The invention discloses a novel Faraday device for measuring ion beam, which comprises a horizontal graphite cup (1), a vertical graphite cup (2), a Faraday cavity (3), a permanent magnet (4), a signal acquisition board (5), a support device (6) and a water cooling device (7). The horizontal beam measuring graphite cup (1), the vertical beam measuring graphite cup array (2) and the permanent magnet (4) are placed in the Faraday cavity (3), and are fixed and supported by the support device (5). The cooling water channel in the support device provides water cooling support for Faraday, and the collected signals are drawn from the signal acquisition board. The invention relates to an ion implantation device, belonging to the semiconductor manufacturing field.
【技术实现步骤摘要】
一种新型测量离子束的法拉第装置
本专利技术涉及一种集成电路制造控制系统，即离子注入机，特别地涉及一种用于离子注入机的新型等离子体束的测量法拉第装置。
技术介绍
随着集成电路工艺技术的提高，对离子注入设备提出了更高的要求，对于注入离子束的流强、束剖面、密度分布等要求日渐提高，通过合理控制束流参数，保证束流的均匀性和稳定性，对于注入产品的质量和离子注入机的产业化有很大的影响。想要控制束流的均匀性和稳定性，必须有一个对于束流各个参数及密度分布进行测量的装置，实时在线对于束流状态进行分析与检测，保证注入工艺的质量与稳定。要保证良好的产品质量，必须对于离子束的参数、密度分布、角度太剖面大小有严格的控制，从而一个对于束流参数进行精确测量的法拉第装置十分重要。
技术实现思路
本专利技术公开了一种新型的测量离子束的法拉第装置，可用于离子注入机工作过程中，实时检测束流二维剖面形状，密度分布等参数，为控制束流提供数据反馈。本专利技术通过以下技术方案实现：1.一种新型测量离子束的法拉第装置，包括：水平测束石墨杯(1)、竖直测束石墨杯(2)、法拉第腔体(3)、永磁体(4)、信号采集板(5)支持装置(6)、水冷装置(7)。其特征在于：采用二维法拉第阵列的方式，用来测量等离子体束的二维分布，包括束流剖面形状与密度分布等。2.一种新型测量离子束的法拉第装置，其特征在于通过将长条型水平测束石墨杯(1)和竖直测束石墨杯阵列(2)在水平方向扫描的方式，来测量等离子体束流的二维分布。其中，水平测束石墨杯口为长方形，数量为1个，竖直测束石墨杯杯口为正方形，数量为24个。3.一种新型测量离子束的法拉第...
【技术保护点】
1.一种新型测量离子束的法拉第装置，包括：水平测束石墨杯(1)、竖直测束石墨杯(2)、法拉第腔体(3)、永磁体(4)、信号采集板(5)支持装置(6)、水冷装置(7)。其特征在于：采用二维法拉第阵列的方式，用来测量等离子体束的二维分布，包括束流剖面形状与密度分布等。
【技术特征摘要】
1.一种新型测量离子束的法拉第装置，包括：水平测束石墨杯(1)、竖直测束石墨杯(2)、法拉第腔体(3)、永磁体(4)、信号采集板(5)支持装置(6)、水冷装置(7)。其特征在于：采用二维法拉第阵列的方式，用来测量等离子体束的二维分布，包括束流剖面形状与密度分布等。2.如权利要求1所述的一种新型测量离子束的法拉第装置，其特征在于通过将长条型水平测束石墨杯(1)和竖直测束石墨杯阵列(2)在水平方向扫描的方式，来测量等离子体束流的二维分布。其中，水平测束石墨杯口为长方形，数量为1个，竖直测束石墨杯杯口为正方形，数量为24个。3.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张喻召，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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