可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置，包含第一移转机构、第二移转机构及第三移转机构，第二移转机构的第二旋转路径相接于第一旋转路径，第三移转机构的第三旋转路径相接于第一旋转路径及第二旋转路径，目标晶粒依序通过第一移转构件及第二移转构件的移转，而自晶粒供应面移转目标晶粒至置晶承托面，或者目标晶粒依序通过第一移转构件、第三移转构件及第二移转构件的移转，而自晶粒供应面移转目标晶粒至置晶承托面，其中目标晶粒每经过一次移转则翻面，以通过移转的次数决定目标晶粒以正面或反面置晶于置晶承托面。

Crystal device which can be used for both positive and negative crystallization

The present invention provides a crystallization device which can be used for both front and reverse crystallization, including a first transfer mechanism, a second transfer mechanism and a third transfer mechanism. The second rotation path of the second transfer mechanism is connected with the first rotation path, and the third rotation path of the third transfer mechanism is connected with the first rotation path and the second rotation. The target grain is transferred sequentially from the grain supply surface to the bearing surface, or the target grain is transferred sequentially from the first transfer component, the third transfer component and the second transfer component, and from the grain supply surface to the bearing surface. In the bracket, the target grain is turned over every time it passes through the transfer, and the number of times of the transfer determines that the target grain is placed on the bracket with the front or the back side of the bracket.

【技术实现步骤摘要】
可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置
本专利技术涉及一种置晶装置，特别是涉及一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置。
技术介绍
在半导体晶圆级封装的制程中，必须将晶圆切割成复数晶粒，再从中挑出良品，重新配置到基板上以进行后续的加工。在重新配置的过程中，为配合不同的制程需求，可能采取正面置晶或反面置晶。然而，由于装置结构的问题，传统的正面置晶装置及反面置晶装置大多无法共容于同一机台，导致厂商必须分别购买正面置晶装置及反面置晶装置，不仅成本因此提高、占用空间庞大，若要从正面置晶的流程切换成反面置晶则需更换机台，相当不方便。另一方面，或有共容于同一机台者，则受限于使用水平移载的置晶装置，其正面置晶所费时间较反面置晶所费时间长，导致正面置晶效率差。
技术实现思路
因此，为解决上述问题，本专利技术的目的即在提供一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置。本专利技术为解决现有技术的问题所采用的技术手段提供一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置，包含：第一移转机构，包括第一移转构件，该第一移转构件经设置而绕第一旋转轴线沿第一旋转路径旋转；第二移转机构，包括第二移转构件，该第二移转构件经设置而绕第二旋转轴线沿第二旋转路径旋转，该第二旋转路径相接于该第一旋转路径；以及第三移转机构，包括第三移转构件，该第三移转构件经设置而绕第三旋转轴线沿第三旋转路径旋转，该第三旋转路径相接于该第一旋转路径以及该第二旋转路径，其中，待置晶的目标晶粒依序通过该第一移转构件及该第二移转构件的移转，而经由该第一旋转路径及该第二旋转路径自晶粒供应面移转该目标晶粒至置晶承托面，或者该目标晶粒依序通过该第一移转构件、该第三移转构件及该第二移转构件的移转，而经由该第一旋转路径、该第三旋转路径及该第二旋转路径自该晶粒供应面移转该目标晶粒至该置晶承托面，以及该第一移转构件、该第二移转构件及该第三移转构件中任二者之间的移转以对接的方式进行，该对接的方式分别吸取该目标晶粒的相反两面而移转晶粒，而使该目标晶粒每经过一次移转则翻面，以通过移转的次数决定该目标晶粒以正面或反面置晶于该置晶承托面。