一种单晶体燃机叶片检测用辅助试样制造技术

本实用新型专利技术提供了一种单晶体燃机叶片检测用辅助试样，包括顺次一体成型连接的叶片模拟段、连接段以及叶根模拟段，叶片模拟段与叶根模拟段通过连接段连接，叶片模拟段上凹设有多组叶片模拟缺陷，叶根模拟段上凹设有至少一组叶根模拟缺陷。在对燃机叶片进行检测之前，通过对本实用新型专利技术提供的单晶体燃机叶片检测用辅助试样上所设置的缺陷进行检测，能获得较为精确的缺陷对比值，在对现有燃机叶片检测后，将检测结果与得到的缺陷对比值相对比，即能准确的对燃机叶片上的缺陷位置及缺陷大小进行定量，从而有效保证对燃机叶片检测的准确度，保证燃机叶片的运行安全。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶体燃机叶片检测用辅助试样
本技术涉及叶片检测
，尤其是指一种单晶体燃机叶片检测用辅助试样。
技术介绍
燃机叶片因为其结构复杂，工作状况恶劣，受力状态多种多样，在运行过程中会产生各种各样的缺陷。为保证燃机的运行安全，通常需要对燃机叶片进行在役检测。而现有技术在对燃机叶片进行检测时，存在难以准确对缺陷位置及缺陷大小进行定量的问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种单晶体燃机叶片检测用辅助试样，在对燃机叶片进行检测之前，通过对本技术上所设置的缺陷进行检测，能获得较为精确的缺陷对比值，在对现有燃机叶片检测后，将检测结果与得到的缺陷对比值相对比，即能准确的对燃机叶片上的缺陷位置及缺陷大小进行定量。为达到上述目的，本技术提供了一种单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，所述单晶体燃机叶片检测用辅助试样包括顺次一体成型连接的叶片模拟段、连接段以及叶根模拟段，所述叶片模拟段与所述叶根模拟段通过所述连接段连接，所述叶片模拟段上凹设有多组叶片模拟缺陷，所述叶根模拟段上凹设有至少一组叶根模拟缺陷。如上所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，所述叶片模拟缺陷包括至少一线性缺陷组及至少一块状缺陷组，所述线性缺陷组及所述块状缺陷组分别设于所述叶片模拟段的两侧表面上。如上所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，沿着由所述叶根模拟段至所述叶片模拟段的方向，所述叶片模拟缺陷包括顺次间隔设在所述叶片模拟段的一侧表面上的第一线性缺陷组、第二线性缺陷组、第三线性缺陷组、第四线性缺陷组、第五线性缺陷组及第六线性缺陷组。如上所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，沿着所述叶片模拟段的周向，所述第一线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第一线性缺陷，所述第二线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第二线性缺陷，所述第三线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第三线性缺陷，所述第四线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第四线性缺陷，所述第五线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第五线性缺陷，所述第六线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第六线性缺陷。如上所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，所述叶片模拟段与所述连接段之间形成连接面，各所述第一线性缺陷的延伸方向与所述连接面之间形成45°的夹角；各所述第二线性缺陷的延伸方向平行于所述连接面；各所述第三线性缺陷的延伸方向垂直于所述连接面；各所述第四线性缺陷分别与各所述第一线性缺陷平行；各所述第五线性缺陷分别与各所述第二线性缺陷平行；各所述第六线性缺陷分别与各所述第三线性缺陷平行。如上所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，各所述第一线性缺陷、各所述第二线性缺陷及各所述第三线性缺陷的长度均为1mm；各所述第四线性缺陷、各所述第五线性缺陷及各所述第六线性缺陷的长度均为1.5mm。如上所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，沿着由所述叶根模拟段至所述叶片模拟段的方向，所述叶片模拟段的另一侧表面上顺次间隔设有第一块状缺陷组和第二块状缺陷组；且沿着由所述叶根模拟段至所述叶片模拟段的方向，所述第一块状缺陷组包括间隔设置的第一块状缺陷和第二块状缺陷，所述第二块状缺陷组包括间隔设置的第三块状缺陷和第四块状缺陷。如上所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，所述第一块状缺陷及所述第三块状缺陷均为沿着由所述叶根模拟段至所述叶片模拟段的方向的尺寸大于沿着所述叶根模拟段的周向的尺寸的矩形缺陷，所述第二块状缺陷及所述第四块状缺陷均为沿着由所述叶根模拟段至所述叶片模拟段的方向的尺寸小于沿着所述叶根模拟段的周向的尺寸的矩形缺陷；所述第三块状缺陷的面积大于所述第一块状缺陷的面积，所述第四块状缺陷的面积大于所述第二块状缺陷的面积。如上所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，所述叶根模拟缺陷包括至少一线性缺陷组。如上所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，所述叶根模拟缺陷包括设在所述叶根模拟段的表面上的第七线性缺陷组，所述第七线性缺陷组包括沿着所述叶根模拟段的周向间隔设置的第七线性缺陷、第八线性缺陷和第九线性缺陷，所述第七线性缺陷、所述第八线性缺陷和所述第九线性缺陷分别平行于所述叶片模拟段与所述连接段之间的连接面，所述第七线性缺陷的长度为1mm，所述第八线性缺陷的长度为1.5mm，所述第九线性缺陷的长度为2mm。