CVD单晶金刚石晶种的清洗方法技术

本发明专利技术公开了CVD单晶金刚石晶种的清洗方法，包括以下步骤，向水箱中通水，在通水的工程中对水位进行实时监测，在通入到水箱五分之四水位时停止通水，对水箱中的水进行加热，在对水加热时对水温进行监测，始终保持水温在800°～900之间，对水箱中空气进行加压，监测水箱中加压的压力，到合适压力时停止加压，对单晶金刚石晶种进行喷水清洗，并在清洗时套上分流套，从开始喷水时开始计时，喷水结束后取出部分单晶金刚石晶种进行抽样监测其是否合格。本发明专利技术设置能够准确检测水箱中的水位，防止水过多影响水箱后期的加压，能够控制水箱中的水压和水温，使其能够把水箱中的水加到合适的压力和温度进行清洗，提高了清洗效率。

Cleaning method for CVD single crystal diamond seeds

The invention discloses a cleaning method for CVD single crystal diamond seed, which includes the following steps: water is supplied to the water tank, water level is monitored in real time in the water supply project, water is stopped when water reaches four fifths of the water level in the water tank, water in the water tank is heated, water temperature is monitored when water is heated, and water is always maintained. Temperature is between 800 ~900, the air in the water tank is pressurized, the pressure in the water tank is monitored, and the pressure is stopped when the appropriate pressure is applied. The single crystal diamond seeds are cleaned by spraying water, and the shunt sleeve is set when the cleaning is done. The time is counted from the beginning of spraying water, and some single crystal diamond seeds are taken out after spraying water for sampling supervision. Test whether it is qualified. The device can accurately detect the water level in the water tank, prevent excessive water from affecting the later pressurization of the water tank, control the water pressure and temperature in the water tank, enable the water in the water tank to be added to the appropriate pressure and temperature for cleaning, and improve the cleaning efficiency.

