同且两端贯通的结构，导致粉尘无法被良好抽吸集中，需要经常清洁打标印字盘，明显存在降低生产效率的问题，有待进一步改进。
技术实现思路
鉴于上述情况，本技术提供一种用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构，以解决现有吸尘头的真空负压吸力不足导致生产效率低的问题。为实现上述目的，本技术采取的技术方案是提供一种用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构，所述吸尘头包括真空吸管以及与所述真空吸管连接的吸头，所述吸头贯设有粉尘激光孔，所述粉尘激光孔成形顶端开口、底部吸口以及侧壁开口，所述侧壁开口与所述真空吸管连通；其中，所述粉尘集中结构包括：封堵件，具有外周壁围设形成中空结构，所述封堵件于所述外周壁的相对两端成形为遮蔽端及插接端；所述遮蔽端成形有顶壁与所述外周壁连接，所述顶壁上开设有通孔与所述外周壁的内部空间连通；所述插接端成形为阶梯状结构并具有内缩形成的凸接部，所述凸接部超出所述外周壁的边缘且围设形成吸尘口，所述吸尘口至所述顶壁之间形成负压提升空间；令所述封堵件的凸接部与所述粉尘激光孔的顶端开口插接紧固，所述粉尘激光孔与所述负压提升空间之间通过所述吸尘口连通。本技术的实施例中，所述封堵件成形为双层圆筒状结构；所述封堵件沿所述外周壁内侧设有内环壁，所述内环壁的遮蔽端与所述顶壁连接，所述内环壁的插接端超出所述外周壁的边缘形成所述凸接部，所述负压提升空间由所述内环壁与所述顶壁界定形成。本技术的实施例中，所述通孔包括全开孔及半开孔，所述全开孔开设于所述顶壁的中间区域，且所述全开孔的面积与所述负压提升空间完全重叠；所述半开孔对应开所述内环壁的位置开设于所述顶壁的周边区域，且所述半开孔的面积与所述负压提升空间部分重叠。本技术的实施例中，所述通孔设于所述顶壁的中间区域，且所述通孔的面积与所述负压提升空间完全重叠。本技术的实施例中，所述顶壁外部于所述通孔的相对两侧成形为二凹部。本技术的实施例中，所述粉尘集中结构还包括密封圈，所述密封圈套设于所述封堵件的凸接部外部；令所述封堵件的凸接部与所述粉尘激光孔的顶端开口插接，所述凸接部与所述顶端开口之间通过所述密封圈紧固密封。本技术由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果：通过将本技术的封堵件插设于所述打标吸尘头的粉尘激光孔顶端开口上，利用顶壁及通孔，使封堵件内部形成负压提升空间，相较于现有的吸尘头能起到良好且保证足够的真空负压，有效提升半导体产品在激光打标时的吸尘效果，从而降低打标印字盘的清洁频率，并提高了整体的生产效率。本技术的这些和其它目的、特点和优势，通过下述的详细说明和权利要求得以充分体现，并可通过所附权利要求中特地指出的手段、装置和它们的组合得以实现。附图说明图1是现有用于半导体产品激光打标吸尘头的结构示意图。图2是本技术粉尘集中结构设于吸尘头的结构示意图。图3是本技术粉尘集中结构设有二通孔的结构外观示意图。图4是本技术图3中A-A剖线的结构剖视示意图。图5是本技术粉尘集中结构设有单一通孔的结构剖视示意图。附图标记与部件的对应关系如下：吸尘头10；真空吸管11；吸头12；粉尘激光孔13。吸尘头20；真空吸管21；吸头22；粉尘激光孔23。顶端开口231；底部吸口232；侧壁开口233；封堵件30；遮蔽端301；插接端302；外周壁31；顶壁32；通孔33；全开孔331；半开孔332；内环壁34；凸接部341；吸尘口342；凹部35；密封圈40。具体实施方式为利于对本技术的了解，以下结合附图及实施例进行说明。请参阅图2至图5，本技术提供一种用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构。如图2所示，所述吸尘头20包括真空吸管21以及与所述真空吸管21连接的吸头22，所述吸头22贯设有粉尘激光孔23，所述粉尘激光孔23成形顶端开口231、底部吸口232以及侧壁开口233，所述侧壁开口233与所述真空吸管21连通，为了保证真空压力，本技术通过在所述吸尘头20粉尘激光孔23的顶端开口231上组设主要由封堵件30构成的粉尘集中结构，以利用封堵件30在粉尘激光孔23的顶部形成负压提升空间R，实现有效提升吸尘头20的吸尘效果。