静电吸盘制造技术

本发明专利技术提供一种静电吸盘，该静电吸盘具有在处理带有肋的晶片方面最适合的接地销配置。静电吸盘(E)支承在外周部具有环状的肋(R)的带有肋的晶片(W)，该静电吸盘(E)包括与晶片(W)接触的接地销(P)，接地销(P)与肋(R)接触。

Electrostatic suction cup

The invention provides an electrostatic chuck with the most suitable grounding pin configuration for processing wafers with ribs. The electrostatic sucker (E) is supported on a ribbed wafer (W) with annular ribs (R) outside. The electrostatic sucker (E) includes a grounding pin (P) in contact with the wafer (W), and a grounding pin (P) in contact with the rib (R).

【技术实现步骤摘要】
静电吸盘
本专利技术涉及一种支承晶片的静电吸盘，特别是涉及一种支承在外周部具有环状肋的晶片的静电吸盘。
技术介绍
为了提高薄型晶片的强度，使用在晶片外周部设置有环状肋(rib)的带有肋的晶片。为了支承这种晶片，使用专利文献1中记载的静电吸盘。一般来说，作为半导体制造工序之一的离子注入工序，向晶片照射具有正电荷的离子束，并从晶片表面向规定深度注入离子。在用于离子注入工序的静电吸盘上设置有接地销，该接地销用于从晶片释放伴随离子束的照射而使晶片带上的电荷，但是在专利文献1中，未公开或启示针对带有肋的晶片将接地销配置在哪个部位最合适。现有技术文献专利文献1：日本专利公开公报特开2006-179693专利文献2：日本专利公开公报特开2012-216625
技术实现思路
本专利技术提供一种静电吸盘，该静电吸盘具有在处理带有肋的晶片时最适合的接地销的配置。本专利技术提供一种静电吸盘，其支承带有肋的晶片，所述带有肋的晶片在外周部具有环状的肋，所述静电吸盘包括与所述晶片接触的接地销，所述接地销与所述肋接触。如果为了可靠地将晶片电位固定在接地电位而强力地将接地销向晶片中央部按压，则由于晶片中央部的厚度尺寸小，所以在晶片上局部地产生大的变形。特别是在像离子注入工序这样需要以规定角度向晶片面照射离子束的工序中，如果在晶片上局部地产生大的变形，则在产生变形的部位不能在容许的照射角度的范围内注入离子，对晶片进行的注入处理变差。另一方面，如果接地销对晶片面的按压变弱，则晶片电位会变得不稳定而不能充分地固定在接地电位。考虑到这些方面，将接地销接触的部位定为带有肋的晶片的肋部分，因此能够不会在晶片上局部地产生大的变形地稳定地将晶片电位固定在接地电位。对于气体滞留在晶片和支承该晶片的静电吸盘之间、晶片离开静电吸盘时晶片跳起的问题，优选的是，在支承面上，在外周边缘之间形成有槽。为了使由形成在支承面上的槽划分的支承面的区域变小，优选的是，所述槽具有多个，所述槽之间连通。为了使由形成在支承面上的槽划分的支承面的区域进一步变小，优选的是，在所述支承面上形成有由圆形或多边形构成的封闭的槽。在槽和槽交叉的交点，由于在槽加工方面交点的端部发圆，槽的宽度变宽，所以晶片的弯曲容易变大。为了降低晶片的弯曲，优选的是，在所述槽之间相互连通的部位形成有三叉路。在用于插入用于将具有晶片支承面的支承件固定在支承台上的固定件的孔形成在支承面上的情况下，考虑到由晶片保护膜引起的排气滞留在所述孔内的问题。鉴于该问题，作为用于排出滞留在所述孔内的排气的静电吸盘的结构，优选的是如下的结构：所述静电吸盘包括：支承件，在表面具有所述晶片的所述支承面；以及支承台，安装有所述支承件，在所述支承件上具有用于将所述支承件安装在所述支承台上的固定件的插入孔，所述槽与所述插入孔连通。如果考虑在离子注入工序中容许的晶片弯曲量，则优选的是，所述槽的宽度形成在1～2mm的范围以内。由于将接地销接触的部位定为带有肋的晶片的肋部分，所以能够不会在晶片上局部地产生大的变形地稳定地将晶片电位固定在接地电位。附图说明图1是表示静电吸盘的一个结构例的示意图。图1的(A)是XY平面上的静电吸盘的俯视图，图1的(B)是静电吸盘的剖视图。图2是表示静电吸盘的另一个结构例的示意图。图2的(A)是XY平面上的静电吸盘的俯视图，图2的(B)是静电吸盘的剖视图。图3是表示在支承面上形成有槽的静电吸盘的一个结构例的示意图。图3的(A)是XY平面上的静电吸盘的俯视图，图3的(B)是静电吸盘的剖视图。图4是表示在支承面上形成有多个槽的静电吸盘的结构例的示意图。图5是表示在支承面上形成有多个槽的静电吸盘的另一个结构例的示意图。图6是表示在插入孔上形成的横孔的结构例的示意图。图6的(A)是在各插入孔上形成有横孔的例子。图6的(B)是一个横孔连通多个插入孔的例子。