与现有技术相比，本技术的优点如下：在对燃机叶片进行检测之前，通过对本技术提供的单晶体燃机叶片检测用辅助试样上所设置的缺陷进行检测，能获得较为精确的缺陷对比值，在对现有燃机叶片检测后，将检测结果与得到的缺陷对比值相对比，即能准确的对燃机叶片上的缺陷位置及缺陷大小进行定量，从而有效保证对燃机叶片检测的准确度，保证燃机叶片的运行安全。附图说明以下附图仅旨在于对本技术做示意性说明和解释，并不限定本技术的范围。其中：图1是本技术提供的单晶体燃机叶片检测用辅助试样的一侧结构示意图；图2是本技术提供的单晶体燃机叶片检测用辅助试样的另一侧结构示意图。附图标号说明：1、叶片模拟段；11、第一线性缺陷组；111、第一线性缺陷；12、第二线性缺陷组；121、第二线性缺陷；13、第三线性缺陷组；131、第三线性缺陷；14、第四线性缺陷组；141、第四线性缺陷；15、第五线性缺陷组；151、第五线性缺陷；16、第六线性缺陷组；161、第六线性缺陷；17、第一块状缺陷组；171、第一块状缺陷；172、第二块状缺陷；18、第二块状缺陷组；181、第三块状缺陷；182、第四块状缺陷；2、连接段；3、叶根模拟段；31、第七线性缺陷组；311、第七线性缺陷；312、第八线性缺陷；313、第九线性缺陷具体实施方式为了对本技术的技术方案、目的和效果有更清楚的理解，现结合附图说明本技术的具体实施方式。其中，下文中记载的表示方向的“上”、“下”以图1为例，图1中的上方即为“上”，图1中的下方即为“下”，但需要说明的是，“上”、“下”仅是为了更清楚的说明本技术的结构，并不用以限定本技术。如图1及图2所示，本技术提供了一种单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其中，单晶体燃机叶片检测用辅助试样包括顺次一体成型连接的叶片模拟段1、连接段2以及叶根模拟段3，叶片模拟段1与叶根模拟段3通过连接段2连接，连接段2的表面上设有挂钩、卡接部等用于与燃机组装连接的结构，其中，需要说明的是，本技术提供单晶体燃机叶片检测用辅助试样与现有燃机的燃机叶片的结构相同，现有的燃机叶片包括一体成型的叶片段、连接段和叶根段，叶片段与本技术的叶片模拟段1结构相同，连接段与本技术的连接段2结构相同，叶根段与本技术的叶根模拟段3结构相同，且燃机叶片的连接段上也设有与燃机组装连接用的挂钩及卡接部等连接结构与本技术的连接段2的表面上设置的挂钩、卡接部等用于与燃机组装连接的结构相同，本技术与现有燃机叶片在结构上的区别在于叶片模拟段1上凹设有多组叶片模拟缺陷，叶根模拟段3上凹设有至少一组叶根模拟缺陷。在使用时，使用本技术提供的单晶体燃机叶片检测用辅助试样代替燃机上的燃机叶片安装在燃机上，然后对本技术提供的单晶体燃机叶片检测用辅助试样进行检测，由于叶片模拟段1上凹设的叶片模拟缺陷以及叶根模拟段3上凹本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其特征在于，所述单晶体燃机叶片检测用辅助试样包括顺次一体成型连接的叶片模拟段、连接段以及叶根模拟段，所述叶片模拟段与所述叶根模拟段通过所述连接段连接，所述叶片模拟段上凹设有多组叶片模拟缺陷，所述叶根模拟段上凹设有至少一组叶根模拟缺陷。

【技术特征摘要】
1.一种单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其特征在于，所述单晶体燃机叶片检测用辅助试样包括顺次一体成型连接的叶片模拟段、连接段以及叶根模拟段，所述叶片模拟段与所述叶根模拟段通过所述连接段连接，所述叶片模拟段上凹设有多组叶片模拟缺陷，所述叶根模拟段上凹设有至少一组叶根模拟缺陷。2.根据权利要求1所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其特征在于，所述叶片模拟缺陷包括至少一线性缺陷组及至少一块状缺陷组，所述线性缺陷组及所述块状缺陷组分别设于所述叶片模拟段的两侧表面上。3.根据权利要求1所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其特征在于，沿着由所述叶根模拟段至所述叶片模拟段的方向，所述叶片模拟缺陷包括顺次间隔设在所述叶片模拟段的一侧表面上的第一线性缺陷组、第二线性缺陷组、第三线性缺陷组、第四线性缺陷组、第五线性缺陷组及第六线性缺陷组。4.根据权利要求3所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其特征在于，沿着所述叶片模拟段的周向，所述第一线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第一线性缺陷，所述第二线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第二线性缺陷，所述第三线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第三线性缺陷，所述第四线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第四线性缺陷，所述第五线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第五线性缺陷，所述第六线性缺陷组包括三条相互间隔且相互平行的第六线性缺陷。5.根据权利要求4所述的单晶体燃机叶片检测用辅助试样，其特征在于，所述叶片模拟段与所述连接段之间形成连接面，各所述第一线性缺陷的延伸方向与所述连接面之间形成45°的夹角；各所述第二线性缺陷的延伸方向平行于所述连接面；各所述第三线性缺陷的延伸方向垂直于所述连接面；各所述第四线性缺陷分别与各所述第一线性缺陷平行；各所述第五线性缺陷分别与各所述第二线性缺陷平行；各所述第六线性缺陷分别与各所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：安振源，郭明星，刘海峡，关天罡，梅东升，金生祥，毛永清，王六虎，马万军，仝茂峰，杨洪斌，王永红，刘洋，刘建屏，
申请(专利权)人：北京京桥热电有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京,11