一种氮化物薄膜太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供一种氮化物薄膜太阳能电池，包括衬底、非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层、p型掺杂层；在衬底上从下向上设置非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层和p型掺杂层，n型掺杂层的边缘区域为台面，在台面上设置有n型欧姆电极，p型掺杂层上设置有p型欧姆电极。本实用新型专利技术采用的DBR结构具有高反射率波段可调的特性。通过调整DBR结构中高、低折射率层的氮化物组分、厚度和周期数来调节高反射率波段位置，实现高反射率波段与电池光谱响应曲线的一致、协调；亦即，将高反射率波段调整到与太阳能电池处于高量子效率的波段一致的位置。如此，可使器件的效率实现最大化。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化物薄膜太阳能电池
本技术属于光学材料领域，具体涉及一种氮化物薄膜太阳能电池。
技术介绍
太阳能是一种清洁的、方便获取的可再生能源，在全世界范围内受了到广泛关注、重视和青睐。太阳能电池是人类利用太阳能的主要手段，其基本结构是具有p-n结的半导体光电器件。按照制作材料的不同，常见的太阳能电池可分为硅(单晶硅、多晶硅和非晶硅)、砷化镓、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉、硫化镉、钙钛矿、有机物等种类。无论使用哪种材料，更高的转换效率一直是太阳能电池产业发展的重要性能目标。近年来，以铟镓氮(InxGa1-xN,0≤x≤1)、铟铝氮(InyAl1-yN,0≤y≤1)为代表的氮化物半导体材料因其禁带宽度与太阳能光谱几乎完美的匹配，或者完全覆盖太阳光谱辐射的能量范围，而受到人们的关注。具体地，InxGa1-xN的禁带宽度为0.64～3.4eV，InyAl1-yN的禁带宽度为0.64～6.2eV，而地面太阳光谱的能量范围为0.4～4eV。因此，氮化物合金材料在制备多结串联电池上具有很大优势，只要改变合金中金属元素的配比，即可调节带隙吸收不同波段的光子。这就给设计和生长串联电池提供了更大的自由度，有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，包括衬底、非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层、p型掺杂层；在所述衬底上从下向上依次设置所述非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层和p型掺杂层，所述n型掺杂层的边缘区域为台面，在台面上设置有n型欧姆电极，在所述p型掺杂层上设置有p型欧姆电极。

【技术特征摘要】
1.一种氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，包括衬底、非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层、p型掺杂层；在所述衬底上从下向上依次设置所述非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层和p型掺杂层，所述n型掺杂层的边缘区域为台面，在台面上设置有n型欧姆电极，在所述p型掺杂层上设置有p型欧姆电极。2.根据权利要求1所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述布拉格反射镜包括高折射率氮化物层和低折射率氮化物层交替设置的周期性结构。3.根据权利要求2所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述布拉格反射镜中，高折射率氮化物层的厚度为1～500nm，所述低折射率氮化物层的厚度为1～500nm。4.根据权利要求2所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述布拉格反射镜包括3～100对高折射率氮化物层和低折射率氮化物层交替设置的周期性结构。5.根据权利要求1所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述非掺杂层还包括成核层，成核层...

【专利技术属性】
技术研发人员：马亮，
申请(专利权)人：北京创昱科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11