在本专利技术的一实施例中提供一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置，该第一旋转轴线、该第二旋转轴线及该第三旋转轴线互相平行。在本专利技术的一实施例中提供一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置，该第二旋转轴线为平行于该置晶承托面，且该第二移转机构经设置而可平行于该置晶承托面而移动。在本专利技术的一实施例中提供一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置，还包含第四移转机构，包括第四移转构件，该第四移转构件经设置而绕第四旋转轴线沿第四旋转路径旋转，该第四旋转路径相接于该第二旋转路径，以使该目标晶粒在该第二移转构件的移转后，更通过该第四移转构件的移转而移转该目标晶粒至该置晶承托面。在本专利技术的一实施例中提供一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置，该第三移转机构固定设置于该第一移转机构及该第二移转机构之间。在本专利技术的一实施例中提供一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置，该第二移转机构具有多个第二移转构件。经由本专利技术所采用的技术手段，可兼用于正面置晶及反面置晶于同一台机台中。同时置晶装置的占用面积(footprint)缩小，第一移转构件、第二移转构件及第三移转构件也因具有较小的转动惯量，使得置晶更稳定。除此之外，本专利技术的置晶装置还可以最短的动作路径自晶粒供应面转移目标晶粒至置晶承托面而大幅提升置晶速度，进而降低设备成本、减少仪器占用面积，大幅提高置晶的便利性。本专利技术所采用的具体实施例，将通过以下的实施例及附图作进一步的说明。附图说明图1为显示根据本专利技术第一实施例的可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置的反面置晶示意图。图2为显示根据本专利技术第一实施例的可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置的正面置晶示意图。图3为显示根据本专利技术第二实施例的可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置的示意图。图4为显示根据本专利技术第三实施例的可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置的示意图。图5为显示根据本专利技术第三实施例的可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置的示意图。附图标记100可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置100a可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置100b可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置100c可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置1第一移转机构11第一旋转轴线12第一移转构件2第二移转机构21第二旋转轴线22第二移转构件3第三移转机构31第三旋转轴线32第三移转构件4第四移转机构41第四旋转轴线42第四移转构件B反面D目标晶粒N正面R1第一旋转路径R2第二旋转路径R3第三旋转路径R4第四旋转路径T1晶粒供应面T2置晶承托面具体实施方式以下根据图1至图5，而说明本专利技术的实施方式。该说明并非为限制本专利技术的实施方式，而为本专利技术的实施例的一种。如图1及图2所示，本专利技术的第一实施例的可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置100，包括第一移转机构1、第二移转机构2及第三移转机构3。第一移转机构1包括第一旋转轴线11(垂直于图面)及第一移转构件12，第一移转构件12经设置而绕第一旋转轴线11沿第一旋转路径R1旋转。第二移转机构2包括第二旋转轴线21(垂直于图面)及第二移转构件22，第二移转构件22经设置而绕第二旋转轴线21沿第二旋转路径R2旋转，第二旋转路径R2相接于第一旋转路径R1。第三移转机构3包括第三旋转轴线31(垂直于图面)及第三移转构件32，第三移转构件32经设置而绕第三旋转轴线31沿第三旋转路径R3旋转，第三旋转路径R3相接于第一旋转路径R1以及第二旋转路径R2。