本技术提供如图3、图4所示的第一实施例以及如图5所示的第二实施例。其中，第一实施例为较佳实施例，说明了在封堵件30上形成两个通孔33的结构组态；第二实施例说明了在封堵件30上形成单个通孔33的结构组态。如图3至图5所示，所述封堵件30成形为双层圆筒状结构；所述封堵件30具有外周壁31，所述封堵件30沿所述外周壁31内侧设有内环壁34，所述外周壁31与所述内环壁34之间具有空间隔开。所述封堵件30于所述外周壁31的相对两端成形为遮蔽端301及插接端302；所述遮蔽端301成形有顶壁32与所述外周壁31及所述内环壁34连接；所述顶壁32上开设有通孔33与所述内环壁34的内部空间连通；所述内环壁34的插接端302超出所述外周壁31的边缘形成凸接部341，令所述插接端302通过所述外周壁31与所述内环壁34的阶级差成形为阶梯状结构。所述凸接部341围设形成吸尘口342，所述内环壁34至所述顶壁32之间形成负压提升空间R；借此，令所述封堵件30的凸接部341与所述粉尘激光孔23的顶端开口231插接紧固，所述粉尘激光孔23与所述负压提升空间R之间通过所述吸尘口342连通。于第一实施例中，如图3、图4所示，所述通孔33包括全开孔331及半开孔332，所述全开孔331开设于所述顶壁32的中间区域，且所述全开孔331的面积与所述负压提升空间R完全重叠；所述半开孔332对应开所述内环壁34的位置开设于所述顶壁32的周边区域，且所述半开孔332的面积与所述负压提升空间R部分重叠。于第二实施例中，如图5所示，所述通孔33设于所述顶壁32的中间区域，且所述通孔33的面积与所述负压提升空间R完全重叠。于本技术实施例中，所述封堵件30的顶壁32外部还设有二凹部35；所述二凹部35位于所述通孔33的相对两侧。所述凹部35用以方便施力将封堵件30拧入所述吸尘头20的粉尘激光孔23内。具体地，所述凹部35成形为阶梯状，具有相接的一立面及一平面界定形成，其中，所述立面成形为矩形面，所述平面具有直边与所述立面的直边相接，所述平面由所述直边及外周壁31的圆弧边界定形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构，所述吸尘头包括真空吸管以及与所述真空吸管连接的吸头，所述吸头贯设有粉尘激光孔，所述粉尘激光孔成形顶端开口、底部吸口以及侧壁开口，所述侧壁开口与所述真空吸管连通；其特征在于，所述粉尘集中结构包括：封堵件，具有外周壁围设形成中空结构，所述封堵件于所述外周壁的相对两端成形为遮蔽端及插接端；所述遮蔽端成形有顶壁与所述外周壁连接，所述顶壁上开设有通孔与所述外周壁的内部空间连通；所述插接端成形为阶梯状结构并具有内缩形成的凸接部，所述凸接部超出所述外周壁的边缘且围设形成吸尘口，所述吸尘口至所述顶壁之间形成负压提升空间；令所述封堵件的凸接部与所述粉尘激光孔的顶端开口插接紧固，所述粉尘激光孔与所述负压提升空间之间通过所述吸尘口连通。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构，所述吸尘头包括真空吸管以及与所述真空吸管连接的吸头，所述吸头贯设有粉尘激光孔，所述粉尘激光孔成形顶端开口、底部吸口以及侧壁开口，所述侧壁开口与所述真空吸管连通；其特征在于，所述粉尘集中结构包括：封堵件，具有外周壁围设形成中空结构，所述封堵件于所述外周壁的相对两端成形为遮蔽端及插接端；所述遮蔽端成形有顶壁与所述外周壁连接，所述顶壁上开设有通孔与所述外周壁的内部空间连通；所述插接端成形为阶梯状结构并具有内缩形成的凸接部，所述凸接部超出所述外周壁的边缘且围设形成吸尘口，所述吸尘口至所述顶壁之间形成负压提升空间；令所述封堵件的凸接部与所述粉尘激光孔的顶端开口插接紧固，所述粉尘激光孔与所述负压提升空间之间通过所述吸尘口连通。2.根据权利要求1所述的用于半导体产品激光打标吸尘头的粉尘集中结构，其特征在于：所述封堵件成形为双层圆筒状结构；所述封堵件沿所述外周壁内侧设有内环壁，所述内环壁的遮蔽端与所述顶壁连接，所述内环壁的插接端超出所述外周壁的边缘形成所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永，徐灵杰，
申请(专利权)人：上海泰睿思微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31