【技术实现步骤摘要】
一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板
本专利技术属于氧化稼单晶生长
，特别涉及适合用于导模法生长氧化稼晶体的半封闭式导模板。
技术介绍
氧化镓是一种宽禁带半导体材料，其室温下禁带宽度为4.2-4.9eV(取决于不同晶格结构)，对应的带边发射波长为240-280nm，已经进入深紫外波段。氧化镓被确认的晶格结构有5种，其中β-Ga2O3是最稳定的一个相。β-Ga2O3作为超宽禁带半导体，对应更高的光子能量，由于其高光学透过率、高击穿场强、低能耗、高稳定性的特点，在紫外区、高温、高频、大功率等高功率电力电子器件和航空航天方面有着非常广泛的应用前景。人工合成高质量β-Ga2O3单晶的技术已成为世界各国的研究热点和竞争重点。导模法单晶生长技术则具有晶体生长速度快、尺寸形状可以精确控制、减少加工工序、节约成本的优势，是当前人工生长β-Ga2O3最具潜力的方法之一。但是由于氧化镓单晶生长过程中存在熔体温度高(1740-1820℃)、容易挥发、晶体生长各向异性强、导热性差、容易分解等问题，导致单晶生长过程中热场复杂，大尺寸单晶生长技术难度较大。其中，导模板是采用导模法制...
【技术保护点】
1.一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，包括第一侧板和第二侧板，两侧板镜面对称，两侧板中间的缝隙构成主供料缝；导模板主体的出料端设有向下凹陷的顶端V型槽；其特征在于，所述的顶端V型槽为钝角开口；在导模板主体的左右两端分别设有侧面V型槽；所述的侧面V型槽从侧板的上端贯通到下端，为钝角开口；在导模板主体的左右两端分别用一块密封板将第一侧板和第二侧板铆接，并将主供料缝左右两侧密封。
【技术特征摘要】
1.一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，包括第一侧板和第二侧板，两侧板镜面对称，两侧板中间的缝隙构成主供料缝；导模板主体的出料端设有向下凹陷的顶端V型槽；其特征在于，所述的顶端V型槽为钝角开口；在导模板主体的左右两端分别设有侧面V型槽；所述的侧面V型槽从侧板的上端贯通到下端，为钝角开口；在导模板主体的左右两端分别用一块密封板将第一侧板和第二侧板铆接，并将主供料缝左右两侧密封。2.根据权利要求1所述的一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，其特征在于，所述的顶端V型槽和侧面V型槽都与侧板内平面之间通过弧面光滑过渡连接。3.根据权利要...
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