如图1所示，待置晶的目标晶粒D依序通过第一移转构件12及第二移转构件22的移转，而经由第一旋转路径R1及第二旋转路径R2自晶粒供应面T1移转目标晶粒D至置晶承托面T2。或者如图2所示，目标晶粒D依序通过第一移转构件12、第三移转构件32及第二移转构件22的移转，而经由第一旋转路径R1、第三旋转路径R3及第二旋转路径R2自晶粒供应面T1移转目标晶粒D至置晶承托面T2。值得注意的是，第一移转构件12、第二移转构件22及第三移转构件32中任二者之间的移转以对接的方式进行。该对接的方式分别吸取目标晶粒D的相反两面(正面N及反面B)而移转晶粒，而使目标晶粒D每经过一次移转则翻面，以通过移转的次数决定目标晶粒D以正面或反面置晶于置晶承托面T2。例如，在图1中，由于目标晶粒D只对接移转一次，故以反面置晶的方式置晶于置晶承托面T2；而在图2中，目标晶粒D对接移转二次(第一移转构件12移转至第三移转构件32再移转至第二移转构件22)，故以正面置晶的方式置晶于置晶承托面T2。因此，通过适当地切换反面置晶模式(第一移转构件12移转至第二移转构件22)或正面置晶模式(第一移转构件12移转至第三移转构件32再移转至第二移转构件22)，可使得反面置晶及正面置晶共享同一台仪器并以高效率、高稳定度完成。除此之外，通过本专利技术的配置，可使第一移转构件12、第二移转构件22及第三移转构件32的长度缩短，因而以最短的动作路径自晶粒供应面T1转移目标晶粒D至置晶承托面T2。如此一来，不仅可使可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置100的占用面积(footprint)缩小、透过缩短动作路径而大幅提升置晶速度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置，包含：第一移转机构，包括第一移转构件，所述的第一移转构件经设置而绕第一旋转轴线沿第一旋转路径旋转；第二移转机构，包括第二移转构件，所述的第二移转构件经设置而绕第二旋转轴线沿第二旋转路径旋转，所述的第二旋转路径相接于所述的第一旋转路径；以及第三移转机构，包括第三移转构件，所述的第三移转构件经设置而绕第三旋转轴线沿第三旋转路径旋转，所述的第三旋转路径相接于所述的第一旋转路径以及所述的第二旋转路径，其中，待置晶的目标晶粒依序通过所述的第一移转构件及所述的第二移转构件的移转，而经由所述的第一旋转路径及所述的第二旋转路径自晶粒供应面移转所述的目标晶粒至置晶承托面，或者所述的目标晶粒依序通过所述的第一移转构件、所述的第三移转构件及所述的第二移转构件的移转，而经由所述的第一旋转路径、所述的第三旋转路径及所述的第二旋转路径自所述的晶粒供应面移转所述的目标晶粒至所述的置晶承托面，以及所述的第一移转构件、所述的第二移转构件及所述的第三移转构件中任二者之间的移转以对接的方式进行，所述的对接的方式分别吸取所述的目标晶粒的相反两面而移转晶粒，而使所述的目标晶粒每经过一次移转则翻面，以通过移转的次数决定所述的目标晶粒以正面或反面置晶于所述的置晶承托面。...

【技术特征摘要】
1.一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置，包含：第一移转机构，包括第一移转构件，所述的第一移转构件经设置而绕第一旋转轴线沿第一旋转路径旋转；第二移转机构，包括第二移转构件，所述的第二移转构件经设置而绕第二旋转轴线沿第二旋转路径旋转，所述的第二旋转路径相接于所述的第一旋转路径；以及第三移转机构，包括第三移转构件，所述的第三移转构件经设置而绕第三旋转轴线沿第三旋转路径旋转，所述的第三旋转路径相接于所述的第一旋转路径以及所述的第二旋转路径，其中，待置晶的目标晶粒依序通过所述的第一移转构件及所述的第二移转构件的移转，而经由所述的第一旋转路径及所述的第二旋转路径自晶粒供应面移转所述的目标晶粒至置晶承托面，或者所述的目标晶粒依序通过所述的第一移转构件、所述的第三移转构件及所述的第二移转构件的移转，而经由所述的第一旋转路径、所述的第三旋转路径及所述的第二旋转路径自所述的晶粒供应面移转所述的目标晶粒至所述的置晶承托面，以及所述的第一移转构件、所述的第二移转构件及所述的第三移转构件中任二者之间的移转以对接的方式进行，所述的对接的方式分别吸取所述的目标晶粒的相反两面而移转晶粒，而使所述的目标晶粒每经过一次移转则翻面，以通过移转的次数决定所述的目标晶粒以正面或反面置晶于所述的置晶承托面。2.如权利要求1所述的可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置，其特征在于，所述的第一旋转轴线、所述的第二旋转轴线及所述的第三旋转轴线互相平行。3.如权利要求1所述的可兼用于正面置晶及反...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢彦豪，
申请(专利权)人：梭特科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71