图7是表示在支承面上形成有多个槽的静电吸盘的又一个结构例的示意图。图8是表示在支承面上形成有多个槽的静电吸盘的再一个结构例的示意图。附图标记说明E静电吸盘W晶片H插入孔T横孔G槽P接地销S支承面R肋3支承台11支承件具体实施方式参照图1对本专利技术的静电吸盘E的结构进行说明。图1的(A)是从上方观察静电吸盘E时的俯视图。图1的(B)是沿图1的(A)中图示的A-A线朝向与图示的Z方向相反方向切断静电吸盘E时的剖视图。以方便把握支承在静电吸盘E上时的晶片W的位置的方式，描绘了用虚线图示了外形的晶片W。晶片W为圆形，在外周部具有环状的肋R。由于形成有所述肋R，所以如图1的(B)所示，与中央部相比晶片外周部的厚度尺寸大，从而提高了晶片W的强度。静电吸盘E包括支承晶片W的支承件11和安装有支承件11的支承台3。支承件11包括弹性层1(例如硅橡胶层)和电介质层2，所述弹性层1用于减少因晶片W与支承面S的摩擦而产生的颗粒，所述电介质层2具有通过未图示的供电线来施加吸附电压的电极D。在支承件11上从支承件11的表面朝向支承台3一侧形成有插入孔H，该插入孔H插入将支承件11安装在支承台3上的螺栓等固定件。在支承台3上形成有制冷剂流动的制冷剂流道5，所述制冷剂用于在离子注入工序时将晶片温度保持在规定温度。在图1的(A)的平面上观察，所述制冷剂流道5在支承面S的周向上形成为大体螺旋状。如图1的(A)所示，在支承台3上形成有突出部4，所述突出部4比支承件11的外周更向外侧突出。嵌入螺母压入所述突出部4中，在所述嵌入螺母上安装有接地销P。接地销P是长的棒状销，其前端与晶片W的肋R接触。未与肋R接触的一侧的接地销P的端部与未图示的电气布线连接，通过该电气布线，接地销P电接地。在本专利技术的静电吸盘E中，如上所述，由于接地销P与晶片W的肋R接触，所以与使接地销P与晶片W的中央部接触的结构相比，在晶片W上不会产生局部变形，能够稳定地将晶片电位固定在接地电位。此外，也不会发生由晶片W局部变形引起的离子注入工序中的注入不良。在所述实施方式中，使从支承台3延伸的接地销P的突出长度固定，但是接地销P的结构并不限定于如上所述的结构。例如，也可以像以往众所周知的那样，在接地销P的下方设置螺旋弹簧并利用弹簧弹性支承接地销P。如果是弹性支承接地销P的结构，则即使由于晶片的种类不同而使从支承台3到肋R的距离改变了，也能够适当地改变接地销P的突出长度。如图2所示，晶片W支承在静电吸盘E上时，图1的结构也存在以反转180°的状态支承的情况。在本专利技术中，即使改变了支承在静电吸盘E上的晶片W的朝向，只要接地销P与晶片外周部的肋R接触即可。但是，如专利文献2所述地，支承在静电吸盘E侧的晶片的面有时被用于保护该面的保护膜覆盖。如专利文献2的段落0054所述地，在晶片上附有保护膜的情况下，存在由该保护膜引起产生排气的问题。在离子注入工序中对晶片W进行处理期间，所述排气滞留在晶片W和静电吸盘E的支承面S之间时，会发生晶片跳起的问题。虽然滞留在构件间的气体的压力并不大，但是由于带有肋的晶片的厚度薄到数微米～数十微米，重量轻到数克，因此如果在离子注入处理后，停止静电吸盘E对晶片W的静电吸附支承，则晶片W从静电吸盘E跳起。针对晶片跳起的问题，可以通过在静电吸盘E的支承面S上形成槽G来应对。如果在支承面S上形成有槽G，则通过该槽来排出滞留在构件间的气体，滞本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘支承带有肋的晶片，所述带有肋的晶片在外周部具有环状的肋，所述静电吸盘包括与所述晶片接触的接地销，所述接地销与所述肋接触。

【技术特征摘要】
2017.04.18 JP 2017-082417;2017.12.18 JP 2017-241621.一种静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘支承带有肋的晶片，所述带有肋的晶片在外周部具有环状的肋，所述静电吸盘包括与所述晶片接触的接地销，所述接地销与所述肋接触。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，在支承面上，在外周边缘之间形成有槽。3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于，所述槽具有多个，所述槽之间连通。4.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征在于，在所述支承面上形成有由圆形或多边形构成的封闭的槽。5.根据权利要求3或4所述的静电吸盘，其特征在于，在所述槽之间相互连通的部位形成有三叉路。6.根据权利要求2至4中任意一项所述的静电吸盘，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：糸井骏，盐尻史郎，
申请(专利权)人：日新离子机器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP