The present invention relates to a pressure-moulded epoxy packaging semiconductor device, which comprises a chip assembly, an epoxy resin package arranged around the chip assembly, and is characterized in that the chip assembly is exposed to the conductive portion of the epoxy resin package, the attached leads, and the minimum distance between the conductive portion at different potentials. The electric field intensity between these parts does not exceed the maximum working voltage of the semiconductor device.
【技术实现步骤摘要】
模塑环氧封装高可靠性半导体器件
本专利技术涉及压力模塑环氧封装半导体器件，尤其涉及硅基高压高可靠性二极管在高于125℃的高温和高反向偏压条件下的应用。
技术介绍
1961年8月1日的美国专利US2994121，1967年10月17日的美国专利US3348105，1960年9月30日的美国专利US2953730，1962年4月17日的美国专利US3030562公开了压力模塑环氧封装半导体器件的制作工艺。制作工艺中与封装相关的部分从芯片组件的封装操作本身构建之前开始。大多数环氧封装的半导体器件中包括，或者将芯片触点直接附接/连接至外部引线（包括引线框/衬底上的引线），或者首先将芯片附接到可以用作外部引线之一的引线框架，以及其次将芯片触点连接到外部引线。例如，1962年4月17日的美国专利US8080562或者1996年2月13日的美国专利US5491111。高压器件的这些连接中的至少一个通常焊接制成，采用几乎没有或者主要被视为良性的残留物的免清洗助焊剂。例如，2010年8月3日的美国专利US7767032和2000年8月15日的美国专利US6103549。通常在该步骤...
【技术保护点】
1.一种环氧树脂封装PN结半导体器件，包括芯片组件、设于所述芯片组件周围的环氧树脂封装，其特征在于：所述芯片组件暴露于所述环氧树脂封装中的导电部分，附接的引线，以及其他不同电位的导电部分之间的最小距离，使得在半导体器件的最大工作电压下，这些部分之间的电场强度不超过
【技术特征摘要】
1.一种环氧树脂封装PN结半导体器件，包括芯片组件、设于所述芯片组件周围的环氧树脂封装，其特征在于：所述芯片组件暴露于所述环氧树脂封...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢可勋，西里奥·艾·珀里亚科夫，
申请(专利权)人：浙江美晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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