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本发明公开了CVD单晶金刚石晶种的清洗方法，包括以下步骤，向水箱中通水，在通水的工程中对水位进行实时监测，在通入到水箱五分之四水位时停止通水，对水箱中的水进行加热，在对水加热时对水温进行监测，始终保持水温在800°～900之间，对水箱中空气...
该专利属于西安碳星半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安碳星半导体科技有限公司授权不得商用。

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