【技术实现步骤摘要】
CVD单晶金刚石晶种的清洗方法
本专利技术涉及金刚石清洗
，尤其涉及CVD单晶金刚石晶种的清洗方法。
技术介绍
目前，CVD是化学气象沉积法，可以用来生产单晶或多晶金刚石。一般成膜的都是多晶，单晶生产用CVD效率低功耗大，而且很容易连成膜。上海交通大学有做CVD合成单晶金刚石的。由于CVD金刚石中不含任何金属催化剂，因此它的热稳定性接近天然金刚石。同高温高压人工合成聚晶金刚石一样，CVD金刚石晶粒也呈无序排列，无脆性解理面，因此呈现各向同性。CVD金刚石现在被用为刀具材料的一种，CVD单晶金刚石晶种在生产过程中需要对其进行清洗，但是一般的清洗方法过于陈旧，对温度、压力的控制不好，因此，急需CVD单晶金刚石晶种的清洗方法来解决此类问题。
技术实现思路
基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了CVD单晶金刚石晶种的清洗方法。本专利技术提出的CVD单晶金刚石晶种的清洗方法，包括以下步骤：S1：向水箱中通水；S2：在通水的工程中对水位进行实时监测，在通入到水箱五分之四水位时停止通水；S3：对水箱中的水进行加热；S4：在对水加热时对水温进行监测，始终保持水温在800°～900之间；S5：对水箱中空气进行加压；S6：监测水箱中加压的压力，到合适压力时停止加压；S7：对单晶金刚石晶种进行喷水清洗，并在清洗时套上分流套；S7：从开始喷水时开始计时；S8：喷水结束后取出部分单晶金刚石晶种进行抽样监测其是否合格；S9：如果不合格则进行新一轮的清洗，重新计时，如果合格则取出单晶金刚石晶种清洗完成。优选地，所述S2中通过水位检测模块进行检测水位，且水位检测模块包括液位继电器，液位继电器安装在水箱的顶部内壁上对液位进行监测，然后在水箱的一侧外壁上安装处理器和报警灯，使处理器与液位继电器连接，当水位到达额定数值时通过液位继电器把电信号传送给处理器进行处理，然后通过处理器控制报警灯进行报警，提醒人们停止加水。优选地，所述S3中通过加热模块进行加热，且加热模块包括加热器，加热器安装在水箱一侧内壁上，且加热器位于水箱靠近底部位置，加热器通过信号线与处理器连接。优选地，所述S4通过温度检测模块检测温度，且温度检测模块包括温度传感器，通过温度传感器来检测箱体中的水温，当温度到达900°时通过处理器来传递电信号控制加热器停止加热，在使用时由于水会逐渐冷却，在水温降低到800°以下时，温度传感器监测的水温信号及时传递给处理器，通过处理器控制加热器工作进行加热，加热到900°时停止加热。优选地，所述S6通过水压检测模块对箱体中的压力进行检测，检测的压力值记为P1，当P1到达800PA时通过处理器控制加压装置停止加压。优选地，所述S7中通过喷头对单晶金刚石晶种进行清洗，清洗前在喷头的前面加设网罩，把水进行分散，避免压力巨大的水流直接与单晶金刚石晶种接触，对单晶金刚石晶种造成损坏。优选地，所述S9中通过取样模块对清洗后的单晶金刚石晶种进行取样检测，检测的结果与预算数值进行对比，当对比结果不能满足要求时返回S7进行重新清洗，当对比结果满足要求时取出单晶金刚石晶种完成清洗。优选地，所述S8中通过计时模块进行计时，清洗十分钟后间隔三分之后进行第二次清洗，持续清洗三次进行下一步骤。本专利技术中的有益效果为：1、通过水位检测模块的设置能够准确检测水箱中的水位，防止水过多影响水箱后期的加压，通过水压检测模块的设置能够检测水箱中的水压，使其能够把水箱中的水加到合适的压力，提高了清洗效率。2、通过加热模块中的加热器和温度检测模块中的温度传感器的设置能够把水箱中的水加热到合适的温度，并使水温保持到合适的范围内，再次提高了清洗效率。3、通过计时模块的设置能够多次间隔性的给单晶金刚石晶种进行清洗，防止一直清洗对其造成损伤，提高了清洗效果。附图说明图1为本专利技术提出的CVD单晶金刚石晶种的清洗方法的流程示意图；图2为本专利技术提出的CVD单晶金刚石晶种的清洗方法的检测模块示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1-2，CVD单晶金刚石晶种的清洗方法，包括以下步骤：S1：向水箱中通水；S2：在通水的工程中对水位进行实时监测，在通入到水箱五分之四水位时停止通水；S3：对水箱中的水进行加热；S4：在对水加热时对水温进行监测，始终保持水温在800°～900之间；S5：对水箱中空气进行加压；S6：监测水箱中加压的压力，到合适压力时停止加压；S7：对单晶金刚石晶种进行喷水清洗，并在清洗时套上分流套；S7：从开始喷水时开始计时；S8：喷水结束后取出部分单晶金刚石晶种进行抽样监测其是否合格；S9：如果不合格则进行新一轮的清洗，重新计时，如果合格则取出单晶金刚石晶种清洗完成。本专利技术中，S2中通过水位检测模块进行检测水位，且水位检测模块包括液位继电器，液位继电器安装在水箱的顶部内壁上对液位进行监测，然后在水箱的一侧外壁上安装处理器和报警灯，使处理器与液位继电器连接，当水位到达额定数值时通过液位继电器把电信号传送给处理器进行处理，然后通过处理器控制报警灯进行报警，提醒人们停止加水，S3中通过加热模块进行加热，且加热模块包括加热器，加热器安装在水箱一侧内壁上，且加热器位于水箱靠近底部位置，加热器通过信号线与处理器连接。S4通过温度检测模块检测温度，且温度检测模块包括温度传感器，通过温度传感器来检测箱体中的水温，当温度到达900°时通过处理器来传递电信号控制加热器停止加热，在使用时由于水会逐渐冷却，在水温降低到800°以下时，温度传感器监测的水温信号及时传递给处理器，通过处理器控制加热器工作进行加热，加热到900°时停止加热，S6通过水压检测模块对箱体中的压力进行检测，检测的压力值记为P1，当P1到达800PA时通过处理器控制加压装置停止加压。S7中通过喷头对单晶金刚石晶种进行清洗，清洗前在喷头的前面加设网罩，把水进行分散，避免压力巨大的水流直接与单晶金刚石晶种接触，对单晶金刚石晶种造成损坏，S9中通过取样模块对清洗后的单晶金刚石晶种进行取样检测，检测的结果与预算数值进行对比，当对比结果不能满足要求时返回S7进行重新清洗，当对比结果满足要求时取出单晶金刚石晶种完成清洗，S8中通过计时模块进行计时，清洗十分钟后间隔三分之后进行第二次清洗，持续清洗三次进行下一步骤。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.CVD单晶金刚石晶种的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：向水箱中通水；S2：在通水的工程中对水位进行实时监测，在通入到水箱五分之四水位时停止通水；S3：对水箱中的水进行加热；S4：在对水加热时对水温进行监测，始终保持水温在800°～900之间；S5：对水箱中空气进行加压；S6：监测水箱中加压的压力，到合适压力时停止加压；S7：对单晶金刚石晶种进行喷水清洗，并在清洗时套上分流套；S7：从开始喷水时开始计时；S8：喷水结束后取出部分单晶金刚石晶种进行抽样监测其是否合格；S9：如果不合格则进行新一轮的清洗，重新计时，如果合格则取出单晶金刚石晶种清洗完成。

【技术特征摘要】
1.CVD单晶金刚石晶种的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：向水箱中通水；S2：在通水的工程中对水位进行实时监测，在通入到水箱五分之四水位时停止通水；S3：对水箱中的水进行加热；S4：在对水加热时对水温进行监测，始终保持水温在800°～900之间；S5：对水箱中空气进行加压；S6：监测水箱中加压的压力，到合适压力时停止加压；S7：对单晶金刚石晶种进行喷水清洗，并在清洗时套上分流套；S7：从开始喷水时开始计时；S8：喷水结束后取出部分单晶金刚石晶种进行抽样监测其是否合格；S9：如果不合格则进行新一轮的清洗，重新计时，如果合格则取出单晶金刚石晶种清洗完成。2.根据权利要求1所述的CVD单晶金刚石晶种的清洗方法，其特征在于，所述S2中通过水位检测模块进行检测水位，且水位检测模块包括液位继电器，液位继电器安装在水箱的顶部内壁上对液位进行监测，然后在水箱的一侧外壁上安装处理器和报警灯，使处理器与液位继电器连接，当水位到达额定数值时通过液位继电器把电信号传送给处理器进行处理，然后通过处理器控制报警灯进行报警，提醒人们停止加水。3.根据权利要求1所述的CVD单晶金刚石晶种的清洗方法，其特征在于，所述S3中通过加热模块进行加热，且加热模块包括加热器，加热器安装在水箱一侧内壁上，且加热器位于水箱靠近底部位置，加热器通过信号线与处理器连接。4.根据权利要求1所述的CVD单晶金...

【专利技术属性】
技术研发人员：李升，刘宏明，左浩，
申请(专利权)人：西安碳星半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61